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[发明专利]相变存储器结构、存储器器件及其形成方法、存储单元-CN201910119439.9有效
发明人：金海光;梁晋玮;林杏莲;江法伸 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明的实施例提供一种相变存储器器件，包含具有安置在相变元件与介电层之间的吸气剂金属层的相变存储器结构。相变存储器结构包含介电层、底部电极、通孔、相变元件以及吸气剂金属层。介电层安置在衬底上方。相变元件上覆于底部电极。吸气剂金属层安置在介电层与相变元件之间。
相变存储器结构器件及其形成方法存储单元

[发明专利]相变化存储器及其制造方法-CN200710142372.8无效
发明人：林永发;王德纯 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2007-08-22 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种相变化存储器及其制造方法。该相变化存储器包含相变化材料层，其中该相变化材料层具有凹陷部；以及加热源，其中该加热源具有延伸部，其中该加热源的延伸部楔入该相变化材料层的凹陷部。
相变存储器及其制造方法

[发明专利]一种相变存储器及其制造方法-CN202110413561.4在审
发明人：刘广宇;刘峻;杨海波;彭文林;匡睿;付志成 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种相变存储器及其制造方法，所述相变存储器包括：由下至上依次层叠设置的第一导电线、相变存储单元以及第二导电线；其中，所述第一导电线和所述第二导电线平行于同一平面且彼此垂直，所述相变存储单元与所述第一导电线和第二导电线均垂直；所述相变存储单元包括层叠设置的选通层和相变存储层；所述相变存储层包括多层相变材料层和位于所述相变材料层之间的导热材料层。
一种相变存储器及其制造方法

[发明专利]相变化存储器、其写入方法及其读取方法-CN201410208786.6有效
发明人：吴昭谊;李明修 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-05-16 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种相变化存储器、其写入方法及其读取方法。相变化存储器具有多个存储单元。写入方法包括以下步骤：施加至少一加压脉波以老化这些存储单元的至少其中之一；施加一起始脉波至相变化存储器的所有的存储单元，以降低各个存储单元的阻抗；施加一侦测脉波至相变化存储器的所有的存储单元，以侦测其中已老化的部份存储单元与未老化的部份存储单元；施加一设定脉波于已老化的部份存储单元；施加一复位脉波于未老化的部份存储单元。
相变存储器写入方法及其读取

[发明专利]三维相变存储器及其制造方法-CN202111252492.X在审
发明人：刘峻 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提供一种三维相变存储器及其制造方法，其使得每层相变存储单元及其所需的第一布线(即字线或位线)分开制作，且进一步利用牺牲层的替换和介质侧墙的限缩作用来制作底电极与第一触点电性接触的相变存储单元，能够使得相变存储单元的形状和尺寸不再完全依赖于字线和位线交叉点处的重叠情况，有利于实现更小的存储器尺寸和更高的存储密度，且能改善字线和位线引入的寄生效应，降低相变存储器的编程电流和电源要求。此外，还可以将用于将字线向外引出的接触插塞、将位线向外引出的接触插塞均布置在相变存储单元形成的阵列的外围，由此可以有利于相变存储器整体尺寸的进一步微缩以及存储密度的进一步提高。
三维相变存储器及其制造方法

[发明专利]相变存储器及其操作方法、存储器系统-CN202310682037.6在审
发明人：彭文林;刘峻;杨海波;刘广宇;付志成;周光乐 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种相变存储器及其操作方法、存储器系统，该相变存储器的操作方法包括：在执行初始化操作的第一阶段，向相变存储器的存储单元施加开启电压；开启电压大于存储单元的阈值电压；在第一阶段之后的第二阶段，向存储单元施加初始化操作电压和初始化操作电流；初始化操作电流大于存储单元的阈值电流，且小于存储单元的保持电流。
相变存储器及其操作方法系统

[发明专利]相变存储器及其制造方法-CN202010861713.2在审
发明人：李四华 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种相变存储器及其制造方法。所述相变存储器包括：衬底；第一电极与第二电极，在一垂直于所述衬底的纵向上设置于所述衬底上方；相变材料层，设置于所述第一电极与所述第二电极之间；第一间隔导热层，设置于所述相变材料层与所述第一电极之间；第一加热器本发明提供的一种相变存储器及其制造方法，解决了传统的相变存储器加热效率以及热传导效率低的问题，进而实现更快的写入操作速度。
相变存储器及其制造方法

[发明专利]一种三维相变存储器及其制备方法-CN202210706282.1在审
发明人：徐明;辜融川;麦贤良;王欢;缪向水 -专利权人：华中科技大学;湖北江城实验室
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种三维相变存储器及其制备方法，包括多个相变存储器单元；相变存储器单元由下到上依次包括：底电极层、选通材料层、缓冲层、存储材料层以及顶电极层；选通材料层和存储材料层为同质材料，均为X元素和Te元素的化合物；其中，X元素为In、Ge、Ga、As、Sn及Sb中的一种；选通材料的化学通式为XnTe100‑n，5≤n≤25；存储材料的化学通式为XmTe100‑m，30≤m≤60；将多个相变存储器单元在三维方向上进行堆叠，得到三维相变存储器。本发明同质集成三维相变存储单元中的选通材料和存储材料为同一种体系的不同组分，简化了工艺，实现了工艺的完美兼容，且这种三维同质集成结构能极大地提高存储密度，降低漏电流。
一种三维相变存储器及其制备方法

