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[发明专利]HBC太阳电池的制备方法及HBC太阳电池-CN202310740571.8在审
发明人：张静;袁晓;许佳辉;刘彦伯;李芳;柳翠;金玉章 -专利权人： 上海市纳米科技与产业发展促进中心;长三角太阳能光伏技术创新中心
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种HBC太阳电池的制备方法及HBC太阳电池，该方法包括如下步骤：在基体层上形成第一非晶硅层；在第一非晶硅层上涂覆光刻胶，以形成第一光刻胶层，并进行压印，以形成与第一非晶硅区域对应的位置形成凸起；对第一非晶硅区域以外的区域进行刻蚀；再次进行涂胶，以形成第二光刻胶层，并进行压印，以在第二非晶硅区域相对应的位置形成第一凹陷；在压印后的第一凹陷内形成第二非晶硅区域；对基体层再次进行涂胶，以形成第三光刻胶层，并进行压印，以在对应于第一非晶硅区域及第二非晶硅区域的位置形成第二凹陷；在第二凹陷内形成电极层。该制备方法制备工艺简单，且能够较为容易地对电极之间进行隔离。
hbc 太阳电池制备方法

[发明专利]一种复合型锂离子电池隔膜及其制备方法-CN201910284657.8在审
发明人：巴超群;闵国全;刘彦伯;宋志棠;周伟民;张静;李萍 -专利权人： 上海市纳米科技与产业发展促进中心
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01M2/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种复合型锂离子电池隔膜及其制备方法。复合型锂离子电池隔膜由基材层和设置在基材层表面的无机/有机复合多孔膜层构成，基材层为聚烯烃多孔膜；无机/有机复合多孔膜层为含有无机纳米粒子和水性粘结剂的复合层。复合型锂离子电池隔膜的制备方法为：将无机水性分散液、有机水性分散液以及表面活性剂加入去离子水中搅拌混合均匀，制得涂料；将基材层浸润到配置好的涂料中，进行提拉涂布后，室温干燥后真空烘干燥，制得复合型锂离子电池隔膜。本发明针对隔膜安全能不稳定的问题，在其表面固化形成有机无机均匀杂化的多孔薄膜，实现隔膜的热稳定性、锂离子电池的安全性和耐化学腐蚀性的提高。
锂离子电池隔膜基材层制备水性分散液多孔膜层有机复合隔膜涂料聚烯烃多孔膜耐化学腐蚀性无机纳米粒子表面活性剂基材层表面水性粘结剂锂离子电池表面固化多孔薄膜热稳定性室温干燥复合层水中提拉杂化浸润离子配置安全

[发明专利]一种石墨烯包覆四氧化三铁微球的类Fenton催化剂及其制备方法和应用-CN201410743333.3有效
发明人：李春忠;沈建华;李云峰;胡彦杰 -专利权人：华东理工大学;上海市纳米科技与产业发展促进中心
申请日： 2014-12-08 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： B01J23/745 文献下载
摘要：本发明公开一种石墨烯包覆四氧化三铁微球的类Fenton催化剂及其制备方法和应用，石墨烯完整包覆Fe3O4颗粒。以无机铁盐和氧化石墨烯的水溶液为前驱体，采用喷雾干燥技术快速制备氧化石墨烯包覆的铁盐前驱体微球，并在保护气氛下煅烧还原，得到目标产物。该石墨烯包覆四氧化三铁微球的类Fenton催化剂在过氧化氢水溶液的协同下，具有较好的催化效率和很好的稳定性，并可以通过简单的外磁场分离取得回收和再重复利用，降低成本，是一种环境友好型材料。
一种石墨烯包覆四氧化三铁微球 fenton 催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种相变存储器的读出电路及读出方法-CN201410675312.2有效
发明人：李喜;陈后鹏;宋志棠;闵国全 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海市纳米科技与产业发展促进中心
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种相变存储器的读出电路及读出方法，包括用于存储数据的目标相变存储单元；根据目标相变存储单元的当前状态产生读电流的读电路；将读电流与读参考电流进行比较，并产生读出电压信号的比较电路。在相变存储器进行读取操作时，将目标相变存储单元的字线置位到读字线电压；当读使能有效时，目标相变存储单元所在的位线将产生相应的读电流；通过比较读电流和读参考电流的大小，得到读出的电压信号。本发明不需要通过钳位的方式限制位线电压，因此能有效地加快读取过程，特别适用于使用Diode等作为选通管时相变存储器阵列位线具有较高压降的情况，避免了位线钳位等方式带来的读出时延，有利于高速相变存储器产品的实现。
一种相变存储器读出电路方法

