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[发明专利]集成电路结构及其形成方法-CN202210152098.7在审
发明人：潘谊纹;柯忠祁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种集成电路结构及其形成方法，集成电路结构包含基板、晶体管、第一介电质层、金属接触、第一低k介电质层、第二介电质层、第一金属特征。晶体管位于基板上方。第一介电质层位于晶体管上方。金属接触位于第一介电质层内并与晶体管电连接。第一低k介电质层位于第一介电质层上方。第二介电质层位于第一低k介电质层且第二介电质层的一介电常数高于第一低k介电质层的一介电常数。第一金属特征延伸穿越第二介电质层和第一低k介电质层至金属接触。
集成电路结构及其形成方法

[发明专利]半导体存储器元件及其制备方法-CN201910964409.8在审
发明人：许平 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：半导体存储器元件具有基底、栅极结构、第一介电质、第二介电质、插塞、储存节点着陆垫、位元线、第三介电质及储存节点。基底具有漏极以及源极。栅极结构配置在基底上，在漏极与源极之间。第一介电质配置在基底上，覆盖栅极结构。第二介电质配置在第一介电质上。插塞具有第一部位及第二部位，第一部位在第一介电质中，第二部位在第二介电质中，第一部位接触基底的源极。储存节点着陆垫覆盖插塞的第二部位，第二介电质覆盖储存节点着陆垫。位元线配置在第二介电质与第三介电质之间，且连接基底的漏极。第三介电质配置在位元线上。储存节点配置在第三介电质上，并穿经第二介电质与第三介电质接触储存节点着陆垫。
半导体存储器元件及其制备方法

[发明专利]用于掺氮的浅沟槽隔离介电质的方法和结构-CN201410281306.9有效
发明人：李兴隆;王怡杰;林宗翰;彭光荣;张澐;郭守文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-06-20 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有掺氮的填充介电质的隔离部件以及形成该隔离部件的方法。在一个示例性实施例中，形成隔离部件的方法包括接收具有顶面的衬底。在衬底中蚀刻凹槽，该凹槽从顶面延伸至衬底中。在凹槽内沉积介电质，使得沉积介电质包括在化学汽相沉积工艺过程中引入氮。因此，沉积的介电质包括掺氮的介电质。沉积的介电质可以包括掺氮的氧化硅。在一些实施例中，沉积介电质使掺氮的介电质与凹槽的表面相接触。在又一些实施例中，在凹槽内沉积介电质之前在凹槽内沉积衬垫材料。
用于沟槽隔离介电质方法结构

[发明专利]具有钨插塞的稳定金属结构-CN200410096931.2有效
发明人：曾鸿辉;章勋明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-12-06 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明是关于一种具有钨插塞的稳定金属结构，在较佳实施例中，较厚的一般介电常数介电质形成于基材上。钨插塞形成于前述较厚的一般介电常数介电质中。此较厚的一般介电常数介电质为内缩，而较薄的低介电常数介电质则形成于此较厚的一般介电常数介电质上。前述较薄的低介电常数介电质作为粘着层以及蚀刻终止层。较厚的低介电常数介电质是形成于此较薄的低介电常数介电质上。视情况而定，可形成开口贯穿此较厚的低介电常数介电质以暴露出钨插塞。然后，前述开口以铜或铜合金填满。
具有钨插塞稳定金属结构

[发明专利]制造半导体元件的方法-CN201911182045.4在审
发明人：陈盈桦;许峰嘉;吕文祯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在基板上形成第一层间介电质层。在第一层间介电质层上形成化学机械研磨停止层。通过对化学机械研磨停止层与第一层间介电质层进行图案化来形成沟槽开口。通过在沟槽开口中形成第一导电层来形成下层第一制程标记。在下层第一制程标记上形成下部介电质层。在下部介质层上形成中间介电质层。在中间介电质层上形成上部介电质层。在上部、中间及下部介电质层上执行平坦化操作，以使中间介电质层的一部分保留在下层第一制程标记上方。通过移除中间介电层的剩余部分而通过下部介电层形成第二制程标记。
制造半导体元件方法

[实用新型]同轴电连接器的结构-CN201020158393.6无效
发明人：李业兴;洪俊豪 -专利权人：千如电机工业股份有限公司
申请日： 2010-03-11 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： H01R24/02 文献下载
摘要：本实用新型有关一种同轴电连接器的结构，属于电子类，其主要由介电质壳体及外壳本体组成，其中外壳本体呈弧形，而后依照此外壳本体做为基础，利用射出成形的方式形成一介电质壳体，而此介电质壳体收容有一环状空间、且于其预定壁面形成两个固定区段，让固定区段能依照外壳本体做弧形固定，另于介电质壳体底部设有介电质底座，而介电质壳体内另设有一导体，其导体由介电质底座加以固定，而导体上的导体接脚则由介电质底座向外侧延伸，外壳本体通过介电质壳体的包覆，
同轴连接器结构

[实用新型]一种用于消解样品的介电质阻挡放电装置-CN201921902825.7有效
发明人：袁潇;徐进勇;刘宏;陈代伟;梁恒兴;叶一 -专利权人：成都市食品药品检验研究院;成都理工大学
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： G01N1/44 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于消解样品的介电质阻挡放电装置，包括介电质管、样品管，介电质管为封闭管体，介电质管内充满惰性气体，介电质管内设置电场组件，电场组件包括第一电极、第二电极、电源，第一电极和第二电极均电连接电源，第一电极和第二电极分别位于介电质管的两端，样品管贯穿介电质管和电场组件，样品管进口端通过泵连通样品瓶，样品管出口端连通接样杯。
一种用于消解样品介电质阻挡放电装置

