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[发明专利]借由蚀刻掩模多侧的半导体设备分辨率增强-CN201310674054.1在审
发明人： G·宁;C·王;P·阿克曼;S·坦格拉朱 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及借由蚀刻掩模多侧的半导体设备分辨率增强，所揭示的是一种掩模，其包括置于掩模的第一侧上的多个第一相移区、以及置于掩模的第二侧上的多个第二相移区。第一相移区和第二相移区可为交替的相移区，其中第一相移区的相移与第二相移区的相移具有例如180度的相差。还揭示一种用于形成掩模的方法、以及使用掩模的半导体制造方法。
蚀刻掩模多侧半导体设备分辨率增强

[发明专利]移相掩模板结构及其制造方法-CN201010250531.8有效
发明人：朱骏 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2010-08-11 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明提出一种移相掩模板结构及其制造方法，该移相掩模板结构包括：掩模板基板；移相消光层，设置于所述掩模板基板上；选择性外延淀积保护膜，设置于所述移相消光层上，其中所述选择性外延淀积保护膜为二氧化硅，多晶硅本发明提出的移相掩模板结构及其制造方法，省略了常规掩模板使用的金属铬，降低了制造成本而且依靠选择性外延淀积技术，用对移相层具有高湿法刻蚀选择比的材料取代金属铬，降低二次干法刻蚀工艺操作对掩模板产生的损伤，提高掩模板性能和成品率。
移相掩模板结构及其制造方法

[发明专利]移相掩模的制作方法-CN95104070.7无效
发明人：咸泳穆 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1995-03-11 - 公布日： 1996-01-24 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：公开一种移相掩模的制作方法。为了制造移相掩模，在石英基片的遮光部分上形成蚀刻凹槽，然后在蚀刻凹槽的中心位置形成铬。该移相掩模不使用移相材料而产生移相效果，由此提高光的对比度。
移相掩模制作方法

[发明专利]一种掩模制作装置及制作方法-CN201911008393.X有效
发明人：周畅;黄元昊;罗闻 -专利权人：上海微电子装备(集团)股份有限公司
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明公开一种掩模制作装置，包括：张网模块，用于拉伸掩模，并将所述掩模传送至掩模框架上；掩模检测模块，用于检测所述掩模条在所述掩模框架上的位置信息；掩模固定模块，用于将所述掩模固定在所述掩模框架上；第一位移测量模块，用于测量所述张网模块和所述掩模固定模块的位置信息。通过第一位移测量模块精确确定掩模检测模块的位置信息，进而可以更精确的获取掩模的实际位置，从而通过调整张网模块的拉伸和位移，使掩模更精确的移动到预设的位置，从而提高掩模相对掩模框架放置的位置精度；以及通过第一位移测量模块精确确定掩模固定模块的位置信息，提高掩模固定模块对掩模和掩膜框架的固定精度，从而提高了金属掩模版的制作精度。
一种制作装置制作方法

[发明专利]掩模及其制造方法和用该掩模制造微透镜的方法-CN200710136896.6无效
发明人：李峻硕 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2007-07-23 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种掩模及其制造方法和用该掩模制造微透镜的方法，该掩模包括：透明掩模，由掩模图案区限定；以及掩模图案，位于掩模图案区上，包括第一相移层以及位于第一相移层上的第二相移层，第一相移层具有第一透射率而第二相移层具有第二透射率借助本发明，通过叠置至少两个具有彼此不同的透射率的相移层来形成用以形成CMOS图像传感器中微透镜的相移掩模，使得当用该相移掩模形成微透镜时微透镜能够具有均匀大小并且微透镜能够具有均匀曲率而与掩模图案阵列的位置无关
及其制造方法透镜