[发明专利]一种三氧化钼包覆钼掺杂二氧化钛纳米复合颗粒及其制备方法与应用-CN201510471985.0有效
发明人：胡彦杰;李春忠;李云峰;牛晓凤 -专利权人：华东理工大学;上海市纳米科技与产业发展促进中心
申请日： 2015-08-05 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H01M4/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种三氧化钼包覆钼掺杂二氧化钛纳米复合颗粒，其中三氧化钼包覆在三价钼离子掺杂二氧化钛纳米颗粒的表面；其中，二氧化钛为锐钛相和金红石相组成的混相，二氧化钛颗粒之间具有烧结界面且呈类链状结构。本发明采用一步火焰喷雾燃烧技术，可快速连续化制备所述的三氧化钼包覆钼掺杂二氧化钛纳米复合颗粒材料；最大限度发挥协同作用；提高了TiO2的电导率，且与表面生长的MoO3一起提供额外嵌锂空间，提高了比容量，保证材料的高的电化学活性和高倍率性能，应用在锂离子电池负极材料领域具有优异的倍率性能和循环稳定性。
一种氧化钼包覆钼掺杂氧化纳米复合颗粒及其制备方法应用

[实用新型]一种高能量密度高电压的异形锂离子电池-CN201621015927.3有效
发明人：刘浩涵;代贤友;刘微;曹逸平;张军;皇甫唐寅;张静;李萍;闵国全 -专利权人：上海产业技术研究院;上海市纳米科技与产业发展促进中心
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01M10/0525 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高能量密度高电压的异形锂离子电池，异形锂离子电池由若干单体电池串联而成，且该异形锂离子电池外部设置有电池外壳，单体电池包括电池正极极片、电池负极极片以及电解液；电池正极极片、电池负极极片呈圆形、规则多边形或者不规则多边形；电池正极极片、电池负极极片通过叠片而构成单体电池内封装体，电池正极极片、电池负极极片之间设置有隔膜；单体电池内封装体外部设置铝塑膜而构成单体电池，单体电池的正负极设置有极耳，封装完成的单体电池内部填充有电解液。本实用新型根据电池腔体的形状来设计电池的形状，使存放电池的空间得以充分利用，电池具有更高的能量密度，电压高，适用范围广。
一种高能量密度电压异形锂离子电池

[实用新型]智能交通系统锂离子电池储能装置-CN201620737633.5有效
发明人：刘浩涵;代贤友;刘微;曹逸平;皇甫唐寅;张军;张静;李萍;闵国全 -专利权人：上海产业技术研究院;上海市纳米科技与产业发展促进中心
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01M2/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种智能交通系统锂离子电池储能装置，其包括装置本体，该装置本体包括由锂离子电池组构成的电能存储系统、电池管理系统以及防水盒状结构；电能存储系统接于电池管理系统；电能存储系统、电池管理系统安装于防水盒状结构中；防水盒状结构设置有将装置本体可拆卸地安装于站牌桩的抱箍。本实用新型采用了具有高容量、长寿命、安全性能好的锂离子电池为公交站牌的智能交通指示系统提供电能，同时利用太阳能板对电池提供部分电能，节约了成本，并能长时间对外提供电能；电池固定装置简单，防水效果好，电池的取下与安装操作简单，采用环形或多边形抱箍设计，使该装置紧紧固定在站牌桩上，提高安全性能。
智能交通系统锂离子电池装置

