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[发明专利]单晶石墨烯/二维碲化亚铜异质结SERS衬底及其制备方法和应用-CN202111298896.2在审
发明人：陈珂;王红芹;黄明举;常凯莉 -专利权人：河南大学
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶石墨烯/二维碲化亚铜异质结SERS衬底及其制备方法，包括如下步骤：利用直流磁控溅射法在蓝宝石（0001）衬底上制备铜（111）薄膜；将制备的铜(111)薄膜用信封的方式进行包覆，利用化学气相沉积法制备得到单晶石墨烯/铜(111)薄膜；将制备的单晶石墨烯/铜(111)衬底放置于氯化铁溶液中进行刻蚀，使单晶石墨烯/铜(111)衬底粗糙化；将刻蚀后的单晶石墨烯/铜(111)衬底、碲源和分子筛分别置于高温管式炉的不同温区，将管式炉升温使挥发至衬底表面的碲源与石墨烯下面的铜(111)反应生长得到单晶石墨烯/二维碲化亚铜异质结。本发明制备方法可批量化、且无需转移，异质结SERS衬底显著增强被检测探针分子的信号并具有很高的重现性。
晶石二维碲化亚铜异质结 sers 衬底及其制备方法应用

[发明专利]一种碲-硫化亚铜异质结复合材料及其制备方法和用途-CN201811242978.3有效
发明人：王舜;刘爱丽;霍锐;金辉乐;尹德武;胡雪珍 -专利权人：温州大学
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： A61K41/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种碲‑硫化亚铜异质结复合材料及其制备方法和用途，所述方法包括如下步骤：(1)：将铜化合物与二甲基二硫代氨基甲酸钠加入无水乙醇中，充分搅拌，抽滤烘干得到硫铜源前驱体；硫碲源前驱体购买所得；(2)：将含硫铋源前驱体和硫铜源前驱体加入到有机溶剂中，充分搅拌，混合均匀，得到前驱反应液；(3)：将所述前驱反应液进行两段式微波加热恒温反应，得到前面所述结构的碲‑硫化亚铜异质结复合材料。所述制备方法通过特定的工艺步骤与工艺参数的选择，从而得到了具有优良的光热性能和光热效应的碲‑硫化亚铜异质结复合材料，可将其用于CT造影和光热治疗领域，具有良好的应用前景。
一种硫化亚铜异质结复合材料及其制备方法用途

[发明专利]一种碲化钨-硼化钨异质结电催化剂及其制备方法和应用-CN202010412866.9有效
发明人：范修军;刘辉;李思殿 -专利权人：山西大学
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本发明涉及一种碲化钨‑硼化钨异质结电催化剂及其制备方法和应用，目的是提供一种多孔的碲化钨和硼化钨异质结的多孔薄膜材料作为新型电催化剂，以便获得更强的水分解析氢电催化性能。技术方案是：一种碲化钨‑硼化钨异质结电催化剂，所述催化剂为以阳极氧化后的钨箔为模板和钨源，分别以碲粉为碲源，硼氧混化物粉末为固体硼源，先后通过两步化学气相沉积的方法制备而成的碲化钨与硼化钨两相异质结的纳米多孔薄膜本发明的碲化钨‑硼化钨异质结电催化剂具有优异的析氢电化学还原性能，其中异质结构使得碲化钨中电子向硼化钨转移，优化了碲化钨和硼化钨界面的局域电子结构，改善了其对氢的吸附能，使得其催化活性增强、析氢性能高度稳定等
一种碲化钨硼化钨异质结电催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种功能化修饰的硫化铜/氧化亚铜异质结纳米复合材料及其制备方法和应用-CN202310614251.8在审
发明人：郭玉明;高卫华;常毅;张洁;丁丽娜;高方莉;刘新贺 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： A61K41/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种功能化修饰的硫化铜/氧化亚铜异质结纳米复合材料及其制备方法和应用，其中硫化铜/氧化亚铜异质结纳米复合材料兼具药物载体、光热、化学动力和光催化治疗的特性，本发明还具体公开了该硫化铜/氧化亚铜异质结纳米材料的制备方法本发明设计用藤黄酸和透明质酸对硫化铜/氧化亚铜异质结纳米复合材料进行功能化修饰，从而得到具有靶向、生物相容性较好及性能稳定的硫化铜/氧化亚铜异质结纳米复合材料载药体系，并初步探讨了它在抗肿瘤协同治疗领域的潜在应用价值
一种功能修饰硫化铜氧化亚铜异质结纳米复合材料及其制备方法应用

