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[发明专利]具有覆引线的磁记录头-CN200610121581.X无效
发明人：陈重元;弗雷德里克·H·迪尔;詹姆斯·M·弗赖塔格;何国山;威普尔·P·贾亚塞卡拉;李金阳;马斯塔法·M·皮纳巴西;曾庆骅;帕特里克·R·韦布 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2006-08-23 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： G11B5/33 文献下载
摘要：本发明涉及一种带覆引线垫的磁头，所述覆引线垫接触所述硬偏置结构之间所述传感器的顶表面且不接触所述硬偏置结构，所述硬偏置结构从与所述传感器的直接接触电绝缘。所述传感器顶上所述引线垫接触区域通过导电材料的侧壁沉积定义从而在形成所述引线的其余部分之前在光致抗蚀剂上形成引线垫。以浅角沉积用于所述引线垫的导电材料从而最大化抗蚀剂上的侧壁沉积，然后以陡角离子研磨从而从水平区域去除所述导电材料且同时留下所述侧壁材料。绝缘层以陡角沉积在所述引线材料上，然后以浅角研磨从而从所述侧壁去除绝缘。
具有引线记录

[发明专利]用于磁头的籽晶层去除的方法-CN01820758.8无效
发明人：理查德·西奥;尼尔·L·罗伯逊;帕特里克·R·韦布 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2001-12-21 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： G11B5/17 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于磁头的籽晶层去除的方法，其中利用对活性离子蚀刻去除技术敏感的籽晶层制造磁头的电镀部件。该籽晶层包括钨或钛并通过溅射淀积过程制造，而且该籽晶层导电，其中电镀部件(比如感应线圈部件和磁极)有效地电镀在制造在籽晶层上的光刻形成的光致抗蚀剂沟上。在电镀之后，利用标准湿法化学处理去除光致抗蚀剂层。利用氟类物质活性离子蚀刻过程，较多地去除籽晶层，氟RIE过程形成了气态氟化钨或氟化钛化合物去除产物。因为气态氟化物不重新淀积，因此克服了籽晶层沿电镀部件的侧面重新淀积的问题。本发明也包括增强的两部分的籽晶层，其中下部分是钨、钛或钽，上部分包括构成要电镀的部件的材料。
用于磁头籽晶去除方法

[发明专利]磁头线圈系统及其嵌埋/反应离子刻蚀方法-CN200410059318.3无效
发明人：丹尼尔·W·贝德尔;理查德·萨伊奥;詹姆斯·D·加拉特;帕特里克·R·韦布;张思扬 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2004-06-15 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： G11B5/127 文献下载
摘要：本发明提供一种制造磁头的线圈结构的系统和方法。最初淀积绝缘层，在绝缘层上淀积光致抗蚀剂层。此外，将硅电介质层淀积在光致抗蚀剂层上，作为硬掩模。接着，将硅电介质层遮蔽。随后，利用反应离子刻蚀(即，CF₄/CHF₃)在硅电介质层中形成多个沟槽。接着，使用硅电介质层作为硬掩模，利用，例如，H₂/N₂/CH₃F/C₂H₄还原化学的反应离子刻蚀，将沟槽图案转移到光致抗蚀剂层上。为了得到具有所需纵横比的最优沟槽轮廓，沟槽形成包括形成第一角度的第一片段和形成第二角度的第二片段。此后，将导电种子层淀积在沟槽中，沟槽充满导电材料以形成线圈结构。接着，可以使用化学机械抛光使导电材料平面化。
磁头线圈系统及其反应离子刻蚀方法