[发明专利]一种同质蛋黄-壳结构Bi₂MoO₆微球及其制备方法、应用-CN201410620786.7有效
发明人：黎晋良;刘心娟;潘丽坤;孙卓;李萍;张静;宋志棠;闵国全 -专利权人： 上海市纳米科技与产业发展促进中心;华东师范大学
申请日： 2014-11-06 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： B01J23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种同质蛋黄‑壳结构Bi₂MoO₆微球及其制备方法，所述同质蛋黄‑壳结构Bi₂MoO₆微球是以Bi₂MoO₆为蛋黄‑壳结构的微球，所述蛋黄由Bi₂MoO₆纳米颗粒自组装而形成，所述壳由Bi₂MoO₆纳米片自组装而形成，所述蛋黄与壳之间具有空腔。本发明的同质蛋黄‑壳结构Bi₂MoO₆微球具有优异的可见光催化活性，无污染，无毒，成本低。本发明的制备工艺简单，温度较低，条件温和，操作方便，成本低廉，适合工业化生产。
一种同质蛋黄结构 bi sub moo 及其制备方法应用

[发明专利]一种含PTC元件锂离子电池负极制备方法-CN201610446371.1在审
发明人：刘浩涵;刘微;代贤友;曹逸平;张军;张静;李萍;闵国全 -专利权人：上海产业技术研究院;上海市纳米科技与产业发展促进中心
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01M4/139 文献下载
摘要：本发明公开了一种含PTC元件锂离子电池负极制备方法，该方法使用多孔陶瓷热敏材料，将其预先与导电剂和粘结剂制备成浆料，并涂覆在铜箔或铝箔上得到预涂层集流体，然后在预涂层集流体上涂布负极材料，得到负极极片，该负极极片与相关正极极片匹配按照电池制备工艺制备成锂离子电池。本发明制备的预涂层集流体厚度均匀，性能稳定，制备出的锂离子电池安全性能良好，并且在预涂层制备过程中，使用去离子水作为分散剂，降低了对环境的污染。
一种 ptc 元件锂离子电池负极制备方法

[发明专利]一种低温高容量聚合物锂离子电池制备方法-CN201610649334.0在审
发明人：刘浩涵;代贤友;刘微;曹逸平;张军;皇甫唐寅;张静;李萍;闵国全 -专利权人：上海产业技术研究院;上海市纳米科技与产业发展促进中心
申请日： 2016-08-10 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01M10/058 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温高容量聚合物锂离子电池制备方法，该方法包括正极片的制备：将正极活性物、第一导电剂与第一粘结剂按质量比95:2:3‑98.5:0.5:1混合，以NMP为分散剂制备浆料，而后将浆料涂覆在铝箔上，极片烘干后经过碾压、切片工序制备出规整的正极片；负极片的制备：将负极活性物、第二导电剂、第二粘结剂按质量比94:2:4‑98:0.5:1.5，以去离子水为分散剂制备浆料，然后将浆料涂覆在铜箔上，极片烘干后经过碾压、切片工序制备出规整的负极片；电池的制备：将前述步骤制备的极片采用叠片方式制备出电芯，再经过极耳焊接、封装、注液、化成、老化、终封工序制备出锂离子电池。该方法获取的锂离子电池既提高了能量密度，也具有良好的低温性能。
一种低温容量聚合物锂离子电池制备方法

[发明专利]基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路及读出方法-CN201410631642.1有效
发明人：李喜;闵国全;宋志棠;陈后鹏;张琪;王倩;金荣 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海市纳米科技与产业发展促进中心
申请日： 2014-11-11 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路及读出方法，用于读出所述相变存储器中被选中的相变存储单元所存储的数据，其中，所述基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路至少包括：虚拟单元，读电路工作电压产生电路，稳压缓冲电路，读电路以及电平转换电路。本发明的基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路及读出方法，通过预先产生使读电路能够安全工作的读出电压，有效地避免了存储单元在读取过程中可能产生的读破坏现象；同时，无须通过钳位电路对被选中的相变存储单元所在的位线进行钳位保护，能有效地加快数据读出过程，特别适用于使用二极管作为选通管的相变存储器。
基于二极管相变存储器数据读出电路方法

