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[发明专利]高-介电系数金属闸极装置-CN201110405732.5有效
发明人：陈学深;尹春山 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2011-12-05 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：所述方法包含提供基板。所述方法更包含在基板上形成具有闸电极的闸极堆栈，包含形成金属闸电极层。在所述金属闸电极层的顶部上，形成缓冲闸电极层，以及在所述金属闸电极层上方，形成具有多硅合金的顶部闸电极层。
系数金属装置

[发明专利]存储器器件-CN202010098010.9在审
发明人：张智胜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-02-17 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：一种器件包含：包含第一导电材料的底部电极；底部电极上方的介电层；介电层上方的内部金属层；内部金属层上方的铁电层；以及铁电层上方的顶部电极，顶部电极包含第二导电材料，顶部电极的面积小于内部金属层的面积。
存储器器件

[发明专利]TFT基板、具备TFT基板的扫描天线、及TFT基板的制造方法-CN201780046128.3有效
发明人：美崎克纪 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-07-24 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：TFT基板具有：栅极金属层，其包含TFT(10)的栅极电极(3)；栅极绝缘层(4)，其形成在栅极金属层上；源极金属层，其形成在栅极绝缘层上，并包含TFT的源极电极(7S)、漏极电极(7D)以及贴片电极(源极金属层包含：第一金属层，其含有Ti、Mo、Ta、W及Nb中的任一种；和第二金属层，其形成在第一金属层上，并含有Cu、Al、Ag及Au中的任一种。源极电极及漏极电极分别包含第一金属层及第二金属层。源极电极的第一金属层(7SL)与漏极电极的第一金属层(7DL)之间在沟道方向上的距离小于源极电极的第二金属层(7SU)与漏极电极的第二金属层(7DU)之间在沟道方向上的距离。
tft 基板具备扫描天线制造方法

[发明专利]包含陶瓷粒子的含锂电极及其制造方法-CN202111516582.5在审
发明人： T·A·耶萨克;徐帆;R·D·施米德特;王碧琼;J·R·斯拉瓦多 -专利权人：通用汽车环球科技运作有限责任公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01M4/134 文献下载
摘要：本发明公开了包含陶瓷粒子的含锂电极及其制造方法。在本文中提供了包含陶瓷粒子的锂金属电极，以及包括该锂金属电极的电化学电池和制造该锂金属电极的方法。锂金属电极包含以下列形式存在的陶瓷粒子：与锂金属电极的第一表面相邻的陶瓷层、嵌在第一表面内、或其组合。陶瓷粒子包含锂镧锆氧化物（LLZO）粒子、氧化铝粒子或其组合。
包含陶瓷粒子电极及其制造方法

[发明专利]电极及其制造方法、以及包含该电池的金属离子电池-CN201710795346.9有效
发明人：陈光耀;林俊凱;江建志;吴俊星;杨昌中 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01M4/134 文献下载
摘要：本公开提供一种电极及其制造方法、以及包含该电极的金属离子电池。该电极包含一碳基板；一金属层，该金属层配置于该碳基板之上；以及，一结晶碳材，配置于该碳基板及该金属层之间，并与该碳基板或该金属层直接接触。本发明的电极具有高电量及高导电性，可增加包含该电极的金属离子电池的电容量。
电极及其制造方法以及包含电池金属离子

[发明专利]有源矩阵基板及带触摸传感器的液晶显示装置-CN202010493248.1在审
发明人：前田昌纪;大东彻;今井元;原义仁;北川英树;川崎达也;上田辉幸;平田义晴 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：一种有源矩阵基板及带触摸传感器的液晶显示装置，有源矩阵基板具备：源极金属层，其包含源极总线；下部绝缘层，其覆盖源极金属层；顶栅型的氧化物半导体TFT，其包含设置在下部绝缘层上的氧化物半导体层；层间绝缘层，其覆盖氧化物半导体TFT；像素电极，其设置在层间绝缘层上；共用电极，其包含能作为触摸传感器用的电极发挥功能的多个子共用电极；栅极金属层，其包含栅极总线和栅极电极；漏极金属层，其包含漏极电极；以及多个触摸传感器用配线，其分别电连接到多个子共用电极中的任意一个子共用电极，并且包含于漏极金属层。
有源矩阵触摸传感器液晶显示装置

[发明专利]接合结构体-CN201280015910.6无效
发明人：中村太一;北浦秀敏 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-12-26 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：本发明提供一种接合结构体，其具备：基板的电极；半导体元件的电极；和将基板的电极与半导体元件的电极之间接合的接合层，接合层从基板的电极朝向半导体元件的电极依次配置有：包含CuSn系的金属间化合物的第一金属间化合物层；Bi层；包含CuSn系的金属间化合物的第二金属间化合物层；Cu层；和包含CuSn系的金属间化合物的第三金属间化合物层。
接合结构

[发明专利]半导体激光装置-CN202180010942.6在审
发明人：菱田光起 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本公开的半导体激光装置包含：半导体激光元件(110)，包含第1电极(111)以及第2电极；导电部(130)，配置在第1电极(111)上；和电极块，经由导电部(130)而与半导体激光元件(110)电连接。导电部(130)包含配置为与第1电极(111)接触的多个金属构件(131)、和配置为对多个金属构件(131)之间进行填埋的导电层(132)。金属构件(131)包含金属引线部(131b)。金属引线部(131b)的一部分从导电层(132)突出。金属引线部(131b)的该一部分包含弯曲部，该弯曲部具有朝向电极块凸出的圆弧状的形状。
半导体激光装置

