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[发明专利]颗粒物蚀积测量装置及沙土蚀积测量方法-CN201710440586.7有效
发明人：李锦荣;吴永胜;尹瑞平;郭建英;何京丽;郝伟罡 -专利权人：水利部牧区水利科学研究所
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G01B5/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种颗粒物蚀积测量装置及沙土蚀积测量方法，属于测量领域。颗粒物蚀积测量装置，包括杆件和贴合件，杆件和贴合件可滑动连接；杆件的一端为插入端，杆件的另一端为顶端；贴合件上具有贴合部和滑动部，贴合部和滑动部转动连接，贴合部上具有贴合面，滑动部可沿杆件的轴向滑动。这种颗粒物蚀积测量装置，在测量沙丘坡面或多变微地形表面侵蚀和堆积格局时，装置的贴合面可以和松软沙土的表面贴合，然后经测量滑动部和杆件上的顶端的距离，具有很高的精度。这种沙土蚀积测量方法，从而可以实现高精度测量。
颗粒物蚀积测量装置沙土测量方法

[发明专利]耐腐蚀性膜及其制造方法,表面固化抗蚀剂图形及其制造方法,及半导体器件及其制造方法-CN03825348.8有效
发明人：野崎耕司;武田正行 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-02-28 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明目的在于提供一种固化耐腐蚀性差的抗蚀剂图形的表面以提高其耐腐蚀性且适合于微细、高精细的图形形成的表面固化抗蚀剂图形及其有效的制造方法。本发明的表面固化抗蚀剂图形的制造方法是一种表面具有耐腐蚀性的表面固化抗蚀剂图形的制造方法，其特征在于，在抗蚀剂图形上选择性地淀积有机化合物。优选地，使用介电气体的等离子体来进行上述淀积的方式、对向设置在衬底上淀积的有机化合物和被处理对象来进行上述淀积的方式，优选从与淀积有有机化合物的衬底侧相反的一侧导入上述介电气体的等离子体等。
腐蚀性及其制造方法表面固化抗蚀剂图形半导体器件

[实用新型]颗粒物蚀积测量装置-CN201720679316.7有效
发明人：吴永胜;邢恩德;刘静;田秀民;珊丹;张欣 -专利权人：水利部牧区水利科学研究所
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： G01B5/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种颗粒物蚀积测量装置，属于测量领域。颗粒物蚀积测量装置，包括杆件和贴合件，杆件和贴合件可滑动连接；杆件的一端为插入端，杆件的另一端为顶端；贴合件上具有贴合部和滑动部，贴合部和滑动部转动连接，贴合部上具有贴合面，滑动部可沿杆件的轴向滑动。这种颗粒物蚀积测量装置，在测量沙丘坡面或多变微地形表面侵蚀和堆积格局时，装置的贴合面可以和松软沙土的表面贴合，然后经测量滑动部和杆件上的顶端的距离，具有很高的精度。这种沙土蚀积测量方法，从而可以实现高精度测量。
颗粒物蚀积测量装置

[发明专利]光致抗蚀膜、抗蚀图案的形成方法及导体图案的形成方法-CN201710685298.8在审
发明人：横道清一 -专利权人：日兴材料株式会社
申请日： 2017-08-11 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：本申请涉及一种光致抗蚀膜、抗蚀图案的形成方法及导体图案的形成方法。本发明提供一种光致抗蚀膜，其在层压至被加工基材上时不易产生气隙，即便是经非硅酮系脱模剂涂布的保护膜，从感光性树脂组合物层剥离的剥离性也优异。本发明的光致抗蚀膜的特征在于：其是在(I)支撑膜上具有(II)感光性树脂组合物层/(III)保护膜的积层构造，且(II)感光性树脂组合物层的厚度为33μm以下的光致抗蚀膜，(III)保护膜是在(II)感光性树脂组合物层上的积层面的最大高度
光致抗蚀膜感光性树脂组合物层保护膜导体图案抗蚀图案剥离加工基材剥离性聚酯膜脱模剂支撑膜胶带层压硅酮积层气隙申请

[发明专利]图形形成方法-CN03158115.3无效
发明人：川嶋光一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-09-11 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种图形形成方法，是在使用由ArF准分子激光感光用的抗蚀剂材料构成的抗蚀剂图形进行刻蚀的工序中，能够防止抗蚀剂坍塌，在被刻蚀膜中可靠地得到各向异性形状，同时能够控制图形的尺寸。在将形成了抗蚀剂图形(16)的晶片(11)投入到干法刻蚀装置中，以抗蚀剂图形(16)作为刻蚀掩模，对反射防止膜(15)及氮化硅膜(14)进行干法刻蚀。据此，对晶片(11)的中心，相对厚地附着堆积在抗蚀剂图形(16)的内侧的第1堆积物(17A)和堆积在它的外侧的第2堆积物(17B)的任何一个。
图形形成方法

