|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 62个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]一种新式磁悬浮的桥梁伸缩装置-CN202310483586.0在审
-
刘杰;叶堉;郭彤;袁宇;王豪博;刘中祥;张敏特;丁炜
-
南京林业大学
-
2023-04-28
-
2023-09-29
-
E01D19/06
- 本发明公开了一种新式磁悬浮的桥梁伸缩装置，包括钢横梁、钢主梁、混凝土引桥、电磁铁S极、电磁铁N极、气隙控制器、转轴。其中钢主梁与引桥段进行直接连接，钢主梁两侧和下部均设有电磁铁S极，且电磁铁S极上设有气隙控制器，作用是为了控制主梁和横梁之间的间隙。横梁采用的是C字型梁，在横梁上，与主梁电磁铁侧相对位置处分别设有电磁铁S极和电磁铁N级，即水平方向设有与主梁电磁铁相同属性的S极电磁铁，竖直方向设有与主梁电磁铁相反属性的N极电磁铁。此外，C字型横梁有多组，均沿主梁方向同间距排列。且横梁之间均采用转轴进行连接，其目的是为了通过转向来调动各品横梁的间距，同时起到了缓冲作用。本发明针对桥梁伸缩缝容易病害的问题，提出了一种新式桥梁伸缩装置，采用磁悬浮原理，桥梁支座和主梁均设有电磁铁装置。该新型伸缩缝有效避免了部件之间的滑移接触，实现了无摩擦、将部件的损耗降到最低的新式伸缩装置，可广泛应于桥梁和房建。
- 一种新式磁悬浮桥梁伸缩装置
- [发明专利]一种二维半导体碲化钼薄膜的可控掺杂方法-CN202110768724.0在审
-
潘宇;徐晓龙;李艳平;叶堉
-
北京大学
-
2021-07-07
-
2023-01-13
-
H01L21/02
- 本发明公开了一种二维半导体碲化钼薄膜的可控掺杂方法。利用磁控溅射共蒸的方法在基底上沉积一层掺有杂质元素的Mo薄膜，将该掺杂Mo薄膜放入化学气相沉积设备中，通过控制温度和时间生长掺有杂质元素的大面积连续二维半导体碲化钼薄膜。该方法在薄膜沉积过程中可控、稳定地加入杂质元素，从而生长的掺杂半导体碲化钼薄膜可以稳定地调节掺杂浓度，得到具有不同电学特性二维半导体材料薄膜，解决了二维半导体材料应用于单片集成电路的关键问题。该方法还可以通过光刻和刻蚀图形化预沉积不同掺杂类型的Mo薄膜，之后“一步法”生长出提前设计好的图形化掺杂碲化钼薄膜，节省材料和时间成本，并兼容成熟的半导体工艺技术，有大规模应用的潜力。
- 一种二维半导体碲化钼薄膜可控掺杂方法
|
