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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种碳化硅单晶的制备方法-CN202110474168.6在审
发明人：皮孝东;徐所成;王亚哲;姚秋鹏;钟红生;罗昊;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅单晶的制备方法，利用碳和硅直接生长合成碳化硅单晶，省去了中间的碳化硅源粉合成步骤，通过本发明的方法生长碳化硅单晶，不仅可以大大降低一次完整长晶的成本，而且由于省去了中间程序，避免了氮气的二次污染使之晶体质量较传统PVT法提高很多。
一种碳化硅制备方法

[发明专利]双籽晶辅助气相传输方法生长碳化硅单晶的技术和装置-CN201110090331.5有效
发明人：李汶军;李根法 -专利权人：李汶军;李根法
申请日： 2011-04-12 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及晶体生长领域，具体涉及一种双籽晶辅助气相传输方法生长碳化硅单晶的方法，其特征在于，在碳化硅单晶的生长过程中两片碳化硅籽晶分别置于坩埚的上部和下部，位于低温区，碳化硅原料置于坩埚中部，位于高温区该技术在一个坩埚中能同时生长出两块碳化硅单晶，突破了一个生长炉只能生长一块碳化硅单晶的限制，降低碳化硅晶体的生长成本。
籽晶辅助相传方法生长碳化硅技术装置

[实用新型]一种用于区熔炉的气体控制系统-CN201420053298.8有效
发明人：曹建伟;陈明杰;汤承伟;傅林坚;王丹涛;石刚;欧阳鹏根;邱敏秀;蒋庆良 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2014-01-27 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： C30B13/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及非金属晶体制造设备，旨在提供一种用于区熔炉的气体控制系统；该实用新型包括气体控制箱、质量流量计、压力控制器、气体过滤器和区熔炉体；所述区熔炉体包括上炉室、主炉室和下炉室，主炉室内设有熔区；该实用新型的有益效果是：它具有高精度的压力稳定控制和气体流量控制，优选的气体流通路径可带走炉内杂质，提高熔区洁净度和拉制单晶纯度；保护气体可保证熔区周围气体压力，提高熔区稳定性，掺杂气体对准熔区可直接有效地将掺杂元素渗入熔硅中，以达到改变硅单晶相关品质性能的目的。
一种用于熔炉气体控制系统

[发明专利]台面工艺可控硅芯片结构和实施方法-CN201110213225.1有效
发明人：王成森;黎重林;周榕榕;沈怡东 -专利权人：启东市捷捷微电子有限公司
申请日： 2011-07-28 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：本发明涉及台面工艺可控硅芯片结构，包括N+型阴极区、正面P型短基区、玻璃钝化膜、正面沟槽、SiO2保护膜、硅单晶片、门极铝电极和阴极铝电极，所述硅单晶片正面设有正面P型短基区，所述硅单晶片背面设有背面P型区，所述正面P型短基区表面设有SiO2保护膜、门极铝电极和阴极铝电极，所述正面P型短基区和硅单晶片上设有正面沟槽，所述正面沟槽位于门极铝电极和阴极铝电极两侧，所述阴极铝电极和正面P型短基区之间设有N+型阴极区，其特征在于：所述对通隔离扩散区底部设有背面应力平衡槽。
台面工艺可控硅芯片结构实施方法

[实用新型]台面工艺可控硅芯片结构-CN201120270383.6有效
发明人：王成森;黎重林;周榕榕;沈怡东 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2011-07-28 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型涉及台面工艺可控硅芯片结构，包括N+型阴极区、正面P型短基区、玻璃钝化膜、正面沟槽、SiO2保护膜、硅单晶片、门极铝电极和阴极铝电极，所述硅单晶片正面设有正面P型短基区，所述硅单晶片背面设有背面P型区，所述正面P型短基区表面设有SiO2保护膜、门极铝电极和阴极铝电极，所述正面P型短基区和硅单晶片上设有正面沟槽，所述正面沟槽位于门极铝电极和阴极铝电极两侧，所述阴极铝电极和正面P型短基区之间设有N+型阴极区，其特征在于：所述对通隔离扩散区底部设有背面应力平衡槽。
台面工艺可控硅芯片结构

