[发明专利]相变存储器写入、读取、擦除数据的方法在审
| 申请号： | 201710379670.2 | 申请日： | 2017-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN108932962A | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 侯纪伟;袁之泉;刘锴;柳鹏;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;H01L45/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种相变存储器写入、读取、擦除数据的方法，包括以下步骤：提供一相变存储器，该相变存储器包括：至少一加热层及至少一相变层，该相变层与所述加热层对应设置，所述相变层的材料包括二氧化钒；控制所述加热层加热所述相变层，使该相变层保持在相变温度，此时向该相变层输入电信号，使该相变层发生相变，从而写入数据；向所述相变层输入一电信号，使该相变层不发生相变，测量电路中的电流大小，得出该相变层的电阻，根据电阻值的大小从而读取数据；控制所述加热层停止加热所述相变层，从而擦除该相变层的数据。 | ||
| 搜索关键词： | 相变存储器 加热层 读取 擦除数据 电阻 写入 测量电路 二氧化钒 停止加热 写入数据 擦除 加热 | ||
【主权项】：
1.一种相变存储器写入、读取、擦除数据的方法，其包括以下步骤：提供一相变存储器，该相变存储器包括：至少一加热层及至少一相变层，该相变层与所述加热层对应设置，该加热层加热所述相变层，使该相变层达到相变温度，所述相变层的材料包括二氧化钒；S2，控制所述加热层加热所述相变层，使该相变层保持在相变温度，此时向该相变层输入电信号，使该相变层发生相变，从而写入数据；S3，向所述相变层输入另一电信号，使该相变层不发生相变，测量电路中的电流大小，得出该相变层的电阻，根据电阻值的大小从而读取数据；S4，控制所述加热层停止加热所述相变层，从而擦除该相变层的数据。
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- 存储器装置及其操作方法-201811375197.1
- 林菜昱;罗太熙;鲜于桢;李墉焌 - 三星电子株式会社
- 2018-11-19 - 2019-06-11 - G11C13/00
- 本申请提供了一种存储器装置及其操作方法。该存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括具有开关元件和连接至开关元件的数据存储元件的存储器单元，其中，数据存储元件具有相变材料；以及存储器控制器，其将第一读电流输入至存储器单元以检测第一读电压，将第二读电流输入至存储器单元以检测第二读电压，以及将补偿电流输入至存储器单元，其中补偿电流降低数据存储元件的电阻值，当存储器单元的第一状态与存储器单元的第二状态不同时输入补偿电流，利用第一读电压确定第一状态，并且利用第二读电压确定第二状态。
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