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[发明专利]液体涂抹法区熔硅单晶的掺锗方法-CN200510014891.7无效
发明人：李养贤;刘彩池;郝秋艳;黄千驷 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2005-08-30 - 公布日： 2006-03-22 - 主分类号： C30B13/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种液体涂抹法区熔硅单晶的掺锗方法。它是使用含锗元素的盐酸溶液涂抹在硅单晶的表面，烘干后装到区熔炉上，按通常的区熔工艺进行区熔熔炼或生长单晶。本发明是理想的掺锗方法，不但使锗掺得进去，而且锗在硅中的浓度均匀可控，掺锗工艺无沾污，保证了硅单晶的质量。
液体涂抹法区熔硅单晶方法

[发明专利]用直拉区熔法制备6英寸N型太阳能硅单晶的方法-CN201210032561.0无效
发明人：王彦君;张雪囡;王岩;徐强;高树良;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2012-02-14 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及硅单晶的制备工艺，特别涉及一种用直拉区熔法制备6英寸N型太阳能硅单晶的方法。其特征在于，首先用直拉法进行硅多晶料的拉制；然后进行锭形加工、清洗腐蚀，再用区熔气掺的方法继续拉制掺杂的硅单晶，本发明的有益效果是：运用气相掺杂区熔硅单晶方法结合直拉硅单晶生产方法，通过控制抽空充气，掺杂气体浓度，掺杂气通入量，拉晶工艺参数范围，使工艺方法满足了生产6英寸N型太阳能硅单晶的要求。
用直拉区熔法制英寸太阳能硅单晶方法

[发明专利]一种使用区域连续铸造法制作硅单晶的方法-CN201210357823.0无效
发明人：丁欣 -专利权人：丁欣
申请日： 2012-09-21 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及硅单晶晶体生长。对于硅单晶，传统上使用直拉法或区熔法拉制单晶。近些年，也兴起使用铸锭炉进行铸造单晶的生产。本发明提供一种使用区域连续铸造法，使用未经破碎的普通西门子还原法制作的多晶硅棒作为原料，设置籽晶进行单晶铸造的方法。本发明旨在发明一种成本接近传统铸锭，但质量接近区熔单晶的硅单晶制造技术。
一种使用区域连续铸造法制作硅单晶方法

[发明专利]用直拉区熔法制备6英寸P型太阳能硅单晶的方法-CN201110306525.4无效
发明人：李立伟;王彦君;王岩;张雪囡;高树良;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2011-10-11 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及用直拉区熔法制备6英寸P型太阳能硅单晶的方法，首先用直拉法工艺完成清理直拉炉膛、装料、抽真空、充氩气、加热化料、引晶、拉细颈、放肩、收肩、等径、收尾、提起降温、出炉过程；然后进行锭形加工、清洗腐蚀，符合区熔用料标准后，再用区熔的方法继续拉制气掺单晶，运用气相掺杂区熔硅单晶方法结合硅单晶CFZ生产方法，通过控制抽空充气，掺杂气体浓度，拉晶工艺参数范围，使工艺方法满足生产6英寸P型太阳能硅单晶的要求
用直拉区熔法制英寸太阳能硅单晶方法

[实用新型]一种区熔硅单晶的加持结构-CN201922248626.5有效
发明人：郝大维;张志富;王克旭;李皓;吴峰;楚占斌;王彦君 -专利权人：中环领先半导体材料有限公司;天津中环领先材料技术有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种区熔硅单晶的加持结构，包括外轴、固定件，所述销子本体为丁字结构，顶端设有螺母，中间为较厚的圆形钼板，钼板边缘设有弧形开口，弧形开口与区熔硅单晶的直径相对应，弧形开口紧贴与区熔硅单晶，中间设有与螺母对应的螺栓孔，低端设有固定销，固定销穿过钼板与螺母进行链接，固定销固定在区熔硅单晶制造机的外轴，钼板的倒角将区熔硅单晶进行加持。本实用新型所述的倒角销子片采用的是较厚的钼板作为原材，在与区熔硅单晶接触面处进行倒角处理，使得销子片与区熔硅单晶接触面加大，贴合，从而达到区熔硅单晶加持更稳定的目的。
一种区熔硅单晶结构

[发明专利]一种制备区熔硅单晶的铸造区熔气掺法-CN201210059754.5无效
发明人：张雪囡;高树良;王彦君;李建宏;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B13/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备区熔硅单晶的铸造区熔气掺法，首先采用铸造法制备多晶硅，之后对多晶硅进行切方、滚磨、开槽和开圆锥机加工，以加工后的多晶硅棒作为区熔硅单晶原料，采用区熔气掺法进行拉晶，且在开始拉晶时通入定量的掺杂气后便停止通入掺杂气；若区熔单晶硅掺杂剂目标浓度为c0，则控制硅多晶的掺杂剂平均浓度为c0，k为掺杂剂偏析系数；由于多晶料棒的掺杂剂浓度较为均匀，且保持阶段无需进行气掺，则硅熔体浓度均匀性非常高，有效提高了区熔单晶径向电阻率的均匀性；相比与NTD法，成本较低，且生产周期较短；与区熔气掺法和直拉区熔法相比，径向电阻率均匀性得到了有效提高。
一种制备区熔硅单晶铸造区熔气掺法

