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[发明专利]对浮动栅极耦合具有补偿的非易失性存储装置的读取操作-CN200780007206.5有效
发明人：尼玛·穆赫莱斯 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2007-02-27 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：由于基于相邻浮动栅极(或其它相邻电荷存储元件)中所存储的电荷的电场耦合，可能发生非易失性存储器单元的浮动栅极(或其它电荷存储元件)上所存储的表观电荷的移位。所述问题最显著发生于已在不同时间编程的若干组相邻存储器单元之间。为了解决此耦合，针对特定存储器单元的读取过程将向相邻存储器单元提供补偿，以便减小所述相邻存储器单元对所述特定存储器单元具有的耦合效应。为此，将读取电压施加至选定存储器单元的字线，将第二通过电压施加至与所述选定存储器单元相邻的存储器单元的字线，且将第一通过电压施加至其它字线。在读取所述选定存储器单元之前，读取所述相邻存储器单元的状态，且根据此状态，设定所述第二通过电压。
浮动栅极耦合具有补偿非易失性存储装置读取操作

[发明专利]数据存储装置及其操作方法-CN201610369756.2有效
发明人：李载允;李炯珉;田明云 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种数据存储装置，其包括：非易失性存储器装置，其包括目标存储器单元和与目标存储器单元共用位线的一个或多个调整存储器单元，一个或多个调整存储器单元是与目标存储器单元相邻的相邻存储器单元，且非易失性存储器装置适于从其读出数据或将数据存储在其中；以及控制器，其适于基于目标存储器单元和相邻存储器单元的阈值电压调整调整存储器单元的阈值电压。
数据存储装置及其操作方法

[发明专利]计算系统及其操作方法-CN202110672946.2在审
发明人：安南永;宋容卓 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：本公开涉及一种计算系统，包括：存储器装置，包括多个存储器单元；存储器控制器，被配置为控制存储器装置；以及主机，被配置为在执行与工作负载相对应的操作的同时检测存储器装置的第一存储器单元中发生的错误，并向存储器控制器传输与第一存储器单元相对应的目标地址以及对与第一存储器单元相邻的相邻存储器单元进行测试操作的请求存储器控制器基于目标地址通过使用内置自测试(BIST)引擎或清理引擎中的至少一个来控制存储器装置对相邻存储器单元执行测试操作，并且生成包括与发生错误的第二存储器单元相关联的信息的存储器错误信息，该第二存储器单元是相邻存储器单元中的一个主机基于存储器错误信息来控制对第二存储器单元的访问。
计算系统及其操作方法

[发明专利]深度学习人工神经网络中的模拟神经存储器单元的超精确调谐-CN202080097429.0在审
发明人： S·莱姆克;H·V·特兰;Y·卡其夫;L·施奈德;H·奥姆曼尼;T·乌;N·多;V·蒂瓦里 -专利权人：硅存储技术股份有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G11C11/54 文献下载
摘要：对神经存储器中的选定存储器单元进行超精确调谐。首先使用粗略编程和精细编程方法对选定存储器单元进行编程。然后，选定存储器单元通过相邻存储器单元的编程经历超精确编程。由于相邻存储器单元被编程，相邻存储器单元的浮栅与选定存储器单元的浮栅之间的电容耦合将导致选定存储器单元的浮栅的电压增加，但是比通过对选定存储器单元进行直接编程可以实现的增量小。以此方式，可以利用超精确刻度对选定存储器单元进行编程。
深度学习人工神经网络中的模拟神经存储器单元精确调谐

[发明专利]非易失性存储器装置及其操作方法以及存储装置-CN202010788417.4在审
发明人：崔容赫;柳载德;李康斌;沈相元;任琫淳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供了一种非易失性存储器装置、存储装置和非易失性存储器装置的操作方法。所述非易失性存储器装置的各个存储器块包括柱的第一部分的第一存储器单元和柱的第二部分的第二存储器单元。当在从存储器块选择的存储器块处基于连续地址执行编程操作时，非易失性存储器装置顺序地完成第一存储器单元和第二存储器单元当中不与第一部分和第二部分的边界相邻的非相邻存储器单元的第一编程操作，然后完成与边界相邻的相邻存储器单元的第二编程操作
非易失性存储器装置及其操作方法以及存储

