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[发明专利]飞机工程更改过程中的供应商变更通知系统-CN202210368822.X在审
发明人：张馨元;孙洪洋;左伟;袁小森;赵浩志;贺璐 -专利权人：中国商用飞机有限责任公司;中国商用飞机有限责任公司上海飞机设计研究院
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G06Q10/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种飞机工程更改过程中的供应商变更通知系统，包括：供应商更改通知创建模块，其配置成创建供应商变更通知单并将其指派至相应的客户；供应商更改通知影响评估模块，其配置成基于各种影响因素来评估变更；以及供应商更改通知客户反馈模块，其配置成提供客户可编辑页面以反馈客户对变更的意见，其中供应商更改通知创建模块被进一步配置成：对变更进行初步分类；以及如果初步分类指示变更是客户授权的可由供应商自行决策的变更，则直接创建供应商变更通知单，否则基于供应商更改通知影响评估模块的评估结果来创建供应商变更通知单。通过本发明，提高了变更由供应商传递至客户的准确性、完整性及效率。
飞机工程更改过程中的供应商变更通知系统

[发明专利]一种竹节状SiC纳米线及其制备方法-CN201910024987.3有效
发明人：李斌斌;毛帮笑;黄海泉;王兴邦;袁小森 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C01B32/977 文献下载
摘要：本发明公开了一种竹节状SiC纳米线及其制备方法，其特征在于，所述的竹节状SiC纳米线具有周期性的波动直径，由两个交替的结构单元组成，一个是典型的正常尺寸直茎段、直径为80‑100nm，另一个是突出的结点段、直径为130‑160nm；将聚碳硅烷(PCS)、活性炭与二茂铁的混合粉末分别放置于双温区管式炉的前后温区主温区，将基体放置于后温区原料的后面，双温区分别以7‑9℃/min、10℃/min升至900‑1100℃、1250℃，保温2‑3h后随炉冷却至室温，即可得到竹节状SiC纳米线。本发明提供的制备工艺简单可行，所得的竹节状SiC纳米线纯度高、具有可调控的竹节形貌，解决了现有竹节状SiC纳米线制备工艺复杂、生长温度高、纯度低等问题。
一种竹节 sic 纳米及其制备方法

[发明专利]超长碳化硅纳米线棉毡及其制备方法-CN201711170009.7有效
发明人：李斌斌;袁小森;廖家豪;陈照峰;饶志远;黄海泉;毛帮笑 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： C01B32/977 文献下载
摘要：本发明公开了一种超长碳化硅纳米线棉毡及其制备方法，将聚碳硅烷溶解于正庚烷中，再加入活性炭颗粒并通过超声使其分散在溶液中，然后放入烘箱进行干燥，干燥后取出研磨成粉末；将三聚氰胺泡沫置于管式炉，通入氩气，在氩气保护升温反应得到碳泡棉，将所得碳泡棉浸渍于硝酸镍溶液中，取出后放入烘箱中干燥备用；得到的粉末置于坩埚中，将得到碳泡棉放置于坩埚上部，然后将坩埚放入管式炉种，通入氩气升温反应，然后随炉冷却后通入氧气，然后保温之后随炉冷却至室温即得到超长碳化硅纳米线棉毡。本发明通过一步法得到三维方向上的大尺寸的超长碳化硅纳米线自交联组成的棉毡，方法简单，得到的碳化硅纳米线棉毡纯度高，结构致密，结合力好。
超长碳化硅纳米线棉毡及其制备方法

[发明专利]一种表面改性SiC增强铝基复合材料及其制备方法-CN201910024989.2在审
发明人：李斌斌;毛帮笑;王兴邦;黄海泉;袁小森 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C22C1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面改性SiC增强铝基复合材料及其制备方法，其特征在于，所述的表面改性SiC增强铝基复合材料以金属铝为基体，以表面改性的SiC多孔陶瓷为增强体；首先通过CVI法在碳泡沫基体上沉积SiC、氧化法除去碳泡沫骨架得到SiC多孔陶瓷胚体、通过PIP法进一步得到SiC多孔陶瓷，然后通过激光烧结在SiC多孔陶瓷外层制备得到多孔SiC晶须，最后通过高压浸渗制备SiC增强铝基复合材料。本发明提供了一种表面改性SiC增强铝基复合材料，其组织分布均匀、成型性好，表面改性既可保证复合材料的强度又提高了复合材料的耐磨性，本发明解决了传统碳化硅增强铝基复合材料的SiC在铝基体中分散不均匀、耐磨性较差等问题，可广泛应用于航空航天领域的承载结构件。
表面改性增强铝基复合材料多孔陶瓷制备耐磨性复合材料碳化硅增强铝基复合材料航空航天领域承载结构件碳泡沫骨架碳泡沫基体激光烧结外层制备多孔SiC 不均匀成型性金属铝铝基体氧化法增强体浸渗晶须胚体沉积应用保证

