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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]形成互连结构的方法和互连结构-CN202210683933.X在审
  • 李明宗;潘谊纹;吕子农;李祐岚;柯忠祁 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2022-06-16 - 2023-03-24 - H01L21/768
  • 本发明的实施例提供了形成互连结构的方法包括在衬底上方沉积介电层，以及蚀刻介电层以形成开口并且暴露介电层下面的第一导电部件。使用其中包括氮的前体形成介电层。方法还包括沉积延伸到开口中的牺牲间隔件层，以及图案化牺牲间隔件层以去除牺牲间隔件层的底部部分。留下位于开口中和介电层侧壁上的牺牲间隔件层的垂直部分以形成环。在开口中形成第二导电部件。第二导电部件由环环绕，并且第二导电部件位于第一导电部件上方并且电耦合到第一导电部件。去除环的至少部分以形成空气间隔件。本发明的实施例还提供了互连结构。
  • 形成互连结构方法
  • [发明专利]集成电路结构及其形成方法-CN202210152098.7在审
  • 潘谊纹;柯忠祁 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2022-02-18 - 2022-09-02 - H01L21/8234
  • 一种集成电路结构及其形成方法，集成电路结构包含基板、晶体管、第一介电质层、金属接触、第一低k介电质层、第二介电质层、第一金属特征。晶体管位于基板上方。第一介电质层位于晶体管上方。金属接触位于第一介电质层内并与晶体管电连接。第一低k介电质层位于第一介电质层上方。第二介电质层位于第一低k介电质层且第二介电质层的一介电常数高于第一低k介电质层的一介电常数。第一金属特征延伸穿越第二介电质层和第一低k介电质层至金属接触。
  • 集成电路结构及其形成方法
  •  1 
  • 共 3 条
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