[发明专利]在人工神经网络中的差分单元对中存储突触权重的模拟神经存储器阵列-CN202080097943.4在审
发明人： H·V·特兰;T·乌;S·特林;S·洪;A·李;V·蒂瓦里 -专利权人：硅存储技术股份有限公司
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：公开了模拟神经存储器阵列的许多实施方案。在一个实施方案中，一种模拟神经存储器系统包括非易失性存储器单元阵列，其中这些单元按行和列布置，这些列按物理上相邻的列对布置，其中在每个相邻对内，该相邻对中的一个列包括存储W+值的单元，并且该相邻对中的一个列包括存储W‑值的单元，其中该相邻对中的相邻单元存储根据公式W＝(W+)–(W‑)所得的差分权重W。在另一个实施方案中，一种模拟神经存储器系统包括存储W+值的非易失性存储器单元的第一阵列和存储W‑值的非易失性存储器单元的第二阵列。
人工神经网络中的单元存储突触权重模拟神经存储器阵列

[发明专利]存储器电路、存储器单元以及存储器单元的操作方法-CN202110339682.9在审
发明人：王屏薇;杨智铨;洪连嵘;张峰铭;徐国修;林建隆;张瑞文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：本公开涉及存储器电路、存储器单元以及存储器单元的操作方法。存储器电路包含多个存储器单元、第一位元线，第一位元线连接至该等存储器单元的第一列存储器单元、以及第二位元线，第二位元线连接至第一列存储器单元。第一列存储器单元与相邻的第二列存储器单元共用第一位元线。第一列存储器单元与第三列存储器单元共用第二位元线，第三列存储器单元与第一列存储器单元相邻且与第二列存储器单元对向。
存储器电路单元以及操作方法

[发明专利]编程不同大小的容限及在选择状态下使用补偿进行感测以改进非易失性存储器中的读取操作-CN201110112129.8有效
发明人：龟井辉彦 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2007-05-25 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明涉及编程不同大小的容限及在选择状态下使用补偿进行感测以改进非易失性存储器中的读取操作。非易失性存储器读取操作在存储器单元的表观阈值电压可能已移位时补偿浮动栅极耦合。可使用基于从相邻存储器单元读取的电荷电平的参考值来读取所关注的存储器单元。错读所述相邻单元可在特定编程方法中具有较大影响，且更具体来说，可在这些方法中读取相邻存储器单元的特定状态或特定电荷电平时具有较大影响。在一个实施例中，对存储器单元进行编程以在其中错读相邻存储器单元更有害的特定状态之间创建较宽容限。此外，在一个实施例中，当以某些参考电平读取时而非以其它参考电平读取时，通过基于相邻单元的状态补偿浮动栅极耦合来读取存储器单元。
编程不同大小容限选择状态使用补偿进行改进非易失性存储器中的读取操作

[发明专利]非易失性存储器装置及其操作方法-CN200910140194.4无效
发明人：李昌炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-07-10 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：公开了一种非易失性存储器装置及其操作方法。非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括第一存储器单元和相邻的第二存储器单元；以及数据输入/输出电路，其被配置成将第一存储器单元作为m比特单元操作并且将第二存储器单元作为n比特单元操作，其中m不等于存储器单元阵列可以包括与第一存储器单元相邻的第三存储器单元并且数据输入/输出电路可被进一步配置成将第三存储器单元作为k比特单元操作。数据输入/输出电路可被配置成响应于检测到对于第一存储器单元的擦除操作的数目满足预定准则而将第一存储器单元作为j比特单元操作，其中j小于n。
非易失性存储器装置及其操作方法

[发明专利]机动车辆电能存储器-CN201280008567.2有效
发明人： C·奥斯;K·罗沃尔德 -专利权人： F·波尔希名誉工学博士公司;大众汽车股份有限公司
申请日： 2012-03-12 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01M2/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种机动车辆电能存储器，该电能存储器具有多个电联接的存储器单元（11），其中每个存储器单元（11）具有电连接极（13，14），这些电连接极（13，14）与相邻存储器单元的电连接极（13，14）电联接，其中，这些存储器单元（11）的至少那些与相邻存储器单元（11）的连接极（13，14）电联接的电连接极（13，14）形成为夹钳状，并且其中，为了形成与相邻存储器单元（11）的电联接，将形成为导轨状或片状的导电联接件
机动车辆电能存储器