[实用新型]一种PCB微蚀同步净化器-CN201620625758.9有效
发明人： -专利权人：
申请日： 2016-06-23 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： C23F1/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种PCB微蚀同步净化器，包括微蚀液或微蚀废液储存箱、第一泵、旋流电积系统和第二泵，所述第一泵的一端通过管道与微蚀液或微蚀废液储存箱连接，且第一泵的另一端通过管道连接在旋流电积系统上；所述第二泵的一端通过管道与旋流电积系统连接，且第二泵的另一端通过管道连接在微蚀液或微蚀废液储存箱上；所述旋流电积系统会根据含铜量多少来调整电流；所述微蚀液或微蚀废液储存箱、第一泵、旋流电积系统和第二泵通过管道连接成闭环式结构；所述第一泵和第二泵结构相同；该PCB微蚀同步净化器，它采用将净化、再生和回收高品质的电积铜同步为一体式的处理方式，而且闭环式的运行不会造成额外污染，实用性强，易于推广使用。
一种 pcb 同步净化器

[发明专利]图像传感器中平面滤色器的制作方法-CN200310104368.4有效
发明人：山本克已 -专利权人：华微半导体（上海）有限责任公司
申请日： 2003-10-24 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：此方法包括在图像传感器衬底上淀积第一聚合物层。对第一聚合物层刻图形而形成许多柱体。然后，在柱体上淀积第二聚合物层。可选地，对第二聚合物层进行回蚀。本发明的方法使得能够平整化图像传感器衬底。
图像传感器平面滤色器制作方法

[发明专利]感光元件、感光元件辊、使用其的抗蚀图形的制法、抗蚀图形、抗蚀图形的积层片、布线图形的制法及布线图形-CN00809410.1有效
发明人：千叶达男;市川立也 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2000-06-21 - 公布日： 2002-07-10 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明提供一种感光元件、感光元件辊、使用其的抗蚀图形的制法、抗蚀图形、抗蚀图形的积层基片、布线图形的制法及布形图形,在由双轴取向聚酯膜及其一面上具有感光性树脂组合物层的支撑膜所构成的感光元件中,在与形成该支撑膜的所述感光性树脂组合物层的面的对面上具有含微粒子的树脂层,所述感光性树脂组合物为(A)含羧基的粘合剂聚合物、(B)分子内有至少一种可聚合的烯类不饱基团的光聚合性化合物,以及(C)光聚合引发剂所构成。
感光元件使用图形制法积层片布线

[发明专利]不规则花痕再生蚀化晶层的制法-CN94105675.9无效
发明人：魏一成 -专利权人：魏一成
申请日： 1994-05-13 - 公布日： 1996-04-10 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：一种不规则花痕再生蚀化晶层制法，主要是于玻璃蚀物壳面不定点喷滴具抗酸腐化合液，供便吃酸渐进过程呈现渗覆盖予喷滴周边壳表积面，再于淡、浅至深酸性化合物水溶液中作用复返数次浸泡，得使未喷具抗酸腐壳面端授复次渐阶程式渗泡而腐蚀酸化呈不规则渗入壳面表层中，形成具抗酸并随应蚀化流程渗覆盖突起壳面与复次逐渐蚀化再生花痕纹现表壳层，呈现两不同对比互托映自然流露不定形结晶层雪花般立体壳表画面效果技术运用。
不规则再生蚀化晶层制法

[发明专利]在半导体器件的夹断的有源区中改善二硅化钛的电阻-CN02801343.3无效
发明人： G·E·A·M·范德文;M·J·B·波尔特 -专利权人：皇家菲利浦电子有限公司
申请日： 2002-04-12 - 公布日： 2004-08-11 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：包括由间隔层(10－13，20－23)界定的硅衬底(1)中的有源区(5，6，16)，有源区(5，6，16)被设置成接触包括TiSi₂的互连区(29)；该方法包括，在衬底(1)上淀积氧化层(26)；在氧化层(26)上淀积抗蚀剂层(27)并将其图形化；用已图形化的抗蚀剂层(27)，进行氧化物(26)的反应离子蚀刻以界定有源区(5，6，16)；通过至少含有氧的干法条纹等离子体去除抗蚀剂(27)；在氧化层(26)和有源区(5，6，16)上淀积钛(28)；通过第一退火、选择湿法蚀刻和第二退火步骤形成互连区(29)作为自对准的TiSi₂；干法条纹等离子体至少包括作为第二气体组分的氟
半导体器件有源改善二硅化钛电阻