[发明专利]在印刷与大特征相邻的紧密空间时采用第二曝光辅助PSM曝光-CN03149796.9有效
发明人： C·皮埃拉 -专利权人：数字技术公司
申请日： 2003-08-05 - 公布日： 2004-03-24 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明的一个实施例提供一种系统，其采用通过第二掩模的曝光而在印刷与大特征相邻的紧密空间时帮助通过移相掩模的曝光。在操作期间，该系统通过移相掩模对半导体晶片表面上的光刻胶层进行曝光。该移相掩模包括限定第一特征和第二特征之间的空间的移相器，其中第一特征足够大，使得在限定该空间时移相的效率降低。而且，当曝光仅通过移相掩模时，移相的降低和空间的紧密性使该空间不能可靠地印刷。为解决该问题，该系统通过第二掩模对光刻胶层进行曝光，其中在曝光第一特征和第二特征之间的空间时，通过第二掩模的曝光起到辅助作用，因此可以可靠地印刷该空间。
印刷特征相邻紧密空间采用第二曝光辅助 psm

[发明专利]晶化设备、用于晶化设备的光学部件、晶化方法、薄膜晶体管和显示器-CN03147124.2无效
发明人：谷口幸夫;松村正清;山口弘高;西谷干彦;辻川晋;木村嘉伸;十文字正之 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2003-06-27 - 公布日： 2004-02-18 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：一种晶化设备，包括照射移相掩模(1)的发光光学系统(2)，其用具有反转峰型强度分布的光束照射非晶半导体膜(4)以产生结晶半导体膜，反转峰型强度分布在相应于移相掩模(1)的移相部分的点具有最小的光强。会聚/发散元件(3)设置在发光光学系统(2)和移相掩模(1)之间的光径上。会聚/发散元件(3)把自发光光学系统(2)提供的光束转换为具有向上凹入强度分布的光束以照射移相掩模(1)，其中在移相部分光强最低并且随着远离移相部分光强增加。
设备用于光学部件方法薄膜晶体管显示器

[发明专利]相位移掩模版、掩模版修补方法及设备-CN202110858794.5在审
发明人：张哲玮;高翌;朱佳楠 -专利权人：泉意光罩光电科技（济南）有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本申请提供一种相位移掩模版、掩模版修补方法及设备，涉及半导体制程技术领域。本申请在获取到对应掩模图案区域内存在遮光材料残留物的目标相移掩模版后，会针对该目标相移掩模版的掩模图案区域内的遮光材料残留物进行局部去除，以将遮光材料残留物构建为目标光栅结构，此时对目标相移掩模版中与遮光材料残留物投影位置重叠的第一相移区域来说，该第一相移区域的靠近目标光栅结构的区域表面将相对于目标光栅结构部分暴露，使目标相移掩模版中的第一相移区域能够恢复相位移效应及相消干涉功能，从而快速且有效地实现对具有遮光材料残留物的相移掩模版的修补作业，确保修补后的相移掩模版能够达到预期曝光效果。
相位模版修补方法设备

[发明专利]一种制作用于极紫外光刻的铬侧墙衰减型移相掩模的方法-CN201110409784.X无效
发明人：李海亮;谢常青;刘明;史丽娜;朱效立;李冬梅 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-12-09 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作用于极紫外光刻的铬侧墙衰减型移相掩模的方法，首先按照常规极紫外光刻掩模的制作方法制作出多层膜反射镜，再利用微纳米加工工艺技术在电子束抗蚀剂上制作出移相层结构，并大面积沉积吸收体材料铬，最后各向异性刻蚀吸收体材料铬，仅留下衰减型移相层材料铬侧墙，从而得到用于极紫外光刻的铬侧墙衰减型移相掩模。其中所述的铬侧墙衰减型移相掩模通过一次电子束曝光、两次磁控溅射沉积多层膜反射层和移相层、一次大面积原子层沉积材料铬、一次各向异性刻蚀材料铬获得的。本发明在移相层两侧添加了铬侧壁墙，通过该铬侧壁墙抑制极紫外光刻中的曝光阴影和衍射效应，起到比传统的衰减型移相掩模更为有效的分辨率增强功能。
一种制作用于紫外光刻铬侧墙衰减型移相掩模方法

