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[发明专利]一种管状相变存储器单元结构及制作方法-CN200810034940.7有效
发明人：凌云;宋志棠;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2008-03-21 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种管状相变存储器单元结构及制作方法，所述的相变存储器单元结构包括上电极、下电极以及存储部分。单元结构的基本特征是：相变材料分布在孔的侧壁，利用孔中相变材料的截面积小电阻大，在读写操作中通过自身发热完成相变，同时在环形相变材料的两端通过加相变材料保温层作为封盖形成管状，以提高读写操作中热量的利用效率，存储部分为一个上下用相变材料封盖的管状结构，里面填充金属、绝缘绝热材料或者高阻材料。本发明的存储器结构可以降低写操作电流、功耗小、热量利用率高、数据保持性能好，可以提高在芯片中器件的阻值一致性。
一种管状相变存储器单元结构制作方法

[发明专利]相变存储器单元及其形成方法-CN201410428932.6在审
发明人：李志超;伏广才 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种相变存储器单元及其形成方法，所述相变存储器单元的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成介质层；形成穿透介质层的通孔；在所述通孔内壁表面形成粘合层；在所述粘合层表面形成填充满所述通孔的金属层，所述金属层内掺杂有非金属掺杂离子；在所述介质层、粘合层以及金属层表面形成相变层。所述方法能够提高形成的相变存储器单元的性能。
相变存储器单元及其形成方法

[发明专利]相变存储器阵列堆叠结构及其操作方法-CN201410115086.2有效
发明人：李喜;陈后鹏;宋志棠;蔡道林;王倩 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2014-03-26 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明提供一种相变存储器阵列堆叠结构及其操作方法，所述相变存储器阵列堆叠结构至少包括若干相变存储块、全局位线、本地位线、块位线、第一选通门和第二选通门；其中，每块所述相变存储块中包括至少四列相变电阻，每列中所述相变电阻分别对应连接至一块位线所述相变存储器阵列堆叠结构通过全局位线将所有块位线统一连接在一起，全局位线的最大负载仅由存储块中的块位线长度决定，从而极大的减少了寄生电容的产生，从而避免了大容量的相变存储器中会产生的较大的信号延时和较大的功耗
相变存储器阵列堆叠结构及其操作方法

[发明专利]随机存取存储器、升压电荷泵和产生写驱动电压的方法-CN200610159878.5有效
发明人：姜尚范;金杜应;吴泂录;李光振 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-11-02 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：一种相变随机存取存储器，包括存储器单元阵列块，该阵列块包括多个相变存储器单元、列译码器和行译码器、列选择器和写驱动器。该存储器还包括写升压单元，该单元具有用于升高第一电压来产生用于驱动写驱动器的写驱动电压的多个内部电荷泵，其中根据在写操作期间选择的相变存储器单元的数量来改变在写操作期间激活的内部电荷泵的数量。该存储器还包括用于升高第一电压来产生用于驱动列译码器的列驱动电压的列升压单元，和用于升高第一电压来产生用于驱动行译码器的行驱动电压的行升压单元。
随机存取存储器升压电荷产生驱动电压方法

[发明专利]可用于相变存储的相变材料及调节其相变参数的方法-CN201010619461.9无效
发明人：饶峰;任堃;宋志棠;吴良才 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种可用于相变存储的相变材料及调节其相变参数的方法，所述相变材料为锡、锑、碲三种元素组成的存储材料。所述存储材料中，锡的原子百分比含量为0.1–90％，碲的原子百分比含量为0.1–90％；进一步对相变材料SnxSbTey进行掺杂，掺杂剂量原子百分含量在0-90％之间。所述相变材料在外部能量作用下具有可逆变化；在相变存储中，相变存储器的低阻态对应所述相变材料全部或部分结晶，相变存储器的高阻态对应所述相变材料的非晶态。本发明提出的可用于相变存储的相变材料，具有反复相变的能力。
用于相变存储材料调节参数方法

