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[发明专利]一种相变存储器及其制造方法-CN201010551483.6无效
发明人：何其旸;李凡 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2010-11-19 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明所提供的相变存储器制造方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介质层和位于所述层间介质层内的底部电极；形成覆盖所述层间介质层和底部电极的绝缘介质层和刻蚀停止层；依次刻蚀所述刻蚀停止层和绝缘介质层，形成顶部宽度大于底部宽度的通孔；形成填充满所述通孔的相变材料层。相应地，本发明还提供根据上述方法所形成的相变存储器。本发明所提供的相变存储器及其制造方法可以减小相变材料层和底部电极的接触电阻，增加欧姆阻值，改进加热效果，从而降低相变存储器的功耗。
一种相变存储器及其制造方法

[发明专利]一种新型的高密度多值相变存储器的存储方案-CN200810040931.9无效
发明人：林殷茵;吴雨欣;张佶;薛晓勇;徐乐;胡倍源;廖启宏 -专利权人：复旦大学
申请日： 2008-07-24 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种新型的高密度多值相变存储器的存储方案。具体针对相变存储器中存在的、工艺波动下的高可靠性存储与高密度存储之间的矛盾，提出了全新的“以比值为导向”的存储状态定义方法。以此方法为向导，在充分利用相变电阻自身提供的多值编写能力的基础上，继承2T2R结构的固有优点，加上外围灵敏放大器与边界数设定的合理结合，成功的实现了小尺寸下，面临严重的工艺波动时，相变存储器的高可靠性存储与高密度存储，提高了相变存储器在未来小尺寸环境下的竞争力。
一种新型高密度相变存储器存储方案

[发明专利]纳米复合相变材料、制备方法及其在相变存储器中的应用-CN201110110342.5有效
发明人：吕业刚;宋三年;宋志棠 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2011-04-29 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米复合相变材料及其制备方法、以及在相变存储器中的应用。其中，所述纳米复合相变材料包含：摩尔百分比为70-99%的相变材料GeTe和摩尔百分比为1-30%的介质材料HfO2。相变材料GeTe与介质材料HfO2在纳米尺度内均匀复合，一方面抑制了相变材料的结晶，提升了材料的热稳定性，改善了材料的数据保持能力；另一方面因为介质材料的参与，使得有效编程体积减小，因而减小了相变单元结晶前后的体积变化和降低了RESET电流，这有助于存储器件的操作稳定性和实现低功耗。总之，这种新型纳米复合相变材料应用到存储器中，可使相变存储器件的RESET电压降低，编程体积减小，有利于实现高密度存储，提高相变存储器的编程过程中的加热效率，降低其功耗，提升数据保持能力等。
纳米复合相变材料制备方法及其存储器中的应用

[发明专利]能消除干扰的相变存储器单元结构及形成的相变存储器-CN201010289950.2有效
发明人：蔡道林;宋志棠;陈后鹏 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2010-09-21 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明提供一种能消除干扰的相变存储器单元结构，其包括：相变材料形成的相变电阻；并联在所述相变电阻两端的受控开关管；与所述相变电阻一端连接的选通管，其中，所述选通管和所述受控开关管在任意时刻工作在相反的状态，即一者处于导通状态时，另一者就处于截止状态，通过受控开关管的导通，可强制相变电阻两端的电压相等，从而有效避免干扰。此外，本发明还提供一种由能消除干扰的相变存储器单元结构所构成的相变存储器，该相变存储器在位线信号升高时，通过使受控开关管导通，可使相变电阻两端的电压相等，从而达到消除干扰的目的。
消除干扰相变存储器单元结构形成

[发明专利]相变存储器及其制造方法-CN200510126630.4无效
发明人：姜闰浩;赵郁廉;徐东硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-12-02 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：提供一种包括具有相变纳米颗粒的相变材料层的相变存储器及其制造方法。相变存储器可包括：相互面对的第一电极和第二电极；插入在第一电极和第二电极之间的含有相变纳米颗粒的相变材料层；以及电连接到第一电极的开关器件。
相变存储器及其制造方法