[发明专利]基于二维二硒化铂纳米薄膜与碲化镉晶体的异质结型近红外光电探测器及其制备方法-CN201811336880.4在审
发明人：吴翟;郭佳文;王媛鸽;贾诚;吴恩平;史志锋;李新建 -专利权人：郑州大学
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了基于二维二硒化铂纳米薄膜与碲化镉晶体的异质结型近红外光电探测器及其制备方法，是在碲化镉晶体表面平铺有二维二硒化铂纳米薄膜，在二维二硒化铂纳米薄膜和碲化镉晶体上分别设置有与其呈欧姆接触的金属电极，碲化镉与二硒化铂形成异质结、两金属电极作为两输出级，即构筑成为异质结型近红外光电探测器。本发明的异质结型近红外光电探测器，制备工艺简单，在室温下实现了宽响应波段、高响应度、高探测率和快响应速度，为高性能红外探测器的设计提供了一种途径。
碲化镉近红外光电探测器硒化纳米薄膜异质结型二维金属电极晶体的制备红外探测器晶体表面欧姆接触制备工艺高响应快响应输出级探测率异质结波段平铺构筑响应

[发明专利]碲化锡薄膜/锗异质结宽谱光电探测器及其制备方法-CN202210447367.2有效
发明人：唐利斌;宋立媛;郝群;周艳;王微;杨春丽;冯江敏;袁绶章;邓功荣;王善力 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：基于碲化锡薄膜/锗异质结宽谱光电探测器及其制备方法，涉及可见至近红外波段的宽光谱光电探测领域，尤其涉及一种基于新型二维半导体材料的高探测率、高响应率的光电探测器及其制备方法。本发明方法采用二维半导体材料碲化锡薄膜为构建异质结的p‑型材料，基底采用锗衬底。采用“一步式”直流溅射法在清洗、预掩膜后的锗基底上，直接溅射碲化锡薄膜以制备碲化锡薄膜/锗异质结。与现有制备技术相比，本发明制备方法简单高效、低成本，低功耗，实现了可见至近红外波段（400‑1050 nm）的室温工作的碲化锡薄膜/锗异质结宽谱光电探测器的制备。
碲化锡薄膜锗异质结宽谱光电探测器及其制备方法

[发明专利]基于N型硅片的碲化镉半导体薄膜异质结太阳电池-CN201110123811.7有效
发明人：吴坚;王栩生;章灵军 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司
申请日： 2011-05-13 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于N型硅片的碲化镉半导体薄膜异质结太阳电池，包括依次叠层结合的受光面电极、透明导电层、P型碲化镉半导体薄膜、N型晶体硅、N+背表面场和背金属电极，形成PNN+的异质结结构。本发明采用P型碲化镉半导体薄膜与N型晶体硅形成异质PN结，得到的太阳电池具有更高的开路电压和填充因子，其光电转化效率在21%左右。
基于硅片碲化镉半导体薄膜异质结太阳电池