[发明专利]基于新型碳基材料的扣式锂离子电池及制备方法-CN201210038500.5无效
发明人：张燕萍;闵国全;宋志棠;周伟民;王金合;张静 -专利权人： 上海市纳米科技与产业发展促进中心
申请日： 2012-02-14 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01M10/058 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用新型碳基材料作为锂离子电池负极的制备方法，具体包括：碳纳米管、石墨烯和碳纳米管/石墨烯复合材料的制备、正极和负极制片、扣式锂离子电池的装配以及压制封口。采用该方法制备的扣式锂离子电池能大幅提高电池容量及倍率性能，而且在充放电过程中对负极活性物质结构的影响很小，大大提升电池的稳定性和循环性能。
基于新型基材锂离子电池制备方法

[发明专利]一种溶剂渗透纳米压印微纳结构制备方法-CN201110290555.0无效
发明人：王金合;闵国全;宋志棠;周伟民;张静;张燕萍 -专利权人： 上海市纳米科技与产业发展促进中心
申请日： 2011-09-26 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明是一种利用溶剂渗透的方法制备微纳结构的纳米压印方法。其特征在于：首先利用聚合物溶液和硅橡胶(PDMS)软模板进行聚合物溶液的微纳结构预成型，然后利用聚合物溶液中的溶剂向PDMS模板的渗透使聚合物析出的方法实现聚合物微纳结构的成型。这种制备微纳结构的方法适合多种聚合物以及聚合物/纳米粒子共混物的微纳结构加工，对成型材料限制少，适用范围广；成型过程中无需紫外光或者加热辅助固化，成型设备简单，成本低。
一种溶剂渗透纳米压印结构制备方法

[发明专利]一种纳米结构压印硬模板-CN200910044948.6无效
发明人：刘彦伯;钮晓鸣;宋志棠;闵国全;周伟民;张静;万永中;张挺;李小丽;张剑平;施利毅;刘波;封松林 -专利权人： 上海市纳米科技与产业发展促进中心;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2009-01-06 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米结构压印硬模板，属于纳米制造领域。其特征在于：利用多孔阳极氧化铝(AAO)膜技术制备硬质材料基底多孔模板，通过增加硬质基底和表面修饰处理后直接作压印(自上而下)模板。多孔阳极氧化铝膜可以自组织生长成六度对称的有序多孔结构，孔洞陡直且分布均匀，用它作为模板通过热蒸发、溅射和沉积以及电化学组装等定向组装(自下而上)的加工方法已经制备出各种具有光学、电学和磁学等性能的纳米结构和器件。本发明通过增加硬质材料基底和表面修饰处理将AAO模板技术移植到自上而下的表面微结构加工领域，这种纳米级高密度结构压印硬模板制作方法与目前常用的电子束直写等技术方法相比，具有成本低、周期短、工艺简单的显著特点。可以广泛应用于纳米级、高密度表面纳米结构加工与研究中，在半导体照明、高密度存储等领域前景广阔。同时，由于增加了硬质基底，克服了现有AAO模板脆且易碎的缺点，更利于软模板复制。
一种纳米结构压印模板

[发明专利]一种去除冷压印残留胶层的方法-CN200910044949.0无效
发明人：刘彦伯;钮晓鸣;宋志棠;闵国全;周伟民;张静;万永中;张挺;李小丽;张剑平;施利毅;刘波;封松林 -专利权人： 上海市纳米科技与产业发展促进中心;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2009-01-06 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种去除冷压印残留胶层的方法，属于纳米制造领域。其特征在于：在透光模板图形表面选择性覆盖不透光材料，将图案表面进行修饰后直接用作模板压印，能够使光敏压印胶复型结构选择性的固化，最后用化学溶剂将未固化区域的压印胶直接清洗去除，实现压印后清除压印残留胶层的目的。
一种去除压印残留方法

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