[发明专利]相变存储器装置-CN200610006478.0有效
发明人：浅野勇;藤幸雄;中井洁;川越刚 -专利权人：尔必达存储器株式会社
申请日： 2006-02-09 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明的相变存储器装置具有：半导体基板；分别设置在矩阵状排列的多个字线和多个位线的各交点上的一个MOS晶体管；多个相变存储器元件，在半导体基板上堆积相变材料的相变层中，在和一个MOS晶体管的扩散层的上部相对的区域中形成，存储保持多位数据；以及下部电极构造，使多个相变存储器元件中的每一个与一个MOS晶体管的扩散层电连接。
相变存储器装置

[发明专利]相变存储器及其形成方法-CN201410720640.X有效
发明人：李志超;伏广才 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-12-02 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种相变存储器及其形成方法，所述相变存储器的形成方法包括：提供基底；形成覆盖部分基底表面的相变层；形成覆盖所述基底和相变层的刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层表面形成半导体电荷吸附层；形成覆盖半导体电荷吸附层的介质层；刻蚀所述介质层、半导体电荷吸附层和刻蚀停止层，形成位于相变层上的顶部通孔；在所述顶部通孔内形成顶部电极。所述方法可以提高形成的相变存储器的性能。
相变存储器刻蚀停止层电荷吸附层半导体顶部通孔介质层基底覆盖表面形成顶部电极基底表面刻蚀

[发明专利]具有蒙特卡洛仿真功能的三维相变存储器1S1R模型-CN202310011031.6在审
发明人：俞秋瑶;雷宇;宋志棠 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有蒙特卡洛仿真功能的三维相变存储器1S1R模型，包括器件模型，所述器件模型包括串联的选通管模型和相变存储器模型，还包括：电压模块，用于向所述选通管模型和相变存储器模型提供电压；参数分布模块，用于提供带有统计特性的选通管模型和相变存储器模型的尺寸；电流模块，用于根据器件模型当前的状态以及两端电压计算所述器件模型的电流；状态模块，用于根据器件模型的上一时刻的状态、器件模型的电流或温度判断器件模型当前所处的状态本发明能够模拟三维相变存储器1S1R结构的电学特性的统计特性。
具有蒙特卡洛仿真功能三维相变存储器 s1r 模型

[发明专利]用于相变存储器的相变材料及其制备方法-CN201510697470.2有效
发明人：丁科元;饶峰;王勇;宋志棠 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2015-10-23 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于相变存储器的相变材料及其制备方法，用于相变存储器的相变材料的化学通式为Sc100‑x‑y‑zGexSb本发明的可用于相变存储的相变材料，具有反复相变的能力；Sc100‑x‑y‑zGexSbyTez具有高阻和低阻两种不同阻值的状态，且高阻值态与低阻值态之间可以通过施加脉冲电信号实现可逆转换，满足相变存储器存储材料的基本要求，是一种新型的存储材料；材料的热稳定性、相变速度以及疲劳循环特性得到了提高；可采用脉冲电压或脉冲激光驱动相变材料在不同的结构状态之间发生可逆转变，同时使相变材料的性能发生可逆变化，从而实现相变存储器的信息存储。
用于相变存储器材料及其制备方法

[发明专利]高速写入相变存储器及其高速写入方法-CN200810041415.8有效
发明人：富聪;宋志棠;蔡道林;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2008-08-05 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种高速写入相变存储器及其高速写入方法，其包括至少两个相互独立的地址寄存器、数据寄存器、SET驱动电路、列选通器、相变电阻存储阵列、行地址译码器及列地址译码器，可同时对多组对应于不同地址下的相变存储单元进行写入操作，使得数据写入周期小于传统相变存储单元的写入周期，从而提高相变存储器的写入速度。
高速写入相变存储器及其方法