[发明专利]一种碲修饰的碲化镍/硒化镍异质结析氢催化剂及其制备方法与应用-CN202111419739.2有效
发明人：彭祥;徐宝钗;谢松 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明提供了一种碲修饰的碲化镍/硒化镍异质结析氢催化剂及其制备方法与应用，制备方法包括步骤：将镍盐配制成镍盐溶液，将预处理后的碳布置入镍盐溶液中，并滴加碱性溶液，静置反应后得到氢氧化镍层状纳米片基底；将含硒化合物、还原剂A配置成水热溶液A，将氢氧化镍层状纳米片基底置于水热溶液A中，经第一次水热反应后得到硒化镍基底；将碲盐、还原剂B配制成水热溶液B，将硒化镍基底置入水热溶液B内，经第二次水热反应后得到碲修饰的碲化镍/硒化镍异质结析氢催化剂。本发明制备的碲修饰的碲化镍/硒化镍异质结析氢催化剂为二维层状结构，结构稳定，能降低电解水的过电势，有效的提升电解水的催化效率。
一种修饰碲化镍硒化镍异质结析氢催化剂及其制备方法应用

[发明专利]基于二硒化铼与二碲化钼异质结的光电探测器及其制备方法-CN202210310996.0在审
发明人：肖静;高志刚;王聪;朱文标;林志滔 -专利权人：泰山学院;深圳瀚光科技有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二硒化铼与二碲化钼异质结的光电探测器及其制备方法，其中光电探测器包括SiO2/Si基底、二硒化铼纳米片、二碲化钼纳米片和金属电极，二硒化铼纳米片和二碲化钼纳米片设于SiO2/Si基底的表面，二硒化铼纳米片的表面与二碲化钼纳米片的表面部分重叠，以构成二硒化铼与二碲化钼异质结，在异质结受光照时产生光电流，从而实现光探测，符合type‑Ⅱ型交错能带排列，能够实现层间跃迁激发，有效地解决单一的二硒化铼光电探测器光吸收范围受限的问题，从而提高光电探测器的光电性能，能够实现对可见光到短波红外区域的宽光谱光电探测，光响应范围更高。
基于二硒化铼二碲化钼异质结光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种氧化亚铜-磷化亚铜异质结的制备方法-CN202210529947.6在审
发明人：陈蔓汝;彭雪;郭欣;吕燕飞;席俊华;赵士超 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化亚铜‑磷化亚铜异质结的制备方法，本发明先生成磷化亚铜薄膜，之后，在磷化亚铜表面沉积氧化锌薄膜，然后进行热处理，获得p型氧化亚铜。其次，采用模板法在磷化亚铜表面通过磁控溅射沉积氧化锌薄膜，氧化锌薄膜呈叉指形图案，热处理后，表面沉积有氧化锌的部分转变成p型氧化亚铜，形成p型氧化亚铜与p型磷化亚铜的面内异质结。通过热蒸发法在氧化亚铜和磷化亚铜区沉积金电极，制备成异质结器件。本发明制备的由p型氧化亚铜和p型磷化亚铜形成的异质结，成本低，重复性好，忆阻性能好。
一种氧化亚铜磷化亚铜异质结制备方法

[发明专利]基于二维二硫化钼纳米薄膜与碲化镉晶体的II型异质结近红外光电探测器及其制备方法-CN201811336892.7在审
发明人：吴翟;赵智慧;王媛鸽;贾诚;吴恩平;史志锋;李新建 -专利权人：郑州大学
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了基于二维二硫化钼纳米薄膜与碲化镉晶体的II型异质结近红外光电探测器及其制备方法，是在碲化镉晶体表面平铺有二维二硫化钼纳米薄膜，在二维二硫化钼纳米薄膜和碲化镉晶体上分别设置有与其呈欧姆接触的金属电极，碲化镉与二硫化钼形成II型异质结、两金属电极作为两输出级，即构筑成为异质结型近红外光电探测器。
二硫化钼碲化镉近红外光电探测器纳米薄膜二维异质结金属电极晶体的制备红外探测器晶体表面欧姆接触异质结型制备工艺高响应快响应宽波段输出级探测率平铺构筑