[发明专利]一种改性碳纤维增强聚醚醚酮树脂基复合材料及其制备方法-CN201910024988.8在审
发明人：李斌斌;王兴邦;毛帮笑;黄海泉;袁小森;吴琼 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： C08L61/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种改性碳纤维增强聚醚醚酮树脂基复合材料及其制备方法，其特征在于，由长有碳化硅纳米线的碳纤维和聚醚醚酮树脂复合而成，所述的改性碳纤维表面长有团簇状的碳化硅纳米线，不仅可以增加碳纤维的力学性能，还可以增加碳纤维的比表面积，有利于碳纤维与聚醚醚酮树脂的结合；其中碳化硅纳米线体积分数5～6％，聚醚醚酮树脂体积分数为24～27％，所述的改性碳纤维表面长有团簇状的碳化硅纳米线。
碳化硅纳米线改性碳纤维碳纤维聚醚醚酮树脂树脂基复合材料增强聚醚醚酮体积分数团簇制备力学性能复合

[发明专利]一种原位生长石墨烯增强C_f/SiC复合材料及其制备方法-CN201810810633.7在审
发明人：李斌斌;毛帮笑;袁小森 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2018-07-14 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种原位生长石墨烯增强C_f/SiC复合材料及其制备方法，其特征在于，所述的原位生长石墨烯增强C_f/SiC复合材料由碳纤维预制件、PyC界面层、石墨烯、SiC基体组成；PyC界面层厚度为300‑500nm，石墨烯层数为3‑5层；通过等离子体增强CVD法在碳纤维预制体内原位生长石墨烯，然后通过CVI工艺对碳纤维预制件进行增密得到原位生长石墨烯增强C_f/SiC复合材料。本发明有效地解决了石墨烯较难在碳纤维预制件内均匀分散易团聚的问题，同时原位生长的石墨烯可显著提高C_f/SiC复合材料的力学性能。
石墨烯原位生长复合材料碳纤维预制件界面层制备等离子体增强CVD 力学性能石墨烯层体内原位碳纤维有效地预制团聚生长

[发明专利]一种碳化硅陶瓷基复合材料复杂构件近净尺寸成型方法-CN201810657130.0在审
发明人：李斌斌;袁小森;黄海泉;毛帮笑;汤浩;饶志远 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅陶瓷基复合材料复杂构件近净尺寸成型方法，将三聚氰胺泡沫高温热解为多孔碳泡沫，将碳泡沫通过加工为复杂构件模型，浸渍催化剂溶液，干燥后通过化学气相沉积在多孔碳泡沫模型中制备碳化硅纳米线，填充多孔碳泡沫孔洞，通过高温氧化去除碳泡沫模型基体，得到碳化硅纳米线构成的模型，通过化学气象浸渗(CVI)增密，得到近净尺寸碳化硅陶瓷基复合材料复杂构件；本发明具有的优点：1、碳化硅陶瓷基复合材料构件预制体通过原位生长碳化硅纳米线自组装一次成型，工艺简单，省去复杂的后续机加工程序；2、碳化硅陶瓷基复合材料构件由碳化硅纳米线和碳化硅陶瓷基体组成，致密度高，强度高，抗氧化。
碳化硅陶瓷碳化硅纳米线复杂构件复合材料多孔碳复合材料构件碳泡沫成型碳化硅陶瓷基体孔洞化学气相沉积三聚氰胺泡沫浸渍催化剂高温热解高温氧化化学气象模型基体泡沫模型一次成型原位生长机加工抗氧化预制体自组装浸渗去除填充制备加工

[发明专利]一种碳化硅纳米线预制体增强氧化铝气凝胶材料及其制备方法-CN201810086128.2在审
发明人：李斌斌;袁小森;高岩;王武强;龙雪媛;刘后宝 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2018-01-20 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： C04B30/02 文献下载
摘要：一种碳化硅纳米线预制体增强铝气凝胶材料其特征在于所述的碳化硅纳米线预制体增强铝气凝胶材料包括碳化硅纳米线预制体、氧化铝气凝胶，碳化硅纳米线通过原位生长，相互缠绕交联组成碳化硅纳米线预制体，氧化铝气凝胶均匀填充于碳化硅纳米线预制体的孔隙之中，密度为0.5‑1g/cm3，所述的碳化硅纳米线预制体中的纳米线平均直径为30‑100nm，平均长度为2‑10mm。采用常压CVD法制备碳化硅纳米线预制体，采用常压干燥法制备氧化铝气凝胶。本发明具有的优点：碳化硅纳米线预制体通过常压CVD法一次成型，纳米线之间形成良好空间网络结构，结合力强，分布均匀，氧化铝气凝胶填充于纳米级网络孔洞结构中，与纳米线在纳米尺寸结合，成型性好。制备工艺简单，易于实现。
碳化硅纳米线预制体氧化铝气凝胶纳米线气凝胶材料常压法制备氧化铝空间网络结构常压干燥均匀填充孔洞结构一次成型原位生长制备工艺成型性结合力纳米级气凝胶交联填充制备缠绕网络