[发明专利]用于有机发光二极管(OLED)的电子注入层-CN201680073099.5有效
发明人：沃洛季米尔·森科维斯基;杰罗姆·加尼耶;卡斯滕·罗特 -专利权人：诺瓦尔德股份有限公司
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：本发明涉及有机发光二极管，所述有机发光二极管包含至少一个发光层、电子注入层和至少一个阴极电极，其中：‑所述电子注入层包含有机膦化合物，其中所述电子注入层不含金属、金属盐、金属络合物和金属有机化合物；‑所述阴极电极至少包含第一阴极电极层，其中‑所述第一阴极电极层包含选自碱金属、碱土金属、稀土金属和/或第3族过渡金属的第一零价金属；并且‑所述电子注入层布置成与所述第一阴极电极层直接接触。
用于有机发光二极管 oled 电子注入

[发明专利]用于电化学装置的电极、其制备方法和包含其的电化学装置-CN201680021371.5有效
发明人：李圭泰;金永真;吴承模 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01M4/134 文献下载
摘要：本发明涉及金属电极、其制备方法和包含其的电化学装置，且特定来讲，本发明可提供金属电极、其制备方法和包含其的电化学装置，其中所述金属电极包含锂或钠金属电极作为涂布有磷烯的金属电极，所述磷烯作为电化学活性材料呈单层二维薄膜形式或包含彼此堆叠的两层或更多层磷烯的多层薄膜的形式
用于电化学装置电极制备方法包含

[发明专利]金属电容-CN202010091136.3在审
发明人：陈重光;李家庆;黄建福;胡家铭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2020-02-13 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属电容。金属电容包含设置于衬底上方的第一金属层与第二金属层。第一金属层包含第一电极片与第二电极片。第二金属层包含第三电极片与第四电极片。第一平面电容形成于第一电极片与第二电极片之间；第二平面电容形成于第三电极片与该第四电极片之间。第四电极片的至少一部分位于第一电极片的上方，且第一纵向电容形成于第一电极片与第四电极片之间。第三电极片的至少一部分位于第二电极片的上方，且第二纵向电容形成于第二电极片与第三电极片之间。
金属电容

[发明专利]具有双金属电极的碱金属离子电池组-CN201180045279.X有效
发明人：达恩·A·博伊森;大卫·J·布拉德维尔;蒋凯;金昊钟;路易斯·A·奥蒂兹;多纳德·R·萨多维;阿丽娜·A·托马佐夫斯卡;韦伟峰;王康丽 -专利权人：麻省理工学院
申请日： 2011-09-20 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明涉及具有含碱金属的熔融电极的电化学电池，所述电化学电池经由包含碱金属盐的电化学途径通过在具有不同化学势的电极环境之间传输碱金属原子来提供电力的接收和输送。当碱金属与一种或多种非碱金属组合时，碱金属的化学势降低，从而在包含熔融碱金属的电极与包含组合的碱金属/非碱金属的电极之间产生电压。
具有双金属电极碱金属离子电池组

[发明专利]具金属线层的染料敏化太阳能电池及其电极-CN201010180990.3无效
发明人：陈建清;谢坤龙 -专利权人：福盈科技化学股份有限公司
申请日： 2010-05-14 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01G9/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种具金属线层的染料敏化太阳能电池及其电极。本发明提供的染料敏化太阳能电池的电极，其包含导电基板和金属线层，该金属线层的材质为镍、铝、钛或其组合，不会与染料敏化太阳能电池的电解质产生反应，因此不需于金属线的表面附加保护层。本发明也关于包含该电极的染料敏化太阳能电池，其包含：工作电极，其包含一导电基板及一感光层；对电极，其包含一导电基板及一触媒层；电解质，其介于所述工作电极和所述对电极之间；金属线层，该金属为镍、铝、钛或其组合
金属线染料太阳能电池及其电极

[发明专利]具有电感和金属-绝缘层-金属电容的结构-CN201410748125.2有效
发明人：周志飚;吴少慧;古其发 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2014-12-09 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本发明公开一种具有电感和金属‑绝缘层‑金属电容的结构，前述结构包含一介电层、一电感和一金属‑绝缘层‑金属电容，电感和金属‑绝缘层‑金属电容设置于介电层中，电感包含一核芯结构以及一线圈环绕核芯结构，金属‑绝缘层‑金属电容包含一上电极、一下电极以及一绝缘层，值得注意的是上电极和下电极两者其中之一包含构成核芯结构的材料。
具有电感金属绝缘电容结构

[发明专利]金属杂质的引入以改变导电电极的功函数-CN200780001799.4无效
发明人： M·P·胡齐克;B·B·多里斯;S·古哈;R·詹米;V·纳拉亚南;V·K·帕鲁许里;Y·Y·王;K·孔洪翁 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-01-03 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供半导体结构，例如场效应晶体管(FET)和/或金属－氧化物－半导体电容器(MOSCAP)，其中通过向包含金属的材料层中引入金属杂质来改变导电电极叠层的功函数，该包含金属的材料层与导电电极一起存在于电极叠层中金属杂质的选择取决于电极具有n型功函数还是p型功函数。本发明还提供一种制造该半导体结构的方法。金属杂质的引入可以通过共沉积这样的层而实现，该层包含包含金属的材料和改变功函数的金属材料，形成其中在包含金属的材料的层之间存在金属杂质层的叠层，或者通过在包含金属的材料之上和/或之下形成包括金属杂质的材料层，然后加热该结构以将金属杂质引入包含金属的材料中而实现。
金属杂质引入改变导电电极函数

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