[发明专利]一种提高区熔硅单晶用多晶棒料利用率的方法-CN201810839106.9在审
发明人：郝大维;刘凯;边智学;刘琨;王广明;孙晨光;王彦君;孙健 -专利权人：天津中环领先材料技术有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高区熔硅单晶用多晶棒料利用率的方法，以A尺寸区熔硅单晶生长过程中在单晶保持过程中发生掉苞后的剩余多晶棒料为原料，在不改变区熔炉内部热场的条件下，根据剩余多晶棒料的剩余量，切换单晶生长工艺参数，继续拉制尺寸小于A尺寸区熔硅单晶的其他尺寸区熔硅单晶。本发明所述的提高区熔硅单晶用多晶棒料利用率的方法在不改变区熔炉内部热场结构的条件下，利用掉苞后的剩余多晶棒料为原料，根据剩余多晶棒料的剩余量，切换到能够拉制的其他尺寸区熔硅单晶的工艺参数，继续拉制其他尺寸区熔硅单晶，避免了下料返工，提高了工时利用率，降低了多晶棒料的损失，提高了多晶棒料的利用率，提高了单晶硅棒的产量。
多晶棒区熔硅单晶拉制区熔炉剩余量单晶生长工艺工时利用率单晶硅棒热场结构生长过程单晶返工热场下料

[发明专利]区熔法生长硅单晶用气体喷射与射频加热一体装置及方法-CN201610140082.9在审
发明人：肖德元 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2016-03-11 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： C30B13/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种区熔法生长硅单晶用气体喷射与射频加热一体装置及方法，所述区熔法生长硅单晶用气体喷射与射频加热一体装置包括气体喷射器与射频加热线圈，所述气体喷射器与所述射频加热线圈形状相同，共同环绕原料棒，且所述气体喷射器与所述射频加热线圈固定连接；所述气体喷射器包括一环形管，所述环形管上开设有数个气孔；从气体喷射器喷出的掺杂气体对掺杂气流分布有明显改善，掺杂气流能够更加均匀的分布在熔区周围，使得熔区对掺杂气体的吸收率大大增加，从而提高了气相掺杂硅单晶的电阻均匀性，同时节约了掺杂源。
区熔法生长硅单晶用气体喷射射频加热一体装置方法

[发明专利]一种提高区熔硅单晶电阻率均匀性的行波磁场法-CN201210059753.0无效
发明人：李建宏;张雪囡;菅瑞娟;王遵义;刘铮;王刚;赵宏波 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高区熔硅单晶电阻率均匀性的行波磁场法，其特征在于，在硅熔体外部安装行波磁场发生器，在区熔硅单晶拉晶过程中向硅熔体施加行波磁场；通过行波磁场加强区熔硅单晶中心部位硅熔体的纵向对流强度，进而带动硅熔体边缘部位的流动强度；行波磁场发生器采用圆筒型发生器，圆筒型发生器产生的圆筒型行波磁场使硅熔体的对流具有轴对称性，行波磁场N极和S极的间距为1～50cm，磁场的最大强度为400～800Gauss，磁场速度为1～4cm/s；通过控制行波磁场N极S极间距，调整对流路径和增加对流强度，最终使掺杂剂在硅熔体中的分布更加均匀，提高区熔气掺硅单晶的径向电阻率均匀性。
一种提高区熔硅单晶电阻率均匀行波磁场

[发明专利]基于区熔硅单晶的双极光晶体管及其探测方法-CN03153378.7无效
发明人：韩德俊 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2003-08-12 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：本发明基于区熔硅单晶的双极光晶体管采用区熔硅单晶片来制作。由于区熔硅单晶的生长不需要坩埚，在制备过程中硅单晶除了与保护气体接触外不与其它任何材料直接接触，因此区熔硅单晶比直拉硅单晶或其它半导体单晶材料有更高的纯度、更少的杂质缺陷。采用区熔硅单晶制作的双极器件，缺陷(包括重金属杂质)少，因而产生复合中心少，少子的寿命长，能够极大地提高双极光晶体管小信号增益特性，提高探测微弱光信号的灵敏度。本发明采用器件背面接受光入射来探测光信号的方法，能够克服正面金属电极的遮光作用以及发射区硅材料的吸光效应，有利于提高双极光晶体管的性能。
基于区熔硅单晶极光晶体管及其探测方法