[发明专利]一种碳化硅纳米线气凝胶及其制备方法-CN201810086069.9在审
发明人：李斌斌;袁小森;毛帮笑;黄海泉;饶志远;汤浩 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2018-01-20 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： C01B32/977 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅纳米线气凝胶及其制备方法，将碳化硅陶瓷先驱体研磨为粉末，放置于陶瓷坩埚中，将陶瓷坩埚放置于管式炉上游区；将多孔氧化铝生长基体放置于管式炉下游区；将管式炉抽真空，以15‑20℃/min的升温速率升温至1300‑1400℃，管式炉压强回复至常压后打开排气阀，保持常压，在1300‑1400℃保温5‑6h；随炉冷却至室温得到碳化硅纳米线气凝胶。本发明采用常压CVD法制备碳化硅纳米线气凝胶，碳化硅纳米线通过原位生长交联，得到在微观上具有纳米级空间网格结构、纳米级孔隙的具有宏观尺度的碳化硅纳米线气凝胶。碳化硅纳米线气凝胶密度小，纯度高，透光率高，制备工艺简单。推动了碳化硅纳米线在光催化、发光、过滤等领域的应用。
碳化硅纳米线气凝胶管式炉常压陶瓷坩埚制备碳化硅陶瓷先驱体空间网格结构多孔氧化铝纳米级孔隙压强宏观尺度随炉冷却原位生长制备工艺研磨抽真空光催化纳米级排气阀上游区透光率下游区交联保温发光过滤回复微观生长应用

[发明专利]一种SiC纳米线增强SiC陶瓷基复合材料及其制备方法-CN201810086126.3在审
发明人：李斌斌;袁小森;黄海泉;毛帮笑;汤浩;饶志远 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2018-01-20 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC纳米线增强SiC陶瓷基复合材料及其制备方法，属于SiC陶瓷基复合材料领域，制备的SiC纳米线增强SiC陶瓷基复合材料具有强度高，韧性好，密度小，耐高温等优点。该复合材料包括超长SiC纳米线和SiC陶瓷基体，所述超长SiC纳米线通过原位自交联生长组成SiC陶瓷基复合材料预制件，所述的SiC纳米线预制件中的超长SiC纳米线相互缠绕，交联成空间网状结构，所述的SiC陶瓷基体填充于超长SiC纳米线的孔隙中；制备方法包括SiC纳米线预制件的制备、化学气相浸渗、先驱体浸渍裂解，该制备方法可以制备复杂构件，制备方法工艺简单，设备要求低，成本低，环保。
制备陶瓷基复合材料预制件陶瓷基体先驱体浸渍裂解空间网状结构制备方法工艺复杂构件设备要求复合材料耐高温自交联浸渗填充缠绕生长环保

[发明专利]一种补强连续纤维增强陶瓷基复合材料表面的方法-CN201810086127.8在审
发明人：李斌斌;袁小森;廖家豪;汤浩;黄海泉;毛帮笑 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2018-01-20 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本发明涉及一种连续纤维增强陶瓷基复合材料表面补强的方法，在连续纤维增强陶瓷基复合材料的制备过程中由于纤维束本身有一定的直径，在编织过程中都会有凹凸不平的波浪式表面，预制体经PIP或CVI工艺进行陶瓷基体复合增密后，依然会保留波浪形表面，这对复合材料的后续加工、强度、耐磨、耐高温、抗氧化等性能都有很大影响。本发明通过在复合材料表面生长一层茂密均匀的碳化硅纳米线层，之后采用PIP工艺对碳化硅纳米线层进行碳化硅陶瓷增密，补强处理，大大提高复合材料表面的平整度，强度及抗氧化性。碳化硅纳米线层的纳米线平均直径为20‑80nm，平均长度为1‑2mm，经PIP复合碳化硅陶瓷增强后，纳米线补强涂层厚度为1‑2mm，有效填补复合材料表面凹凸层。
陶瓷基复合材料复合材料表面碳化硅纳米线连续纤维补强纳米线波浪形表面复合碳化硅碳化硅陶瓷凹凸不平补强处理后续加工抗氧化性陶瓷基体陶瓷增强制备过程复合材料凹凸层波浪式大影响抗氧化耐高温平整度纤维束预制体耐磨编织复合填补生长保留