[发明专利]一种气相法生长碳化硅单晶的籽晶固定方法-CN202211184344.3在审
发明人：杨培培 -专利权人：南通大学
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种气相法生长碳化硅单晶的籽晶固定方法，包括下述步骤：(1)籽晶固定分两步进行，首先将碳化硅籽晶内置于半开环式石墨固定托，卡紧活动半开石墨环；(2)固定好籽晶的石墨固定托固定于石墨坩埚上盖内侧，籽晶生长面朝下；(3)石墨坩埚内放入碳化硅原料，在晶体生长炉中进行气相法生长碳化硅单晶。本发明通过半开环式石墨固定托固定籽晶的方法，实现对碳化硅籽晶的有效机械固定，再将石墨固定托粘接或机械固定于石墨坩埚内侧，进行气相法生长碳化硅单晶。
一种气相法生长碳化硅籽晶固定方法

[发明专利]直拉硅单晶生长的重掺杂方法-CN00122075.6无效
发明人：沈益军;马向阳;田达晰;李立本;阙端麟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2000-08-16 - 公布日： 2003-05-28 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉硅单晶生长的重掺杂方法。其步骤如下1)用高纯硅做成“伞形”掺杂器，“伞柄”即为籽晶；2)将“伞形”掺杂器倒夹在籽晶夹头上；3)掺杂剂倒入掺杂器内；4)待多晶硅熔化后，下降籽晶，使掺杂器浸入硅熔体内。本发明是通过掺杂器缓慢地进入熔硅内，避免了掺杂剂骤热而引起的爆炸，使掺入量能得到更好的控制，同时保证单晶炉膛干净，有利于单晶生长。进行重掺磷、重掺砷和重掺锑硅单晶的生长，有显著的经济效益。
直拉硅单晶生长掺杂方法

[发明专利]太阳能电池用区熔单晶硅的制造方法及太阳能电池-CN201580072597.3有效
发明人：大塚宽之 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池用区熔单晶硅的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：利用切克劳斯基法，提拉掺镓直拉单晶硅；以及，将前述直拉单晶硅作为原料棒，以1.6气压以上对该原料棒进行浮区处理，由此制造区熔单晶硅由此，可提供一种太阳能电池用区熔单晶硅的制造方法，该太阳能电池用区熔单晶硅的制造方法能减少不可避免地进入直拉晶体中的氧，防止生成会对太阳能电池特性造成影响的硼‑氧对，并能抑制浮区处理中的镓掺杂剂的蒸发量，防止单晶硅高电阻化。
太阳能电池用区熔单晶硅制造方法

[发明专利]碳化硅单晶的制造方法-CN201811548672.0在审
发明人：猪木孝洋 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：提供能够制造使基底面位错的发生数降低至100cm^‑2以下的碳化硅单晶基板的碳化硅单晶的制造方法。本发明的碳化硅单晶的制造方法，是使用了升华法的碳化硅单晶的制造方法，依次具有以下工序，预加热工序：在碳化硅晶种上使碳化硅单晶生长之前，在下述状态下将所述碳化硅晶种加热以使得其达到2000℃以上的温度，所述状态是在配置于坩埚内的一侧的石墨构件上贴附有所述碳化硅晶种
碳化硅单晶碳化硅晶种制造坩埚碳化硅单晶基板碳化硅原料冷却工序石墨构件基底面升华法预加热配置贴附位错加热冷却生长

[实用新型]一种区熔炉反射环-CN201420575042.3有效
发明人：王遵义;姚长娟;刘旭光;冯啸桐;孙昊;刘琨;邬丽丽;张雪囡 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种区熔炉反射环，包括反射环固定件,固定件包括圆环固定架和和夹持件,固定架位于夹持件的一端,固定架内固定一封闭圆环,封闭圆环的上半部开有若干U型槽。该反射环的设计，能够避免硅单晶在区熔保持过程中产生开裂的情况。
一种熔炉反射