[发明专利]曝光方法和网目调型移相掩模-CN200810181238.3无效
发明人：谷口幸夫 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2006-04-05 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明提供对曝光对象面进行曝光用的方法和在该方法中被使用的网目调型移相掩模。网目调型移相掩模具有容许从光源发射的光通过的基准区域和容许上述光的一部分通过的振幅相位调制区域。网目调型移相掩模的振幅相位调制区域对于基准区域的相位调制量是{360°×n+(182°～203°)}(n是整数)。
曝光方法网目调型移相掩模

[发明专利]曝光方法和网目调型移相掩模-CN200610073208.1无效
发明人：谷口幸夫 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2006-04-05 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：提供对曝光对象面进行曝光用的方法和在该方法中被使用的网目调型移相掩模。网目调型移相掩模具有容许从光源发射的光通过的基准区域和容许上述光的一部分通过的振幅相位调制区域。网目调型移相掩模的振幅相位调制区域对于基准区域的相位调制量是{360°×n+(182°～203°)}(n是整数)。
曝光方法网目调型移相掩模

[发明专利]移相掩模-CN200610144785.5无效
发明人：谷口幸夫;松村正清;木村嘉伸 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2003-03-19 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种光线用的移相掩模，其中，掩模图形具有至少由不少于3条的移相线构成的交点，以该交点为中心的圆形区域的复数透射率的积分值大致为0。
移相掩模

[发明专利]一种电容器孔和DRAM的制造方法-CN202011254333.9在审
发明人：姜东勋;李俊杰;周娜 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：该方法包括：在半导体衬底上方顺序形成待刻蚀层、第一硬掩模层、第一转移图案层和第一光刻胶图案；将第一光刻胶图案转移至第一转移图案层；沉积第一侧墙材料层并刻蚀为第一侧墙图案；将第一侧墙图案转移至第一硬掩模层；去除第一侧墙图案的凸起并在第一硬掩模层图案上方顺序形成第二硬掩模层、第二转移图案层和第二光刻胶图案；以类似方式形成第二硬掩模层图案；第一硬掩模图案和第二硬掩模图案反相为第三硬掩模图案；以第三掩模层图案为掩模
一种电容器 dram 制造方法

[发明专利]一种光刻工艺中移相掩模版的建模方法-CN200910053203.6有效
发明人：曾璇;蔡伟;宗可 -专利权人：复旦大学
申请日： 2009-06-17 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明属集成电路光刻领域，涉及一种并行化处理移相掩模建模的方法。本方法在掩模版的金属和石英的垂直交界处将其沿纵向剖分成N个垂直掩模结构，使相邻垂直掩模结构的介电常数在垂直方向分布不同。对特征垂直掩模结构用基于非连续伽勒金的谱元方法计算其电场的特征函数和特征值，并用它们作为基函数表征任意垂直掩模结构的电场分量；在水平方向，用施瓦茨迭代求解N个垂直掩模结构的电场方程及边界条件，在每次迭代中，N个垂直掩模结构的电场计算任务分配到多个计算节点并行完成，每个垂直掩模结构的左右边界条件采用相邻垂直掩模结构在上一步迭代的解。本方法具有精度高和并行计算的特性，能处理实际大规模任意结构移相掩模版的建模。
一种光刻工艺中移相掩模版建模方法

[发明专利]光掩模坯料、光掩模及光掩模的制造方法-CN201880021110.2有效
发明人：坂本好史;小岛洋介;长友达也 -专利权人：凸版光掩模有限公司
申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种具有良好的晶圆转印特性和耐照射性的光掩模坯料和光掩模。光掩模坯料(200)是为了制作曝光波长193nm的光掩模所使用的光掩模坯料(200)，所述光掩模坯料(200)具备：透光性基板(103)；形成在该透光性基板(103)上且带来相移效应的相移膜(102)，相移膜(102)是通过层叠使用了氮化硅系材料的第1相移膜(102b)、和使用了氮氧化硅系材料的第2相移膜(102a)而构成的，所述第1相移膜(102b)的折射率n1为2.5以上2.75以下，衰减系数k1为0.2以上0.4以下，所述第2相移膜(102a)的折射率n2为1.55以上2.20
光掩模坯料制造方法

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