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[发明专利]用以形成抗蚀图形的方法-CN95108123.3无效
发明人：裴相满;白基镐 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1995-07-14 - 公布日： 1999-03-31 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：一种用以形成抗蚀图形的方法，它是通过涂覆具有小厚度的主光致抗蚀图形，并然后在主光致抗蚀图形上涂覆次光致抗蚀图形而制成的。另一方面，抗蚀图形可通过涂覆主光致抗蚀膜，将主光致抗蚀膜曝光以在主光致抗蚀膜上限定曝光区，在主光致抗蚀膜上涂覆次光致抗蚀膜，将次光致抗蚀膜曝光以在次光致抗蚀膜上限定曝光区，和将所得结构显影以形成主和次光致抗蚀图形而制成该方法获得了光的对比度的改善，由此获得了具有垂直构形的抗蚀图形。
用以形成图形方法

[发明专利]用于制备光致抗蚀剂图案的方法-CN201010517468.X无效
发明人：畑光宏;桥本和彦 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2010-10-19 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供用于制备光致抗蚀剂图案的方法，所述方法包括步骤(1)至(11)：(1)在基底上涂覆第一光致抗蚀剂组合物，接着进行干燥，由此形成第一光致抗蚀剂膜，(2)预焙烘第一光致抗蚀剂膜，(3)将预烘焙的第一光致抗蚀剂膜曝光于辐射，(4)烘焙曝光的第一光致抗蚀剂膜，(5)用第一碱性显影液将烘焙的第一光致抗蚀剂膜显影，由此形成第一光致抗蚀剂图案，(6)在第一光致抗蚀剂图案上形成涂层，(7)在涂层上涂覆第二光致抗蚀剂组合物，接着进行干燥，由此形成第二光致抗蚀剂膜，(8)预焙烘第二光致抗蚀剂膜，(9)将预烘焙的第二光致抗蚀剂膜曝光于辐射，(10)烘焙曝光的第二光致抗蚀剂膜，和(11)用第二碱性显影液将烘焙的第二光致抗蚀剂膜显影，由此形成第二光致抗蚀剂图案
用于制备光致抗蚀剂图案方法

[发明专利]感光膜的设置方法、半导体装置的制造方法及电子设备-CN201510174089.8在审
发明人：世良博;中岛嘉树 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2015-04-13 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：本发明涉及感光膜的设置方法、半导体装置的制造方法及电子设备。提供形状精度高地设置膜厚薄的区域的抗蚀膜的方法。该感光膜的设置方法具有：在基板主体(10)上设置光致抗蚀膜(15)，使用光透过率为3灰度以上的半色调掩膜(30)进行曝光，使光致抗蚀膜(15)显影的工序，显影后的光致抗蚀膜(15)具有第一光致抗蚀膜(16)和比第一光致抗蚀膜(16)厚的第二光致抗蚀膜(17)，在显影后的基板主体(10)上，在不除去光致抗蚀膜(15)而可以设置第二光致抗蚀膜(17)的位置设置第二光致抗蚀膜(17)。
感光设置方法半导体装置制造电子设备

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN202110019174.2在审
发明人：渡边整;平崎贵英 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：该用于制造半导体器件的方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成第一光致抗蚀剂膜，并且在第一光致抗蚀剂膜上形成与第一光致抗蚀剂膜比具有更高的酸度的第二光致抗蚀剂膜；通过使第一光致抗蚀剂膜和第二光致抗蚀剂膜图案化来形成用于暴露半导体衬底的表面的开口；对第二光致抗蚀剂膜的上表面和开口的内部涂布收缩材料，并且通过对第一光致抗蚀剂膜、第二光致抗蚀剂膜和收缩材料进行热处理来在开口的内部使收缩材料和第二光致抗蚀剂膜起反应；以及去除第二光致抗蚀剂膜的上表面和开口的内部的未与第二光致抗蚀剂膜起反应的未反应的收缩材料
用于制造半导体器件方法

[发明专利]用于制备光致抗蚀剂图案的方法-CN201010623056.4无效
发明人：畑光宏;夏政焕 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制备光致抗蚀剂图案的方法，该方法包括以下步骤(A)至(D)：(A)在基底上涂覆第一光致抗蚀剂组合物以形成第一光致抗蚀剂膜，将第一光致抗蚀剂膜曝光于辐射，然后用碱性显影液将曝光的第一光致抗蚀剂膜显影，从而形成第一光致抗蚀剂图案；(B)使第一光致抗蚀剂图案对以下步骤(C)中的辐射惰性，使第一光致抗蚀剂图案不溶于碱性显影液或者使第一光致抗蚀剂图案不溶于在以下步骤(C)中使用的第二光致抗蚀剂组合物；(C)在步骤(B)中获得的第一光致抗蚀剂图案上，涂覆第二光致抗蚀剂组合物以形成第二光致抗蚀剂膜，将第二光致抗蚀剂膜曝光于辐射的步骤，和(D)用碱性显影液将曝光的第二光致抗蚀剂膜显影，从而形成第二光致抗蚀剂图案
用于制备光致抗蚀剂图案方法

