“C30B13/10”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果9个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种标准硅片的制作方法-CN202111420109.7在审
发明人：李朋飞;徐岩;邢阳阳;徐雯;苟帅斌;左赛虎;曹艳云;常青;王俊;关文涛 -专利权人：陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： C30B13/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种标准硅片的制作方法，涉及半导体制造技术领域。该方法的一具体实施方式包括：从硅棒上取出硅生长层；将所述硅生长层浸泡在掺杂了施受主元素的标准溶液中；从所述标准溶液中取出所述硅生长层，并对所述硅生长层采用区熔方法进行制作，从而得到标准硅片。该实施方式能够解决不存在能够对施受主元素同时进行掺杂且应用在低温傅里叶红外检测设备上的标准硅片的制作方法的技术问题。
一种标准硅片制作方法

[发明专利]Ga2-CN201810990934.2有效
发明人：佐佐木公平 -专利权人：株式会社田村制作所
申请日： 2014-02-26 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： C30B13/10 文献下载
摘要：提供一种Ga2O3系单晶基板，该Ga2O3系单晶基板包括对含有5×1017cm‑3以下的作为施主杂质的Si的Ga2O3系单晶掺杂了规定量的作为受主杂质的Fe而成的掺杂Fe的Ga2O3系单晶，上述掺杂Fe的Ga2O3系单晶中的上述Fe的浓度比上述Si的浓度高，上述掺杂Fe的Ga2O3系单晶中的上述Fe的浓度为5×1017cm‑3～1.5×1019cm‑3。
ga base sub

[实用新型]一种单晶生长装置-CN201420676379.3有效
发明人：吴晟;吴星;倪代秦 -专利权人：吴晟;吴星;倪代秦
申请日： 2014-11-13 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： C30B13/10 文献下载
摘要：一种单晶生长装置，装置包括加料部、单晶生长部、加热单元和熔料器；开始时,仅有部分籽晶或者部分籽晶和少量预加料全部熔化，在单晶生长部形成熔区，生长单晶的过程中，在熔区的上方以熔液的方式逐步向熔区内添加原料，同时改变加热器与籽晶的相对位置，使熔区相对于籽晶向上移动，直至长成所需尺寸的单晶。本实用新型由于采用熔液加料，便于分别控制原料熔化和熔液结晶；可以根据结晶需要的最佳条件在很大的范围内自由调整，有利于提高单晶生长速度、改善单晶质量并精确控制单晶成分，还有利于节能。
一种生长装置

[发明专利]一种单晶生长方法及装置-CN201410638863.1在审
发明人：吴晟;吴星;倪代秦 -专利权人：吴晟;吴星;倪代秦
申请日： 2014-11-13 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： C30B13/10 文献下载
摘要：一种单晶生长方法及装置，装置包括加料部、单晶生长部、加热单元和熔料器；开始时,仅有部分籽晶或者部分籽晶和少量预加料全部熔化，在单晶生长部形成熔区，生长单晶的过程中，在熔区的上方以熔液的方式逐步向熔区内添加原料，同时改变加热器与籽晶的相对位置，使熔区相对于籽晶向上移动，直至长成所需尺寸的单晶。本发明由于采用熔液加料，便于分别控制原料熔化和熔液结晶；可以根据结晶需要的最佳条件在很大的范围内自由调整，有利于提高单晶生长速度、改善单晶质量并精确控制单晶成分，还有利于节能。
一种生长方法装置

[发明专利]大尺寸Re:YAG系列激光晶体的水平定向区熔结晶制备法-CN201310143494.4有效
发明人：张明福;郭怀新;聂颖;韩杰才;赵盼盼 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2013-04-24 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： C30B13/10 文献下载
摘要：本文发明涉及一种大尺寸Re:YAG系列激光晶体的水平定向区熔结晶制备方法，其工艺特点是：真空条件下水平区熔结晶生长Re:YAG激光晶体。其具体的生长过程包括化料、引晶、放肩、等宽生长、冷却及其退火六大过程。本发明结合定向结晶法和垂直区熔法生长晶体的优点，使得制备的Re:YAG激光晶体具有质量更高，尺寸更大，利用率更高，缺陷密度低，激光性能更好，且无掺杂离子核心和侧心等优点。
尺寸 re yag 系列激光晶体水平定向结晶制备