[发明专利]相变化存储器装置及其制造方法-CN200710105193.7无效
发明人：陈颐承;陈志伟;许宏辉;李乾铭 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2007-05-24 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种相变化存储器装置及其制造方法。上述相变化存储器装置包括：加热构件具有导电部与相对高电阻的加热部；以及相变化存储层与该加热构件堆叠；其中该相对高电阻的加热部包括金属硅氮化物部分。
相变存储器装置及其制造方法

[发明专利]纳米复合相变材料及其在相变存储器中的用途-CN201010507542.X无效
发明人：吕业刚;宋三年;宋志棠 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2010-10-14 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米复合相变材料及其制备方法、以及在相变存储器中的应用。其中，所述纳米复合相变材料包含：重量百分比为2-30％的介质材料TiO2和重量百分比为70-98％的相变材料Ge2Te3，由于Ge2Te3相变材料与TiO2在纳米尺度的均匀复合，相变材料分布在由介质材料TiO2形成的纳米框架结构中，一方面抑制了相变材料的结晶，提升了材料的晶化温度；另一方面相变材料的挥发得到了有效的抑制，组分偏析情况得到明显改善，增加了材料的稳定性。这种新型纳米复合相变薄膜应用到存储器中，可使相变存储器件的RESET电压降低，有利于实现高密度存储，提高相变存储器的编程过程中的加热效率，降低其功耗，提升数据保持能力、疲劳特性和抗辐照能力等。
纳米复合相变材料及其存储器中的用途

[发明专利]相变存储器的写处理方法及装置-CN201310180969.7有效
发明人：李延松 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2013-05-16 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开一种相变存储器的写处理方法及装置,通过相变存储器在接收到写请求时，根据所述写请求，产生与第一脉冲幅值对应的第一脉冲，从所述写请求中包括的地址信息对应的存储单元中读取数据；若确定所述写请求中包括的待写入数据与读取的数据不相同，则将所述第一脉冲幅值增加到第二脉冲幅值，根据所述第二脉冲幅值产生写脉冲，将所述待写入数据写入到所述地址信息对应的存储单元中。由于从第一脉冲幅值增加到第二脉冲幅值所需的时间比较短，大大缩短了从读数据到写数据的切换时间，使得读数据与写数据可以在同时完成，不仅可以应用于同步接口的相变存储器，也可以应用于异步接口的相变存储器，提高相变存储器的应用性能
相变存储器处理方法装置

[发明专利]相变存储器及其制造方法-CN202110904033.9在审
发明人：彭文林;刘峻;杨海波;刘广宇;付志成 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种相变存储器及其制造方法，相变存储器中具有呈阵列排布的多个相变存储单元和TiO2纳米多孔材料层，各个相变存储单元均具有依次堆叠的第一电极、相变材料层和第二电极，相邻的相变存储单元之间具有间隙，TiO2纳米多孔材料层填充在所述间隙中并至少包围各个相变存储单元的相变材料层。由此，一方面，利用TiO2纳米多孔材料的机械强度来保证相变存储单元的堆叠结构的稳定性，另一方面，利用TiO2纳米多孔材料的孔隙，来使得相邻的相变存储单元之间的间隙中具有类于空气气隙优良的绝热性，从而有效地解决热串扰带来的不利影响，最终使得相变存储器的信息存储的稳定性得以提高，功耗得以降低。
相变存储器及其制造方法

[发明专利]适用于相变存储器的相变材料及相变存储器-CN202110363018.8在审
发明人：马平;李响;陈鑫 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种适用于相变存储器的相变材料及相变存储器，相变材料包括：相变层和超晶格夹层；相变层与超晶格夹层形成超晶格结构，相变层包括锑原子Sb；与一般含有锑原子的相变材料相比较，本申请实施例提供的超晶格具有较大的黏度
适用于相变存储器材料