[发明专利]一种基于异质结的自驱动宽光谱光电探测器及制备方法-CN202310204844.7在审
发明人：姜天才;陶金;肖希 -专利权人：武汉邮电科学研究院有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本申请涉及一种基于异质结的自驱动宽光谱光电探测器及制备方法，衬底上形成有波导；异质结包括碲化锑薄膜和石墨烯薄膜，碲化锑薄膜设于波导上，石墨烯薄膜设于碲化锑薄膜上；电极设于异质结上。本申请集成了波导与碲化锑薄膜Sb2Te3/石墨烯薄膜Graphene异质结，石墨烯的高载流子迁移率保证了载流子的快速抽出光源是沿着波导传播的，整个波导都有光传输，扩大了有源区面积，有源区就能产生更多的光生载流子，光生载流子的收集路径与光沿波导传输的方向相垂直，这就可以通过增加碲化锑薄膜Sb2
一种基于异质结驱动光谱光电探测器制备方法

[发明专利]一种大尺寸石墨烯/二维碲化物异质结红外光电探测器的制备方法-CN201910561872.8有效
发明人：杨志远;赵莉莉;张飒飒;赵显;左致远;李志强;程秀凤 -专利权人：山东大学
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明涉及一种大尺寸石墨烯/二维碲化物异质结红外光电探测器的制备方法，该方法在半导体衬底上镀复合金属，然后合金化，通入碳源气体，通过复合金属薄膜的金属通道引入外部碳源生长石墨烯，制备出大尺寸高品质石墨烯，再利用CVD法制备出较大面积的碲化物，形成范德瓦耳斯异质结；通过微电子器件工艺制作碲化物基背栅场效应晶体管，然后器件经过退火处理得到大尺寸石墨烯/二维碲化物异质结红外光电探测器。本发明的制备方法可以避免传统CVD方法转移过程中对二维材料的破坏，能够得到质量更好的范德瓦耳斯异质结，从而使得近红外光电探测器质量更好、更稳定，并且得到的器件具有显著的光响应，具有较高的比探测率、响应率以及快的探测速度
一种尺寸石墨二维碲化物异质结红外光电探测器制备方法

[发明专利]大面积制备金属相与半导体相接触的二维碲化钼面内异质结的方法及应用-CN201811558523.2有效
发明人：徐晓龙;叶堉;戴伦 -专利权人：北京大学
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积制备金属相与半导体相接触的二维碲化钼面内异质结的方法及应用。该方法是先在衬底上生长二维钼薄膜，通过化学气相沉积法使之转变为半导体相碲化钼薄膜，再通过光刻和刻蚀图形化半导体相碲化钼薄膜，然后生长钼薄膜，剥离得到金属钼和半导体相碲化钼相间的薄膜，进一步通过化学气相沉积法使金属钼薄膜转变为金属相碲化钼薄膜，从而得到金属相与半导体相接触的二维碲化钼面内异质结。通过该方法制备的金属相与半导体相接触的二维碲化钼面内异质结场效应晶体管阵列具有低的接触电阻，提高了载流子的注入效率，提高了器件的电学性能。
大面积制备金属相与半导体相接二维碲化钼面内异质结方法应用

[发明专利]一种基于碲-二硫化钼异质结光电人工突触及其制备方法-CN202310831931.5在审
发明人：黄文;黄俊彦;汤俊;王毅;王世财;于梦雅;何宇豪;龚天巡;张晓升 -专利权人：电子科技大学;成都燎原星光电子有限责任公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于碲‑二硫化钼异质结光电人工突触及其制备方法，包括两端电极和二维材料异质结层以及基底，所述两端电极为镍金电极，所述二维材料异质结层材料包括二硫化钼纳米片和二维碲纳米片，所述基底为有一层二氧化硅的硅基底，光电人工突触的制备方法，包括以下步骤：提供亚碲酸钠、PVP粉末、一水合肼、氨水为原材料，以一定配比溶解于去离子水中，通过水热法得到碲纳米片，将所述碲纳米片分散在溶剂中形成碲纳米片分散液，将所述碲纳米片滴铸在基底上；提供二硫化钼原料，使用机械剥离法得到二硫化钼纳米片，将所述二硫化钼纳米片转移到碲纳米片上得到异质结；在异质结两端溅射得到镍金电极，得到二维材料异质结光电突触。
一种基于二硫化钼异质结光电人工突触及其制备方法

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