[发明专利]气相预掺杂和中子辐照掺杂组合的区熔硅单晶的生产方法-CN200610013533.9有效
发明人：沈浩平;刘为钢;高树良;王聚安;昝兴立;王振东;刘凤林;赵喜君 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2006-04-26 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： C30B13/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种区熔硅单晶的生产方法，特别涉及一种气相预掺杂和中子辐照掺杂组合的区熔硅单晶的生产方法。该方法包括气相预掺杂阶段的装炉、抽空、充氩气、掺杂、等径生产工艺，其特征在于：在所述的等径生长工艺中，利用区熔硅单晶炉电气控制系统进行如下操作：当按下触摸屏给定下转电机正向、反向运动及加热线圈移动的指令后，下转电机带动单晶按照设定的时间进行正向反向运动；正向转动1～90秒后再变回反向转动，如此往复运动；加热线圈移动后，使加热线圈的中心与下轴的中心重合或偏离1－50mm。经本方法生产的区熔硅单晶，降低了硅单晶的径向及轴向电阻率不均匀性问题，提高了硅单晶的稳定性及可靠性。从而满足了用户对气相预掺杂和中子辐照掺杂组合的区熔硅单晶的需求。
气相预掺杂中子辐照组合区熔硅单晶生产方法

[发明专利]区熔气相掺杂太阳能电池硅单晶的生产方法-CN200610013534.3有效
发明人：沈浩平;高树良;刘为钢;王聚安;昝兴立;高福林;张焕新;宁燕;赵宏波;李颖辉;牛建军 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2006-04-26 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： C30B13/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅单晶的生产方法，特别涉及一种用于生产太阳能电池的区熔气相掺杂太阳能电池硅单晶的生产方法。该方法包括设置掺杂气体设定值、拉细颈、开掺杂气体、扩肩、充入氮气、转肩、保持、收尾、停炉、停掺杂气体工艺，其特征在于：还包括清炉、装炉、抽空、充气、预热、化料、引晶工艺。采用该方法生产的硅单晶彻底解决了高压电离问题，提高了硅单晶质量的稳定性及可靠性，从而满足了国内外市场对低成本、高效率太阳能电池硅单晶的需求。
区熔气相掺杂太阳能电池硅单晶生产方法

[发明专利]液体涂抹法区熔硅单晶的掺锗方法-CN200510014891.7无效
发明人：李养贤;刘彩池;郝秋艳;黄千驷 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2005-08-30 - 公布日： 2006-03-22 - 主分类号： C30B13/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种液体涂抹法区熔硅单晶的掺锗方法。它是使用含锗元素的盐酸溶液涂抹在硅单晶的表面，烘干后装到区熔炉上，按通常的区熔工艺进行区熔熔炼或生长单晶。本发明是理想的掺锗方法，不但使锗掺得进去，而且锗在硅中的浓度均匀可控，掺锗工艺无沾污，保证了硅单晶的质量。
液体涂抹法区熔硅单晶方法

[其他]彩色水晶的生长方法-CN86101506无效
发明人：仲维卓;华素坤 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐所
申请日： 1986-06-27 - 公布日： 1988-01-06 - 主分类号： C30B13/10 文献下载
摘要：本发明所述彩色水晶的生长方法，采用混合碱(NaOH—KOH)溶剂，根据晶体结晶习性选取了有利的籽晶切型(+Y、-Y、(30—80度)X切)，加适当掺杂离子(Al3+、CO2+、Fe3+、Fe2+、Mn4+)。在高压釜中1200—1600大气压下，生长温度为335—360℃。温差为15—25℃，可生长出成色均匀，产率高，无棉，无双晶、裂纹及气泡等，适于实用的优质彩色水晶。
彩色水晶生长方法

1
共 9 条