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[发明专利]半导体器件及其形成方法、射频识别芯片及其形成方法-CN201110099727.6有效
发明人：张超;吴关平;徐佳 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-04-20 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法、射频识别芯片及其形成方法，所述半导体器件的形成方法包括：在半导体基底上依次形成第一金属层、绝缘层及第二金属层，所述半导体基底、第一金属层、绝缘层及第二金属层分别包括电容区域和相变存储器区域；去除相变存储器区域的绝缘层、第二金属层以及电容区域的部分绝缘层及部分第二金属层，所述电容包括电容区域的第一金属层及剩余的绝缘层和第二金属层；去除部分第一金属层，暴露出所述电容区域和相变存储器区域之间的基底；形成介质层，覆盖所述电容、相变存储器区域的第一金属层以及所述暴露的基底，在所述介质层中形成相变存储器。上述方法将电容和相变存储器集成在一起，实现二者的兼容且形成工艺简单成本低。
半导体器件及其形成方法射频识别芯片

[发明专利]中央处理器及其制造方法-CN202110256421.0有效
发明人：刘峻 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种中央处理器(CPU)及其制造方法。其中，CPU包括：至少一个内核；与所述内核信号连接的多级缓存器；其中，所述多级缓存器中不同级的缓存器包括相变存储器中不同层的存储单元层；所述相变存储器包括多层堆叠的存储单元层；所述存储单元层包括多个存储单元；以实现CPU中多级缓存器中不同级的缓存器采用同一相变存储器中不同层的存储单元层；其中，相变存储器较小的体积可以使CPU最终尺寸明显的减小，从而减小CPU内核到各级缓存器之间的延迟，且相变存储器较高的容量可以使得更多的数据通过多级缓存器来进行交换
中央处理器及其制造方法

[发明专利]相变存储器单元、存储器设备、以及相应的方法-CN202310042429.6在审
发明人： M·阿莱格拉;A·雷达埃利 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2023-01-28 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及相变存储器单元、存储器设备、以及相应的方法。一种相变存储器单元包括加热器，位于所述加热器上方的由相变材料制成的存储器区域，以及在加热器的第一侧处邻近存储器区域和加热器定位的导电元件。
相变存储器单元设备以及相应方法

[实用新型]一种散热装置-CN201420652004.3有效
发明人：李骥;李志伟;吕鲁仓 -专利权人：中国科学院大学
申请日： 2014-11-04 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种散热装置，包括相变热存储器和平板热管。相变热存储器置于平板热管上面，热源经过平板热管的热扩散，均匀地加热相变热存储器使相变材料发生固-液相变存储废热，从而对热源进行冷却；相变材料为高导热系数、高相变潜热的低熔点液态金属及其合金。本实用新型将平板热管和相变热存储器有机地结合在一起，能够高效、快速、均匀地将热源热量传出以达到对热源冷却的目的，其具有传热能力强、均温性好、节温低等优点。
一种散热装置

[发明专利]一种相变存储器的制造方法-CN202211362443.6在审
发明人：高建峰;李俊杰;周娜;杨涛;李俊峰;罗军 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H10B63/10 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种相变存储器的制造方法，通过在第一方向刻蚀第一相变存储层形成第一层相变存储结构，而后在第二方向刻蚀第一相变存储层和第二相变存储层形成第一连续相变存储结构，该结构中包括已经经过2次刻蚀的第一层相变存储层，形成1个立体的相变存储单元，继续在第一方向刻蚀第二相变存储层形成第二层相变存储结构，此时第二相变存储层也经过2次刻蚀，形成另外1个立体的相变存储单元，也就是说，通过总共3次刻蚀，形成了包括2个相变存储单元的三维相变存储器，大大降低了相变存储器在制造过程中的刻蚀次数，降低刻蚀成本，简化了制造流程，提高制造效率。
一种相变存储器制造方法