[实用新型]一种介电质层结构-CN200820140305.2无效
发明人：于佰华 -专利权人：和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2008-10-13 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种介电质层结构，其特征在于，包括：衬底；位于衬底之上的金属线；位于该衬底及该金属线之上的第一层介电质层，作为阻挡层；位于该第一层介电质之上的第二层介电质层；位于该第二层介电质层之上的第三层介电质层，该第三层介电质层的表面通过化学机械研磨工艺达到表面的平坦化；以及位于该第三层介电质层之上的氧化物薄膜。采用本实用新型的结构，可以解决在CMP研磨过程可能出现的刮痕问题而引起的金属连线问题，补偿调整介电质层的厚度，减少晶片与晶片之间的厚度差异。
一种介电质层结构

[发明专利]一种减小双层前金属介电质层开裂现象的方法-CN201210014802.9无效
发明人：徐强;张文广;郑春生;陈玉文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-01-18 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种减小双层前金属介电质层开裂现象的方法。本发明一种减小双层前金属介电质层开裂现象的方法，通过在第一前金属介电质层上沉积第二金属介电质层之前，先对第一前金属介电质层进行去离子清洗，以去除第一前金属介电质层上的磷，从而增强了第一前金属介电质层与第二前金属介电质层之间的黏粘性
一种减小双层金属介电质层开裂现象方法

[发明专利]电浆产生系统及温度调节方法-CN201910578357.0有效
发明人：刘立熙 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本案是关于一种电浆产生系统，该电浆产生系统具有：介电质窗、设置于该介电质窗上的感应线圈、设置于该介电质窗上的气体分配元件，及耦接至该气体分配元件的气体调节系统。气体分配元件经配置以在介电质窗上排放热调节气体，并且调节横跨介电质窗的温度。气体调节系统经配置以供应热调节气体至气体分配元件。
产生系统温度调节方法

[实用新型]天线装置-CN202321313225.3有效
发明人：沈公宇 -专利权人：荣昌科技股份有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01Q1/12 文献下载
摘要：本实用新型公开一种天线装置，包括天线接头、阻尼环及天线本体，天线接头包括转接座及射频连接器，射频连接器包括锁定外壳、介电质件及内导体，内导体固定于介电质件内，介电质件的一端可转动地设置在锁定外壳内，介电质件的另一端固定于转接座，阻尼环套设介电质件且预压地弹性抵接在介电质件与锁定外壳之间，天线本体枢设转接座，当介电质件相对于锁定外壳转动时，阻尼环对介电质件施加反向的阻尼力；由此，能够使天线装置快速插拔并有效避免天线本体受重力影响而带动转接座转动
天线装置

[发明专利]集成电路装置的结构及其制造方法-CN202110274387.X在审
发明人：潘冠廷;詹易叡;江国诚;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：根据一实施例，集成电路装置的结构包括了第一组鳍片结构、第二组鳍片结构以及位于第一组鳍片结构与第二组鳍片结构之间的介电质堆叠。介电质堆叠的顶表面与第一组鳍片结构及第二组鳍片结构的顶表面实质上处于同水平。介电质堆叠包括了顺应介电质堆叠的底部及侧壁的第一介电材料、沿着介电质堆叠的顶表面的第二介电材料、以及位于介电质堆叠中间的第三介电材料。集成电路装置的结构还包括位于第一组鳍片结构、第二组鳍片结构及介电质堆叠上方的栅极结构。
集成电路装置结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构-CN202211363787.9在审
发明人：庄晴凯 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：该半导体结构包括一基底；设置在该基底上的一位元线结构；围绕该位元线结构的一第一介电质层；围绕该第一介电质层的一下部的一第二介电质层，其中该第二介电质层借由一第一气隙与该第一介电质层分开；以及围绕该第一介电质层的一上部并密封该第一气隙的一第三介电质层
半导体结构

[发明专利]一种改善平坦化工艺中金属挤压缺陷的方法-CN201910347751.3有效
发明人：于涛;曹秀亮 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善平坦化工艺中金属挤压缺陷的方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有金属层间介电质层，在所述金属层间介电质层内形成有独立的金属结构；刻蚀所述金属层间介电质层，使金属层间介电质层的上表面形成高度差，且所述金属结构上方对应的所述金属层间介电质层的高度，低于所述半导体衬底上所述金属结构以外的位置处对应的所述金属层间介电质层的高度；对所述金属层间介电质层进行平坦化处理。本发明通过增加刻蚀金属层间介电质层的步骤，使金属层间介电质层的上表面形成高度差，在后续的平坦化处理步骤中，研磨的应力主要集中在金属结构以外的位置处，有效减小了金属结构所受应力，从而改善金属挤压缺陷。
一种改善平坦化工金属挤压缺陷方法

[发明专利]一种固态电解质电芯的制备方法及其制备工具-CN202111277215.4在审
发明人：曹元成;曾威;李首顶;赵玉振 -专利权人：广东瑞科美电源技术有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01M10/0565 文献下载
摘要：本发明公开了一种固态电解质电芯的制备方法及其制备工具，制备方法包括以下步骤：制备固体电解质：将聚多元醇与多官能团丙烯酸酯单体混合，搅拌均匀，再加入电解液和催化剂，再次搅拌，得到固体电解液；注入固体电解质：将固体电解液注入电芯，并封装电芯，并静置，得到半成品电芯；固化固体电解质：夹紧半成品电芯，并进行加热固化，得到固态电解质电芯。所述固态电解质电芯的制备方法操作简单，而且相对电芯产线改动较小，在原有基础上增加夹紧电芯的工序，电芯产线上设备基本不变。固态电解质电芯的固体电解质具有优异的吸液性能，离子传导率高，大幅提高高容量锂电池的高倍率性能和循环性能。
一种固态电解质制备方法及其工具

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