[发明专利]一种不收尾的直拉单晶方法及硅单晶-CN202210878287.2在审
发明人：陶莹 -专利权人：北京麦竹吉科技有限公司;陶莹
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明涉及硅单晶生长技术领域，具体而言，涉及一种不收尾的直拉单晶方法及硅单晶。该方法采用籽晶和硅熔体，依次进行引颈、放肩和等径生长，等径生长结束后，降低晶体的转速和所述硅熔体的受热温度，使晶体的固液面向硅熔体内凸起；快速将晶体提拉至与硅熔体的液面分离的位置；分离后，停止提拉晶体；该方法有效降低了晶体与硅熔体的固液界面下面的强迫对流强度，使晶体的固液面向硅熔体内凸起；快速提高拉速，可使晶体与液面快速分离，不会产生滑移线，可不用收尾。
一种收尾直拉单晶方法硅单晶

[发明专利]一种回浸式不收尾直拉单晶方法及硅单晶-CN202210876415.X有效
发明人：陶莹 -专利权人：北京麦竹吉科技有限公司;陶莹
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明涉及硅单晶生长技术领域，具体而言，涉及一种回浸式不收尾直拉单晶方法及硅单晶。该方法采用籽晶和硅熔体，依次进行引颈、放肩和等径生长，等径生长结束后，提高硅熔体的受热温度，并保持10~20分钟；将晶体回浸至硅熔体中，使晶体的固液面向硅熔体内凸起；回浸后，立即提高硅熔体的受热温度，使晶体与液面自然分离该方法通过将晶体回浸，使晶体的固液面向硅熔体内凸起；继续快速提拉晶体，使晶体与液面自然分离，不会产生滑移线，可不用收尾。该方法具有高效、节省能源和原料、操作简单等优点。
一种回浸式不收尾直拉单晶方法硅单晶

[发明专利]硅单晶的制造方法及硅片的制造方法-CN200710148262.2有效
发明人：稻见修一;井上邦春;诸石学;深川嗣也;草场伸博 -专利权人：株式会社SUMCO
申请日： 2007-09-04 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供能够获得晶轴方位为[110]的硅片、且位错被完全除去的电阻率低的硅单晶的制造方法以及由通过该方法获得的硅单晶制造晶轴方位为[110]的低电阻硅片的方法。为利用CZ法的硅单晶制造方法，在作为掺杂剂添加有硼且其浓度达到6.25×10¹⁷～2.5×10²⁰原子/cm³的硅熔融液中，浸渍中心轴相对于[110]晶轴倾斜0.6°～10°、且与在由所述硅熔融液培育的单晶上形成的颈部的硼浓度大致相同浓度的硅晶种，从而培育中心轴相对于[110]晶轴倾斜0.6°～10°的硅单晶。
硅单晶制造方法硅片

[实用新型]一种用于硅单晶制备的区熔线圈-CN201220640902.8有效
发明人：王遵义;王彦君;张雪囡;刘嘉;孙健;刘铮;涂颂昊;乔柳;冯啸桐 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： C30B13/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于硅单晶制备的区熔线圈，包括线圈骨架和线圈冷却水管，所述线圈冷却水管焊接嵌入所述线圈骨架内，其特征在于：所述线圈为平板单匝结构，所述线圈骨架的上表面设有向线圈内部凹陷的台阶，所述线圈骨架内圆处开有贯通上下表面的十字切缝本实用新型的有益效果是提供一种热场均匀、熔硅下行顺畅、成晶率高的用于硅单晶制备的区熔线圈。
一种用于硅单晶制备线圈

[实用新型]一种用于区熔法制备硅单晶的加热线圈-CN201220642790.X有效
发明人：刘嘉;张雪囡;王彦君;王遵义;孙健;刘铮;涂颂昊;乔柳;冯啸桐 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： C30B13/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于区熔法制备硅单晶的加热线圈，包括线圈骨架和线圈冷却水管，所述线圈冷却水管焊接嵌入所述线圈骨架内，其特征在于：所述线圈为平板单匝结构，所述线圈骨架的上表面设有向线圈内部凹陷的第一台阶本实用新型的有益效果是提供一种热场均匀、熔硅下行顺畅、成晶率高的区熔法制备硅单晶的加热线圈。
一种用于法制备硅单晶加热线圈

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