[发明专利]相变材料呈环形的相变存储器器件单元及制备方法-CN200710043924.X有效
发明人：刘波;宋志棠;封松林;陈宝明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2007-07-17 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及相变存储器器件单元的结构及其制备方法，其主要特征在于采用与加热电极和上电极相连的环形相变材料作为存储信息的载体。通过采用合适的薄膜制备技术和纳米加工技术，制备出环形相变材料，通过上下电极引出，并与开关和外围电路集成，制备出纳米尺度的相变存储器器件单元。由于环形相变材料的壁厚可以控制在很小的纳米尺度范围，相变材料的截面积可以很小，大大增加电流密度，提高相变材料有效相变区域的热效率，降低相变存储器器件单元的操作电流，减小功耗。
相变材料环形存储器器件单元制备方法

[发明专利]用于相变存储的相变材料及调节其相变参数的方法-CN201010619500.5有效
发明人：饶峰;任堃;宋志棠;吴良才 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种用于相变存储的相变材料及调节其结晶温度和熔点的方法，所述相变材料为锗、锡、碲三种元素组成的存储材料，或者为硅、锡、碲三种元素组成的存储材料。所述相变材料中，锗/硅的原子百分比含量为0.5–80，所述相变材料中，碲的原子百分比含量为0.5–80。所述相变材料为在外部能量作用下具有可逆变化的材料；在相变存储中，相变存储器的低阻态对应所述相变材料全部或部分结晶，相变存储器的高阻态对应所述相变材料的非晶态。本发明具有高阻和低阻两种不同阻值的状态，且高阻态与低阻态之间可以通过施加脉冲电信号实现可逆转换，满足相变存储器存储材料的基本要求。
用于相变存储材料调节参数方法

[发明专利]一种基于相变材料的显示存储器-CN202110407107.8有效
发明人：曹逊;贾汉祥;邵泽伟;黄爱彬;金平实;季晓炜 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于相变材料的显示存储器，所述基于相变材料的显示存储器由周期性排列的显示存储元件、连接在显示存储元件上的电控元件和记忆存储元件组成；每个显示存储元件的结构依次包括：第一透明电极层、相变存储层、离子传导层、相变显示层和第二透明电极层；所述相变存储层的组分为VO2。
一种基于相变材料显示存储器

[发明专利]相变存储器及其制备方法-CN202210383007.0在审
发明人：周凌珺;杨红心;刘峻 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种相变存储器及其制备方法，所述相变存储器包括沿第一方向依次堆叠设置的第一导电线、第一存储器单元、第二导电线、第二存储器单元和第三导电线；其中，第一导电线和第三导电线沿第二方向延伸，第二导电线沿第三方向延伸，第一方向、第二方向和第三方向彼此垂直；第一存储器单元包括沿第一方向依次堆叠设置的第一底电极、第一选通层、第一中间电极、第一相变存储层和第一顶电极；第二存储器单元包括沿第一方向依次堆叠设置的第二底电极、第二选通层、第二中间电极、第二相变存储层和第二顶电极；其中，第二相变存储层与第一相变存储层的材料和/或厚度不同，第二存储器单元和第一存储器单元的阈值电压基本相同。
相变存储器及其制备方法

[发明专利]一种相变存储器的读出电路及读出方法-CN201410675312.2有效
发明人：李喜;陈后鹏;宋志棠;闵国全 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海市纳米科技与产业发展促进中心
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种相变存储器的读出电路及读出方法，包括用于存储数据的目标相变存储单元；根据目标相变存储单元的当前状态产生读电流的读电路；将读电流与读参考电流进行比较，并产生读出电压信号的比较电路。在相变存储器进行读取操作时，将目标相变存储单元的字线置位到读字线电压；当读使能有效时，目标相变存储单元所在的位线将产生相应的读电流；通过比较读电流和读参考电流的大小，得到读出的电压信号。本发明不需要通过钳位的方式限制位线电压，因此能有效地加快读取过程，特别适用于使用Diode等作为选通管时相变存储器阵列位线具有较高压降的情况，避免了位线钳位等方式带来的读出时延，有利于高速相变存储器产品的实现
一种相变存储器读出电路方法