[发明专利]一种拉制8英寸区熔硅单晶热系统及工艺-CN201110306524.X有效
发明人：沈浩平;高树良;张雪囡;王彦君;王岩;王遵义;赵宏波;靳立辉;刘嘉 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2011-10-11 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种拉制8英寸区熔硅单晶热系统及工艺。热系统包括线圈和保温桶，在炉体外两侧与线圈1相同高度的位置上分别设有产生横向磁场的磁场发生器，在线圈和保温桶之间设有用于对熔区热量进行反射的反射器。其工艺为：当扩肩直径到达100mm时，伸出反射器在硅单晶周围形成一个保温圈，开启磁场发生器，同时要保证扩肩过程中硅单晶上方的熔区高度为3～5mm，当硅单晶直径到205mm时转肩；在等径保持过程中，炉压为由于采取新设计的区熔硅单晶热系统和调整了工艺参数，成功拉制出8英寸区熔硅单晶，解决了大直径硅单晶成晶困难中的温度波动和熔流波动的问题，避免和减少了位错的产生，从而满足市场对8英寸区熔硅单晶的需求。
一种拉制英寸区熔硅单晶热系统工艺

[发明专利]一种利用直拉区熔法制备太阳能级硅单晶的方法-CN201310057877.X有效
发明人：乔柳;王彦君;张雪囡;刘嘉;孙健;王遵义;涂颂昊;刘铮;冯啸桐;孙昊 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2013-02-25 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： C30B13/28 文献下载
摘要：本发明提供一种利用直拉区熔法制备太阳能级硅单晶的方法：在区熔阶段的等径生长工艺中，在区熔硅单晶炉电气控制系统的控制下，使下转电机正向、反向交替转动，所述下转电机带动硅单晶按照设定的正向角度和反向角度转动本发明提高了太阳能级硅单晶的径向均匀性，解决了太阳能级硅单晶的黑心问题，能够提高由该太阳能级硅单晶制得的太阳能电池片的转换效率。
一种利用直拉区熔法制太阳能级硅单晶方法

[发明专利]大直径区熔硅单晶制备方法-CN200510013851.0有效
发明人：沈浩平;刘为钢;高福林;高树良;李翔;汪雨田 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2005-06-15 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅单晶制备方法，特别涉及一种用于生产大功率、高电压、大电流半导体器件的大直径区熔硅单晶制备方法。当区熔硅单晶的直径扩肩到Φ110mm～130mm时，发生界面翻转，此时，立即调整区熔单晶炉发生器设定的阳极电压，每隔5～10秒，将阳极电压设定电增加0.1％～0.3％；当区熔硅单晶的直径扩肩到Φ110mm时，将区熔单晶炉编码器控制下轴向下的运动速度设定在2.0～2.4mm/分范围内，其转动速度设定在4～6转/分范围内；在抽空充气过程中，拉晶所需炉膛压力应达3.0bar～3.2bar，当区熔硅单晶的直径扩肩到Φ110mm时开始充入N₂，其比例相当于Ar的0.5％－0.6％，此外还对区熔单晶炉的热场系统进行了改进。经本发明制备的区熔硅单晶，各项指标均达到SEMI标准，从而满足了大型水利火力发电工程用大功率、高电压、大电流的电力电子器件领域以及尖端国防领域对大直径区熔硅单晶的需求。
直径区熔硅单晶制备方法

[发明专利]一种区熔-区熔联用的单晶硅制备方法-CN202310924705.1在审
发明人：陈贵锋;艾行天;张辉;孙健;孙晨光 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种区熔‑区熔联用的单晶硅制备方法，属于半导体硅晶圆制造技术领域。本发明的主要特点是首先使用水平区熔法将多晶硅棒料提纯，降低常规方法难以去除的硼、磷等杂质的含量，以达到提纯多晶料的目的。在随后的单晶硅生长过程中，采用垂直区熔法，进一步降低杂质含量。综上所述，采用本发明的方法制备的单晶硅比传统区熔法得到的产品杂质含量更低，电阻率更高，因此可以生产适用于高功率及高频器件的高阻区熔硅单晶及晶片。
一种联用单晶硅制备方法

[发明专利]一种生长非圆柱状硅单晶锭的装置和方法-CN202310745490.7有效
发明人：闫洪嘉;李安君 -专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明涉及硅单晶的制备技术领域，公开了一种生长非圆柱状硅单晶锭的装置和方法，装置包括供给多晶硅原料的送料装置、加热约束线圈、引晶和拉晶装置，形状约束线圈，其设置在所述加热约束线圈的下方，并围绕在结晶生长界面附近的熔硅池和硅单晶锭的外周围，所述形状约束线圈的下开口的横截面形状与所拉制硅单晶锭的横截面形状相对应，用于通过所述形状约束线圈产生的交变磁场和感生电流，约束硅单晶锭结晶生长界面附近熔硅的横截面形状呈非圆柱状，在籽晶的引导下，冷却生长出非圆柱状的硅单晶锭本发明提供的装置和方法能实现以区熔法生长非圆柱形硅单晶锭，可以扩大单晶锭的横截面积和单根硅的单重，提高生产效率和硅片切片利用率。
一种生长圆柱状硅单晶锭装置方法

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