[发明专利]一种三维相变存储器及其控制方法-CN202011259559.8有效
发明人：刘峻;鞠韶复 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种三维相变存储器及其控制方法，三维相变存储器包括：多个彼此独立的相变存储阵列；每个所述相变存储阵列上设置有彼此电连接的相变存储单元、第一熔断电路和存储电路；其中，所述第一熔断电路包括彼此电连接的第一晶体管熔断器和第一控制电路；所述第一晶体管熔断器为其对应相变存储阵列的独享熔断器，其存储有用于控制其对应相变存储阵列中相变存储单元所需的熔断数据；所述第一控制电路用于传送所述熔断数据；所述存储电路用于根据所述第一控制电路传送的所述熔断数据对其对应相变存储阵列中相变存储单元进行控制
一种三维相变存储器及其控制方法

[发明专利]具有两个相变存储器的电子芯片-CN202110343158.9在审
发明人： R·贝特隆;F·亚瑙德 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及具有两个相变存储器的电子芯片。电子芯片包括：第一基本单元的第一阵列和第二基本单元的第二阵列，第一基本单元和第二基本单元形成两种类型的相变存储器，相变存储器具有由相变材料的体积形成的存储元件，该相变材料的体积取决于所存储的位而具有晶态或非晶态每个第一基本单元包括第一相变材料的体积，并且每个第二基本单元包括与第一材料不同的第二相变材料的体积。每个基本单元包括加热连接器，加热连接器被配置用于加热电流的通道，该加热电流适于引起基本单元的相变材料的体积的相变。
具有两个相变存储器电子芯片

[发明专利]一种基于相变存储器的映射管理方法及固态硬盘-CN201810209188.9有效
发明人：张星;李建 -专利权人：深圳忆联信息系统有限公司
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： G06F12/1009 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于相变存储器的映射管理方法及固态硬盘,其特征在于采用两级映射表管理,具体包括一级表和二级表,所述二级表存储在相变存储器PCM中，所述二级表记录所有用户数据页逻辑地址到物理地址的关系,所述二级表按颗粒度G分割为多个二级表子单元,硬盘控制器的缓存以二级表子单元为基本单元进行数据置换。通过引入相变存储器用于存储映射表，相变存储器的读写时间远低于NAND，本专利通过在NODRAM固态硬盘中引入相变存储器替代NAND用于完整映射表的保存，降低片上SRAM中映射表cache置换映射表信息的时间
一种基于相变存储器映射管理方法固态硬盘

[发明专利]相变材料、相变存储器、及制备方法-CN202210558687.5在审
发明人：杨红心;周凌珺;刘峻 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种相变材料、相变存储器、及制备方法。所述相变材料应用于相变存储器；所述相变材料包括：第一元素和第二元素；其中，所述相变材料应用于制造相变存储器的过程中所述第一元素的损耗大于所述第二元素；所述相变材料中的第一元素的组分大于预设组分；其中，所述第一元素大于所述预设组分的部分用于补充损耗的所述第一元素
相变材料存储器制备方法

[发明专利]多位相变化存储器阵列及多位相变化存储器-CN200710143770.1有效
发明人：黄振明 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2007-08-02 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种多位相变化存储器阵列，该多位相变化存储器阵列包括多个多位相变化存储器，每一多位相变化存储器包括第一位线与第二位线、第一相变化材料层、第二相变化材料层以及开关元件，该第一相变化材料层耦接于该第一位线与该第二位线之间，该第二相变化材料层耦接至源极线，该开关元件通过其源/漏极耦接于该第一相变化材料层与该第二相变化材料层之间，且其栅极耦接至字线，其中，该第一相变化材料层与该第二相变化材料层有不同的非晶化态电阻值，以及不同的非晶化态电流
位相变化存储器阵列

[发明专利]相变存储器写入、读取、擦除数据的方法-CN201710379670.2在审
发明人：侯纪伟;袁之泉;刘锴;柳鹏;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种相变存储器写入、读取、擦除数据的方法，包括以下步骤：提供一相变存储器，该相变存储器包括：至少一加热层及至少一相变层，该相变层与所述加热层对应设置，所述相变层的材料包括二氧化钒；控制所述加热层加热所述相变层，使该相变层保持在相变温度，此时向该相变层输入电信号，使该相变层发生相变，从而写入数据；向所述相变层输入一电信号，使该相变层不发生相变，测量电路中的电流大小，得出该相变层的电阻，根据电阻值的大小从而读取数据；控制所述加热层停止加热所述相变层，从而擦除该相变层的数据。
相变存储器加热层读取擦除数据电阻写入测量电路二氧化钒停止加热写入数据擦除加热

[发明专利]相变随机存取存储器及制造方法-CN200910047644.5有效
发明人：三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-03-16 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种相变随机存取存储器及制造方法。所述相变随机存取存储器包括开关器件及连接所述开关器件的数据存储器，所述数据存储器包括底部电极、底部电极上的硫族元素化物相变层、硫族元素化物相变层上的顶部电极，所述底部电极、相变层以及顶部电极两侧还具有侧墙所述侧墙材料具有较好的抗氧化性，能够保护相变层不因加热而被氧化，从而避免所述相变层因被氧化，其电阻值改变情况与设计要求有较大偏差。
相变随机存取存储器制造方法