[发明专利]基于使用耦合感测邻近者来对非易失性存储器中的相邻存储元件之间的耦合进行补偿-CN200780027541.1有效
发明人：方玉品;李彦 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2007-07-18 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：非易失性存储器单元的浮动栅极(或其它电荷存储元件)上存储的表观电荷的偏移可能因基于相邻浮动栅极(或其它相邻电荷存储元件)中存储的电荷的电场耦合而发生。为了补偿此耦合，对给定存储器单元的读取或编程过程可考虑到相邻存储器单元的经编程状态。为了确定是否需要补偿，可执行一种过程，其包括感测关于相邻存储器单元(例如，在相邻位线或其它位置上)的经编程状态的信息。
基于使用耦合邻近非易失性存储器中的相邻存储元件之间进行补偿

[发明专利]具有在编程期间的耦合补偿的浮动栅极存储器-CN200780027451.2有效
发明人：李彦 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2007-07-18 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：非易失性存储器单元的浮动栅极(或其它电荷存储元件)上存储的表观电荷的偏移可能因基于相邻浮动栅极(或其它相邻电荷存储元件)中存储的电荷的电场耦合而发生。为了补偿此耦合，对给定存储器单元的读取或编程过程可考虑到相邻存储器单元的经编程状态。为了确定是否需要补偿，可执行一种过程，其包括感测关于相邻存储器单元(例如，在相邻位线或其它位置上)的经编程状态的信息。
具有编程期间耦合补偿浮动栅极存储器

[发明专利]相变存储器、存储器单元的隔离结构以及制造方法-CN200910195629.5有效
发明人：万旭东;吴关平;严博;张超;徐佳 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-09-11 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种相变存储器、存储器单元的隔离结构以及制造方法，其中相变存储器包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的字线；与字线连接的相变存储器单元；隔离沟槽，邻接并隔离所述字线；隔离晶体管，邻接并隔离同一字线上相邻相变存储器单元本发明使用常关的场效应晶体管作为相变存储器中同一字线上相邻存储器单元的单元隔离，并在场效应晶体管的栅极施加反向偏置电压，相比现有的双沟槽隔离结构，更有效地消除了相邻存储器单元之间的漏电流，且结构简单、工艺更易于实现
相变存储器单元隔离结构以及制造方法

[发明专利]具有外围结构上单元的非易失性存储器装置-CN202111199611.X在审
发明人：俞昌渊;郭判硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：具有外围上单元(COP)结构的非易失性存储器装置包括第一子存储器平面和在行方向上与第一子存储器平面相邻设置的第二子存储器平面。第一竖直接触区域设置在第一子存储器平面的单元区域中，第二竖直接触区域设置在第二子存储器平面的单元区域中。第一开销区域设置在第一子存储器平面的单元区域中，并且在行方向上与第二竖直接触区域相邻，第二开销区域设置在第二子存储器平面的单元区域中，并且在行方向上与第一竖直接触区域相邻。单元沟道结构设置在单元区域的主区域中。
具有外围结构单元非易失性存储器装置

[发明专利]用于NAND闪速存储装置的动态邻区和位线辅助校正-CN201910712318.5有效
发明人：内维·库马尔;哈曼·巴蒂亚;蔡宇;张帆 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：本发明提供一种存储系统。该存储系统包括以阵列布置的存储器单元；以及存储器控制器，联接至存储器单元以用于控制存储器单元的操作。存储器控制器被配置成响应于来自主机的读取命令执行读取操作，使用存储在存储器控制器中的现有LLR(对数似然比)值对来自读取操作的数据执行第一软解码，并且使用考虑来自相邻存储器单元的影响的来自相邻存储器单元的存储器控制器还被配置成使用更新后的LLR值执行第二软解码。如果第二软解码成功，则存储器控制器执行权重系数的递归更新以反映来自相邻存储器单元的更新后的影响，并且将更新后的权重系数存储在存储器控制器中以用于进一步解码。
用于 nand 存储装置动态辅助校正

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