[发明专利]相变材料层、相变存储器单元及其制备方法-CN201510737451.8有效
发明人：宋志棠;丁科元;饶峰 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种相变材料层、相变存储器单元及其制备方法，所述相变材料层包括Ti_xTe_1‑x层及位于所述Ti_xTe_{1‑x相变存储器单元中的相变材料层的制备工艺与现有的CMOS工艺兼容，且具有以下优点：所选区间的Sb层，具有很快地相变速度使相变存储器具有皮秒级的擦写操作时间，提高相变存储器的操作速度；所选区间Ti<}
相变材料存储器单元及其制备方法

[发明专利]相变存储器及其形成方法-CN201710160215.3在审
发明人：张超;周儒领;张庆勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种相变存储器及其形成方法，其中，相变存储器的形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成加热层；在所述加热层侧壁表面形成相变层，所述加热层仅侧壁与所述相变层接触。在所述加热层侧壁表面形成相变层，由于在加热层的形成工艺中，能够使加热层的厚度较小，小于加热层表面的最小尺寸。由于加热层的厚度较小，所述相变层位于所述加热层侧壁表面，则可以使所述相变层与所述加热层的接触面积较小。所述相变层与所述加热层的接触面积小，在读写数据时发生相变的相变层材料较少，从而能够缩短相变时间，进而增加相变存储器的读写速度。
加热层相变存储器侧壁表面基底写数据侧壁读写

[发明专利]一种含石墨烯层的相变存储器及其制备方法-CN201510318780.9有效
发明人：宋志棠;朱敏 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2015-06-11 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种含石墨烯层的相变存储器及其制备方法，在所述相变存储器中的相变层与上电极界面、相变层中间以及相变层与下电极界面加入石墨烯，以改善相存储器单元的器件性能。在相变层与上电极界面加入石墨烯，能够减小重复操作中相变材料与上电极形成空洞的可能性，降低器件的失效概率；在相变层中间插入石墨烯，能够有效的将相变区域与非晶变区域隔开，限制有效区域大小，从而提高器件性能的稳定性；在相变层与下电极界面加入石墨烯，能够有效的抑制可逆操作过程中下电极与相变层之间的元素扩散，从而提高相变薄膜组分稳定性，延长器件寿命。
一种石墨相变存储器及其制备方法

[发明专利]一种获得相变存储器相变电阻晶化率的方法-CN201010022600.X有效
发明人：蔡道林;宋志棠;陈后鹏;陈小刚 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2010-01-08 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种获得相变存储器相变电阻晶化率的方法，该方法为利用不同的电压对相变存储器进行Reset操作，然后进行Set操作，测得Reset操作的电压-电阻曲线，Set操作的电压-电流曲线，和Set态的电流-电压曲线，并根据相变存储器的电阻-电压-电流关系方程最终获得晶化率的值。本发明在相变电阻被电流或电压加热发生相变时，其相变区电阻晶化率进行计算，并通过对相变区电阻晶化率的计算确定加热电流或电压与加热时间的关系；本发明还可以为相变过程中阻值的变化提供理论指导，同时为多值存储的研究提供了一种解决方案
一种获得相变存储器电阻晶化率方法

[发明专利]相变存储器单元的制备方法、相变材料及相变存储器单元-CN201410075734.6在审
发明人：程国胜;张杰;孔涛;黄荣;卫芬芬 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2014-03-04 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供的相变存储器单元的制备方法，采用吸附有金纳米颗粒的衬底，以由锡粉末和碲化锗粉末组成的混合物作为蒸发源，将上述蒸发源与衬底置于水平管式炉内，在一定的条件下进行化学反应，得到沉积有锡掺杂碲化锗纳米线的衬底，将上述衬底上的锡掺杂碲化锗纳米线迁移至2英寸SiO2/Si表面各个小金属框的中心处，烘干；再分别采用紫外光刻、磁控溅射技术和剥离技术得到所述相变存储器单元，即锡掺杂碲化锗纳米线两端电极器件，上述相变存储器单元通过对相变材料掺杂锡粉末进行改性，从而提高了相变材料的电阻率，降低了相变材料的熔点，从而有效降低相变材料的操作功耗。另外，本发明还提供了一种相变材料及相变存储器单元。
相变存储器单元制备方法材料