[发明专利]使用肖特基二极管为选通管的相变存储单元及制备方法-CN200810035940.9无效
发明人：凌云;宋志棠;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2008-04-11 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明属于微电子技术领域，本发明公开了一种具有肖特基二极管的相变存储器件及其制备方法。其基本特征在于：该结构单元由肖特基二极管与相变存储器构成，肖特基二极管作为相变存储器的选通管，肖特基二极管通过固相外延技术生长N型或者P型Si单晶薄膜，与金属薄膜构成金属半导体接触。本发明公开的结构特点是用于高密度相变存储器，同时降低相变存储器生产成本。
使用肖特基二极管选通管相变存储单元制备方法

[发明专利]相变随机存取存储器及制造方法-CN200910198580.9有效
发明人：三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-11-10 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种相变随机存取存储器及制造方法。所述相变随机存取存储器的制造方法包括：形成开关器件及连接所述开关器件的数据存储器，所述数据存储器包括底部电极、底部电极上的相变层、相变层上的顶部电极；以及在所述底部电极、相变层、顶部电极两侧形成侧墙，所述相变层由采用H2Se、GeH4、SbH3的一种或其组合，替代含Si/N/C的硫系化合物作为相变材料，使得形成相变层时的材料气体和含Si/N/C的掺杂气体互不相关，从而降低了掺杂过程的离子浓度控制的难度。
相变随机存取存储器制造方法

[发明专利]相变超晶格薄膜、相变存储器单元及其制备方法-CN201810568326.2在审
发明人：丁科元;饶峰;曾燮榕 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种相变超晶格薄膜、相变存储器单元及其制备方法。该相变超晶格薄膜，包括相变材料层和用于为所述相变材料层提供结晶模板的化合物层；其中，所述化合物层的化合物与所述相变材料层的化合物具有相同的晶系，且晶格常数a相差不大于40％。该相变超晶格薄膜用于相变存储器单元中，可显著提高相变存储器单元的操作速度，并提高其热稳定性，最终延长了器件的使用寿命。
相变存储器单元超晶格薄膜相变材料层化合物层制备半导体材料晶格常数热稳定性使用寿命晶系

[发明专利]一种快速响应的相变存储器损耗均衡方法-CN201210568914.9有效
发明人：刘铎;沙行勉;诸葛晴凤;王添正;邵子立;谭玉娟;梁靓 -专利权人：重庆大学
申请日： 2012-12-25 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种相变存储器的损耗均衡方法。它包括以下步骤：判定相变存储器中频繁写的热区和不频繁写的冷区；将热区划分为多个热区小块；依次将每一个热区小块与对应冷区物理位置交换，实现热区小块的移动，所有热区小块移动结束后完成热区移动，直至热区移动遍及全部存储区后再循环移动；通过逻辑LA-物理PA地址的转换公式获得需要访问的相变存储器物理地址。本发明具有如下的优点：避免了大量写操作集中在热区，实现了相变存储器损耗均衡，能延长相变存储器的寿命，又能保证系统快速响应。
一种快速响应相变存储器损耗均衡方法

[发明专利]一种相变随机存储器阵列与外围电路芯片的集成方法-CN201210074222.9有效
发明人：缪向水;周娇;周文利 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2012-03-20 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明属于微纳电子学技术领域，涉及一种相变随机存储器阵列与CMOS流片外围电路芯片的集成方法，包括：将外围电路芯片上顶层金属阵列或/和顶层钨塞阵列的钝化层去掉；保留顶层金属阵列，或去掉顶层金属阵列并保留顶层金属层与次顶层金属层之间的顶层钨塞阵列；外围电路芯片顶层表面待集成存储器阵列的区域以外的位置制作定标符号；将存储器阵列的下电极层制作在顶层金属阵列或者顶层钨塞阵列上面，然后依次制作存储器阵列其他各层，实现外围电路芯片与存储器阵列的集成。这样可以进一步研究CMOS工艺与相变随机存储器的兼容性、CMOS寄生效应对相变随机存储器的影响等问题，对相变随机存储器走向实用化，商业化具有较大的意义。
一种相变随机存储器阵列外围电路芯片集成方法