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[发明专利]半导体器件-CN201910757604.3在审
发明人： 克里希纳·库马尔·布瓦尔卡;崔景敏;冈垣健;金洞院;金宗哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底上的沟道层，沟道层彼此间隔开，并且具有在第一方向上彼此相对的第一侧表面和第二侧表面；围绕沟道层的栅电极，栅电极具有在第一方向上彼此相对的第一端部和第二端部；以及在栅电极的第一侧上并且与沟道层接触的源/漏层，源/漏层的一部分在第一方向上相对于栅电极的第一端部伸出，其中从栅电极的第一端部到沟道层的第一侧表面的第一距离短于从栅电极的第二端部到沟道层的第二侧表面的第二距离。
半导体器件

[发明专利]带内隧道FET-CN201310303452.2有效
发明人：戈本·多恩伯斯;克里希纳·库马尔·布瓦尔卡 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-07-18 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及带内隧道FET，其具有能够提供高驱动电流的对称FET。在一些实施例中，所公开的带内隧道FET具有第一掺杂类型的源极区和第一掺杂类型的漏极区。源极区和漏极区通过沟道区间隔开。栅极区可以生成改变沟道区中的价带和/或导带的位置的电场。通过控制沟道区的价带和/或导带的位置，可以控制电荷载流子在源极区中和漏极区中的导带之间或者源极区中和漏极区中的价带之间的量子力学隧穿。
隧道 fet

[发明专利]具有沟道背面钝化层器件的FinFET和方法-CN201310236959.0有效
发明人：戈本·多恩伯斯;马克范·达尔;乔治斯·威廉提斯;布兰丁·迪里耶;克里希纳·库马尔·布瓦尔卡;查理德·肯尼斯·奥克斯兰德;马丁·克里斯多夫·霍兰德;施奕强;马提亚斯·帕斯拉克 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-06-14 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：具有背面钝化层的FinFET包括设置在衬底上的模板层、设置在模板层上方的缓冲层、设置在缓冲层上方的沟道背面钝化层以及设置在沟道背面钝化层上方的沟道层。栅极绝缘层设置在沟道层和沟道背面钝化层上方并且与沟道层和沟道背面钝化层接触。缓冲层可选地包含铝，以及沟道层可以可选地包含III‑V族半导体化合物。STI可以设置在沟道背面钝化层的相对侧上，并且沟道背面钝化层可以具有在STI的顶面之上设置的顶面以及在STI的顶面之下设置的底面。本发明还提供了一种具有沟道背面钝化层器件的FinFET和方法。
具有沟道背面钝化器件 finfet 方法

[发明专利]混合鳍式场效应晶体管-CN201310003122.1有效
发明人： 克里希纳·库马尔·布瓦尔卡 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-01-05 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种混合鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括第一FinFET和第二FinFET。第一FinFET包括：由第一半导体鳍形成的第一沟道区以及第一导电类型的第一源极区和第一漏极区。第二FinFET包括由第二半导体鳍形成的第二沟道区、与第一导电类型相反的第二导电类型的第二源极区以及第一导电类型的第二漏极区。第二源极区和第二漏极区连接至第二沟道区的相对端部。第一栅电极和第二栅电极互连。第一源极区和第二源极区电互连。第一漏极区和第二漏极区电互连。
混合场效应晶体管

[发明专利]半导体器件沟道系统及方法-CN201310042679.6有效
发明人：戈本·多恩伯斯;克里希纳·库马尔·布瓦尔卡;马提亚斯·帕斯拉克 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件沟道系统及方法。公开了用于沟道区域的系统和方法。实施例包括具有多个双层的沟道区域，该双层包含交替的互补材料，诸如，InAs层和GaSb层。互补材料的交替层为沟道区域整体提供了个体材料层可能不能提供的所需带隙特性。
半导体器件沟道系统方法

[发明专利]分离沟道晶体管及其形成方法-CN201210181589.0有效
发明人： 克里希纳·库马尔·布瓦尔卡;戈本·多恩伯斯;马提亚斯·帕斯拉克 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-06-04 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种鳍型场效应晶体管(FinFET)包括鳍片，该鳍片包括具有第一带隙的沟道分离件，以及包括位于沟道分离件的相对侧壁上的第一部分和第二部分的沟道。沟道具有小于第一带隙的第二带隙。栅电极包括位于鳍片的相对面上的第一部分和第二部分。栅极绝缘层包括位于栅电极的第一部分和沟道的第一部分之间的第一部分，以及位于栅电极的第二部分和沟道的第二部分之间的第二部分。本发明提供了分离沟道晶体管及其形成方法。
分离沟道晶体管及其形成方法

[发明专利]隧道FET及其形成方法-CN201210193105.4有效
发明人： 克里希纳·库马尔·布瓦尔卡;戈本·多恩伯斯;马提亚斯·帕斯拉克 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-06-12 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：隧道场效应晶体管（TFET）包括栅电极、源极区域和漏极区域。源极区域和漏极区域具有相反的导电类型。沟道区域设置在源极区域和漏极区域之间。源极扩散势垒设置在沟道区域和源极区域之间。源极扩散势垒和源极区域位于栅电极下方并与栅电极重叠。源极扩散势垒的第一个带隙大于源极区域、漏极区域和沟道区域的第二带隙。本发明还提供了隧道FET及其形成方法。
隧道 fet 及其形成方法