[发明专利]一种空心微珠增强聚醚醚酮耐磨复合材料及其制备方法-CN201810020929.9在审
发明人：苏新清;陶杰;杨文光;刘后宝;孙泽亚;游超群;邱良生;袁小森 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2018-01-09 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： C08L61/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种空心微珠增强聚醚醚酮耐磨复合材料及其制备方法，所述复合材料是主要由以下重量份比例的原料制成：65‑95重量份的PEEK和5‑20重量份的空心微珠。所述的制备方法包括以下步骤：(1)采用硅烷偶联剂活化处理空心微珠；(2)干燥PEEK和活化后的空心微珠；(3)按重量比称取烘干后的材料混料；(4)将混合后的材料热压成型，冷却脱模，保温进行退火处理，得到复合材料。本发明通过添加空心微珠能很好的提高PEEK复合材料的耐磨性和热稳定性。
空心微珠复合材料重量份制备耐磨复合材料增强聚醚醚酮硅烷偶联剂材料热压活化处理冷却脱模热稳定性退火处理耐磨性重量比称取烘干混料活化保温成型

[发明专利]一种碳化硅纳米线增强铝基复合材料及其制备方法-CN201810086070.1在审
发明人：李斌斌;袁小森;黄海泉;毛帮笑;汤浩;饶志远 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2018-01-20 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： C22C49/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅纳米线预制体增强铝基复合材料及其制备方法，涉及铝基复合材料及其制备方法。本发明拟解决现有碳化硅纳米线增强铝基复合材料的制备存在工序复杂，碳化硅纳米线加入分布不均匀，发生团聚的问题。碳化硅纳米线增强铝基复合材料由碳化硅纳米线预制体和铝金属组成。通过常压CVD法在碳泡棉基体上原位生长碳化硅纳米线，通过高温氧化去除碳泡棉基体得到碳化硅纳米线预制体。通过高压浸渍法将铝液填充碳化硅纳米线预制体，冷却得到碳化硅纳米线增强铝基复合材料。本方法采用CVD原位生长碳化硅纳米线预制体，预制体中碳化硅纳米线通过原位生长自交联，结合力好，纳米线分布均匀，密度易于控制，不需压制成型。
碳化硅纳米线预制体增强铝基复合材料制备原位生长泡棉铝基复合材料高温氧化高压浸渍不均匀结合力铝金属纳米线自交联常压铝液去除填充冷却团聚

[发明专利]一种SiC纳米线增强SiC陶瓷基复合材料及其制备方法-CN201711330587.2在审
发明人：李斌斌;袁小森;廖家豪;陈照峰;饶志远 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC纳米线增强SiC陶瓷基复合材料及其制备方法，属于陶瓷基复合材料领域，制备的SiC纳米线增强SiC陶瓷基复合材料具有强度高，韧性好，密度小，耐高温等优点。该复合材料包括超长SiC纳米线和SiC陶瓷基体，所述超长SiC纳米线通过原位自交联生长组成SiC陶瓷基复合材料预制件，所述的SiC纳米线预制件中的超长SiC纳米线相互缠绕，交联成空间网状结构，所述的SiC陶瓷基体填充于超长SiC纳米线的孔隙中；制备方法包括SiC纳米线预制件的制备、化学气相浸渗、先驱体浸渍裂解，该制备方法可以制备复杂构件，制备方法工艺简单，设备要求低，成本低，环保。
制备陶瓷基复合材料预制件陶瓷基体先驱体浸渍裂解空间网状结构制备方法工艺复杂构件设备要求复合材料耐高温自交联浸渗填充缠绕生长环保

[发明专利]一种SiC泡沫及其制备方法-CN201711283318.5在审
发明人：李斌斌;袁小森;廖家豪;陈照峰;毛帮笑;黄海泉 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC泡沫及其制备方法。将去灰分的活性炭与SiC微粉、PCS粉末、催化剂混合研磨，溶解于溶剂中，制备浆料；将浆料烘干后研磨均匀放置于模具中，制备SiC泡沫胚体；将胚体放入真空管式炉中在惰性气体保护下升温至1400‑1500 ℃，保温4‑5 h，随炉冷却至500 ℃‑600 ℃；通入氧气，氧化去除活性炭，冷却至室温得到SiC纳米线和SiC微粉组成的SiC泡沫。本发明通过在纳米级SiC微粉之间原位生长SiC纳米线，SiC纳米线将SiC微粉缠绕，串联一起，形成了SiC泡沫，提高了SiC泡沫的强度和孔隙率，推动了SiC纳米线及SiC泡沫的广泛应用前景。
微粉制备活性炭研磨胚体惰性气体保护催化剂混合真空管式炉均匀放置随炉冷却原位生长制备浆料孔隙率纳米级烘干溶剂放入浆料去除保温模具氧气缠绕串联冷却溶解应用

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