[发明专利]形成焊接掩模的方法及其装置和形成电路构图的内部介电层的方法-CN201310078720.5有效
发明人：阿基欧·塞基莫托;玛萨尤基·M·考吉马 -专利权人：太阳美国公司;丽可得映像系统公司;太阳控股株式会社
申请日： 2004-03-23 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：在用于形成焊接掩模的方法中，将光致成像墨涂敷到载体膜上，以在载体膜上形成光致成像墨层。使光致成像墨层变干，以形成光致成像抗蚀剂层，由此形成至少一个光致成像抗蚀剂层承载膜。将光致成像抗蚀剂层承载膜层叠到衬底的至少一侧，以使光致成像抗蚀剂层的上表面与衬底接触。通过载体膜使光致成像抗蚀剂层曝光于成像光。从光致成像抗蚀剂层去除载体膜以形成曝光的抗蚀剂层。显影曝光的抗蚀剂层以形成显影的抗蚀剂层；硬化显影的抗蚀剂层以在衬底上形成焊接掩模。
形成焊接方法及其装置电路构图内部介电层

[发明专利]形成焊接掩模的方法及其装置和形成电路构图的内部介电层的方法-CN200480042537.9无效
发明人：阿基欧·塞基莫托;玛萨尤基·M·考吉马 -专利权人：太阳美国公司;丽可得映像系统公司;太阳油墨制造株式会社
申请日： 2004-03-23 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：在用于形成焊接掩模的方法中，将光致成像墨涂敷到载体膜上，以在载体膜上形成光致成像墨层。使光致成像墨层变干，以形成光致成像抗蚀剂层，由此形成至少一个光致成像抗蚀剂层承载膜。将光致成像抗蚀剂层承载膜层叠到衬底的至少一侧，以使光致成像抗蚀剂层的上表面与衬底接触。通过载体膜使光致成像抗蚀剂层曝光于成像光。从光致成像抗蚀剂层去除载体膜以形成曝光的抗蚀剂层。显影曝光的抗蚀剂层以形成显影的抗蚀剂层；硬化显影的抗蚀剂层以在衬底上形成焊接掩模。
形成焊接方法及其装置电路构图内部介电层

[发明专利]光致抗蚀膜和使用该光致抗蚀膜的有机发光显示装置的制造方法-CN201210576915.8有效
发明人：朴宰贤;金珍郁;金玮镕;闵慧理;金玟知;孙荣兑;申英燮 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种光致抗蚀膜和使用所述光致抗蚀膜的有机发光显示装置的制造方法。所述光致抗蚀膜包括支持膜上的光至热转换层，和所述光至热转换层上的热敏性聚合物层，其中，由于所述光致抗蚀膜包含热敏性聚合物，因而该光致抗蚀膜通过调节温度和使用脱离膜而容易脱离转移衬底。
光致抗蚀膜使用有机发光显示装置制造方法

[发明专利]光致抗蚀剂掩膜形成方法-CN200710037683.8有效
发明人：孟兆祥;吴永玉 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-02-13 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：一种光致抗蚀剂掩膜形成方法，包括：提供基底；以酸性清洗溶液清洗所述基底；在所述清洗后的基底上涂覆光致抗蚀剂层；图形化所述光致抗蚀剂层；检测所述图形化的光致抗蚀剂层；确定所述图形化的光致抗蚀剂层满足产品要求时，将图形化的所述光致抗蚀剂层作为光致抗蚀剂掩膜；确定所述图形化的光致抗蚀剂层不满足产品要求时，执行返工操作，直至确定所述光致抗蚀剂层满足产品要求；所述返工操作包括去除所述光致抗蚀剂层、以酸性清洗溶液清洗去除所述光致抗蚀剂层后的基底、以及光致抗蚀剂层的涂覆、图形化和检测的步骤。可保证经历返工过程后光致抗蚀剂掩膜的线宽尺寸的改变量减小。
光致抗蚀剂掩膜形成方法

[发明专利]曝光方法和曝光设备-CN96112248.X无效
发明人：手塚达郎 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1996-07-28 - 公布日： 2002-07-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种曝光设备和方法，可优化光致抗蚀剂膜的曝光，而与光致抗蚀剂膜因曝光而发生的化学反应无关。利用第1光致抗蚀剂膜和第1半导体片测量最佳曝光，并将获得的数据存到存储器中。然后用相同的曝光对第2半导体片上的第2光致抗蚀剂膜曝光，测量开始曝光时由第2光致抗蚀剂膜和第2半导体片的反射光强。读出存储的第1光致抗蚀剂膜和第1半导体片的最佳曝光时间数据，将它用作第2光致抗蚀剂膜和第2半导体片的最佳曝光时间。
曝光方法设备