[发明专利]用背面曝光和非镜面反射层光刻形成自对准掩模的方法-CN91102566.9无效
发明人：乔治·爱德华·波辛;西格弗里德·阿夫特格特 -专利权人：通用电气公司
申请日： 1991-04-17 - 公布日： 1996-07-03 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种光刻制造掩模方法包括下列步骤在透明衬底主表面上形成岛状结构；在该表面和整个岛状结构上淀积至少一透明材料层；在整个至少一透明层上淀积光致抗蚀材料层；将该表面对面的衬底表面背面在紫外光中曝光，将至少一部分紫外光反射回光致抗蚀层中；在紫外曝光之前在光致抗蚀层上淀积非镜面层，然后除去经曝光的光致抗蚀部分，以形成与岛状结构对准且其各边比岛状结构窄一预选重叠距离的掩模。
背面曝光非镜面反射层光刻形成对准方法

[实用新型]一种风洞模拟野外沙丘表面蚀积特征的探针式仪器-CN202221322005.2有效
发明人：徐铮铮;韩彦隆;高永;蒙仲举;党晓宏;田晓宁;张超;李婉娇;包晓英;吴晓燕;崔健;王鹏 -专利权人：内蒙古农业大学
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G01M9/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种风洞模拟野外沙丘表面蚀积特征的探针式仪器，属于蚀积特征测量技术领域。风洞模拟野外沙丘表面蚀积特征的探针式仪器，包括：用于固定在风洞口的固定架，所述固定架上平行且间隔设置有多个滑道，所述滑道内滑动设置有多个探针，多个所述探针均通过锁定件锁紧在所述滑道内，所述探针上设有刻度
一种风洞模拟野外沙丘表面特征探针仪器

[发明专利]能够迅速清除积碳和重油的水基清洗剂组合物-CN200810148043.9无效
发明人：幸泽宽;向巧;何勇;段睿;颜明华;黄选民;唐恩军 -专利权人：中国人民解放军第五七一九工厂
申请日： 2008-12-26 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： C23G1/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够迅速清除积碳和重油的水基清洗剂组合物，利用本发明可以显著地提高去除各种重油污，污垢的清洗能力和抗硬水和缓蚀性能，特别是具有对金属表面积碳极强的清除能力，解决了现有技术对于附着于金属表面的各种积碳污垢和杂质不能溶解本发明通过下述技术方案予以实现：将含有：1％～5％的增效助剂，0～10％的氢氧化钠，15％～18％的活性剂，0～5％的活化剂，4％～8％的缓蚀助剂，0.5％～1.5％的稳定剂，0～5％的添加剂水进行混和制的基清洗剂组合物本发明适用于机械制造和维修过程中各种金属及合金、非金属加工工序间清洗零部件及其制品的积碳和重油污的清洗。是一种非ODS环保型的水基清洗剂。
能够迅速清除重油水基清洗剂组合

[发明专利]用于磁头的籽晶层去除的方法-CN01820758.8无效
发明人：理查德·西奥;尼尔·L·罗伯逊;帕特里克·R·韦布 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2001-12-21 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： G11B5/17 文献下载
摘要：该籽晶层包括钨或钛并通过溅射淀积过程制造，而且该籽晶层导电，其中电镀部件(比如感应线圈部件和磁极)有效地电镀在制造在籽晶层上的光刻形成的光致抗蚀剂沟上。在电镀之后，利用标准湿法化学处理去除光致抗蚀剂层。利用氟类物质活性离子蚀刻过程，较多地去除籽晶层，氟RIE过程形成了气态氟化钨或氟化钛化合物去除产物。因为气态氟化物不重新淀积，因此克服了籽晶层沿电镀部件的侧面重新淀积的问题。本发明也包括增强的两部分的籽晶层，其中下部分是钨、钛或钽，上部分包括构成要电镀的部件的材料。
用于磁头籽晶去除方法

[发明专利]形成电镀图案的方法和制造薄膜磁头的方法-CN200510102517.2无效
发明人：三宅裕子 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-09-08 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：该形成电镀图案的方法能够确保进行了亲水性处理的抗蚀剂图案变窄和微型化，而不使该抗蚀剂图案变宽和变形。该方法包括以下步骤：使用抗蚀剂覆盖电镀晶种层的表面；对该抗蚀剂进行曝光和显影，以形成具有凹入部分的抗蚀剂图案；对该抗蚀剂图案进行亲水性处理；通过电镀在该抗蚀剂图案的凹入部分中淀积金属；去除该抗蚀剂图案；该电镀晶种层是由金属制成的挥发性金属层，该挥发性金属层在该亲水性处理过程中被氧化，并且构成该挥发性金属层的金属的氧化物具有挥发性。
形成电镀图案方法制造薄膜磁头

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