[发明专利]一种相变存储器写加速方法及其系统-CN201410064466.8有效
发明人：李冰;胡瑜;单书畅;李晓维 -专利权人：中国科学院计算技术研究所
申请日： 2014-02-25 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种相变存储器写加速方法，该方法包括：Partial-SET写操作判断步骤和写请求执行步骤，Partial-SET写操作判断步骤为判断相变存储器中当前写请求采用的写脉冲类型为SET或Partial-SET脉冲；写请求执行步骤为根据写脉冲类型，采用SET或快速Partial-SET方法，根据SET和RESET操作的不同写速度实现相变存储器的快速Partial-SET写加速，本发明还公开了一种相变存储器的写加速系统
一种相变存储器加速方法及其系统

[发明专利]相变存储器元件的真空包覆电极-CN200610132070.8有效
发明人：龙翔澜 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-10-24 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器器件，其具有环绕第一电极元件的真空夹层(jacket)，以提供较佳的隔热效果。此存储器器件包括第一电极元件；相变存储器元件，其接触至第一电极元件；电介质填充层，其围绕相变存储器元件以及第一电极元件，其中电介质层与第一电极元件之间有间隔，以在第一电极元件与电介质填充层之间定义腔室；且将相变存储器层密封到电介质填充层，以定义环绕第一电极元件的隔热夹层。
相变存储器元件空包电极

[发明专利]一种嵌入式相变化存储器及其制造方法-CN201310040269.8有效
发明人：陈秋峰;王兴亚 -专利权人：厦门博佳琴电子科技有限公司
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种嵌入式相变化存储器，在P型半导体衬底的晶体管源极上的钨插塞上设置金属层，而晶体管汲极上的钨插塞上形成第一凹槽及第二凹槽，第二凹槽位于第一凹槽的底部；钨插塞端面之上依次形成第一侧墙、第二侧墙及第三侧墙，第二侧墙位于第一侧墙上，第三侧墙位于第二侧墙上，且延伸深入第二凹槽中；第一侧墙、第二侧墙及第三侧墙围成一空腔，空腔填满相变化存储器材料；相变化存储器材料上形成金属层。本发明还公开所述嵌入式相变化存储器的制造方法。该制造方法工艺简单，且由该方法形成嵌入式相变化存储器，有效降低转换相变化存储器单元状态所需要的电流。
一种嵌入式相变存储器及其制造方法

[发明专利]一种嵌入式相变化存储器阵列及制造方法-CN201310094151.3有效
发明人：陈秋峰;王兴亚 -专利权人：厦门博佳琴电子科技有限公司
申请日： 2013-03-22 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种嵌入式相变化存储器阵列，在P型半导体衬底的晶体管源极上的钨插塞上设置金属层，而晶体管汲极上的钨插塞上形成第一凹槽及第二凹槽，第二凹槽位于第一凹槽的底部；钨插塞端面之上依次形成第一侧墙、第二侧墙及第三侧墙，第二侧墙位于第一侧墙上，第三侧墙位于第二侧墙上，且延伸深入第二凹槽中；第一侧墙、第二侧墙及第三侧墙围成一空腔，空腔填满相变化存储器材料；相变化存储器材料上形成金属层。本发明还公开所述嵌入式相变化存储器阵列的制造方法。该制造方法工艺简单，且由该方法形成嵌入式相变化存储器阵列，有效降低转换相变化存储器单元状态所需要的电流。
一种嵌入式相变存储器阵列制造方法

[发明专利]位于绝缘体上硅结构衬底上的相变存储器单元-CN200510054831.8有效
发明人：斯蒂芬·S·福尔凯伊;亨德里克·哈曼;杰弗里·B·约翰逊;林仲汉;黄汉森 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-03-17 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明包括形成相变材料存储器器件的方法和由此制造的相变存储器器件。特殊地，相变存储器器件包括一半导体结构，其包括一具有第一掺杂区并其侧面连接一组第二掺杂区的衬底；位于第一掺杂区上的相变材料；和位于相变材料上的导体，其中当相变材料为第一相时，半导体结构作为双极结型晶体管运行，当相变材料为第二相时，半导体结构作为场效应晶体管运行。
位于绝缘体结构衬底相变存储器单元