[发明专利]形成图形的方法和在其中使用的处理剂-CN01818879.6有效
发明人：居岛一叶;高野祐辅;田中初幸;船户觉 -专利权人：克拉瑞特国际有限公司
申请日： 2001-10-24 - 公布日： 2004-02-11 - 主分类号： G03F7/38 文献下载
摘要：形成抗蚀图形的方法，包括以下步骤：(a)涂覆和形成化学放大光致抗蚀剂膜，(b)在化学放大光致抗蚀剂膜上涂覆pH值为1.3到4.5的处理剂，(c)在涂覆和形成化学放大光致抗蚀剂膜和涂覆所述的处理剂这两步的至少一步之后烘焙所述的化学放大光致抗蚀剂膜，(d)选择性地，将所述的化学放大光致抗蚀剂膜曝光，(e)曝光后烘焙所述的化学放大光致抗蚀剂膜，和(f)将所述的化学放大光致抗蚀剂膜显影，其中在用水去除光致抗蚀剂上的处理剂和在显影前旋转干燥后，比不涂覆处理剂的情况，化学放大光致抗蚀剂薄膜未曝光部分和显影液的接触角降低了10°到110°。使用此方法，在光致抗蚀剂膜上的显影溶液的湿润性得到了提高，因为在处理剂中含有例如有机酸的酸性成份，所以减小了漂浮的碱性物质的影响，从而形成了具有良好形状的图形。
形成图形方法其中使用处理

[发明专利]使用了两层型防反射膜的光致抗蚀剂图形的形成方法-CN200580040348.2有效
发明人：畑中真 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2005-11-01 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种在半导体器件制造的光刻工序中、使用能用光致抗蚀剂用显影液进行显影的防反射膜、形成光致抗蚀剂和防反射膜都为矩形形状的图形的方法。本发明通过提供下述光致抗蚀剂图形的形成方法解决了上述课题，即，一种光致抗蚀剂图形的形成方法，其包括形成可溶于光致抗蚀剂用显影液的第1防反射膜的工序；在上述第1防反射膜上形成可溶于光致抗蚀剂用显影液并且对光致抗蚀剂用显影液的溶解速度比上述第1防反射膜小的第2防反射膜的工序；在上述第2防反射膜上形成光致抗蚀剂的工序；对由上述第1防反射膜、上述第2防反射膜和上述光致抗蚀剂被覆的半导体基板进行曝光的工序；和利用光致抗蚀剂用显影液进行显影的工序。
使用两层型防反射光致抗蚀剂图形形成方法

[发明专利]干膜光致抗蚀剂及其制备方法-CN200810220127.9有效
发明人：李兆辉 -专利权人：番禺南沙殷田化工有限公司
申请日： 2008-12-18 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：印刷电路板加工用的干膜光致抗蚀剂及其制备方法，该干膜光致抗蚀剂由聚酯薄膜，光致抗蚀剂膜及聚乙烯保护膜三部分组成。光致抗蚀剂膜为干膜光致抗蚀剂的主体，其制备方法为将感光胶涂布到聚酯薄膜上而成，搅拌加热制成。感光胶的制备方法为将成膜剂、粘结剂、光引发剂、热阻聚剂、色料等加入溶剂中，并在上述组合物中加入二咪唑类化合物。通过测试表明用该方法制备的干膜光致抗蚀剂相对原有方法制备的干膜光致抗蚀剂具有良好的光谱范围，并降低了感光度，从而减少了曝光时间和能源消耗，能有效的提高良品率并降低生产成本。
干膜光致抗蚀剂及其制备方法

[发明专利]电铸模的制造方法、电铸模及电铸部件的制造方法-CN200780035977.5有效
发明人：新轮隆;岸松雄;重城幸一郎;保科宏行 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2007-07-10 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： C25D1/10 文献下载
摘要：本发明的电铸模的制造方法，在基板(1)的底部导电膜(2)的上面形成第一光致抗蚀层，将第一光致抗蚀层(3)划分成可溶部(3b)和不溶部(3a)。接着，在第一光致抗蚀层的上面，以发出波长为不使第一光致抗蚀层感光的范围的光的温度范围，对导电性材料进行加热蒸镀，形成中间导电膜(5)。在将该中间导电膜形成图形之后，在因中间导电膜的除去而露出的第一光致抗蚀层的上面和因图案形成而残留的中间导电膜的上面形成第二光致抗蚀层(6)。将该第二光致抗蚀层划分成可溶部(6b)和不溶部(6a)。接着，对第一光致抗蚀层及第二光致抗蚀层进行显影，除去可溶部(3b、6b)，得到在各级的底部具有导电膜的电铸模(101)。
铸模制造方法电铸部件

[发明专利]形成单元标识的方法、具有单元标识的显示基板和设备-CN200710186032.5无效
发明人：郑基勳;梁容豪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-11-09 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种单元标识形成方法，包括：在基板上形成金属层；在金属层上涂覆光致抗蚀材料，以形成光致抗蚀膜；通过包括与单元标识图案相对应的阻光图案的掩模来对光致抗蚀膜进行曝光；对曝光的光致抗蚀膜进行显影；使用显影的光致抗蚀膜来蚀刻金属层
形成单元标识方法具有显示设备

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