[发明专利]一种提高区熔硅单晶用多晶棒料利用率的方法在审
| 申请号： | 201810839106.9 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109252209A | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 郝大维;刘凯;边智学;刘琨;王广明;孙晨光;王彦君;孙健 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/00 | 分类号： | C30B13/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 杨慧玲 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种提高区熔硅单晶用多晶棒料利用率的方法，以A尺寸区熔硅单晶生长过程中在单晶保持过程中发生掉苞后的剩余多晶棒料为原料，在不改变区熔炉内部热场的条件下，根据剩余多晶棒料的剩余量，切换单晶生长工艺参数，继续拉制尺寸小于A尺寸区熔硅单晶的其他尺寸区熔硅单晶。本发明所述的提高区熔硅单晶用多晶棒料利用率的方法在不改变区熔炉内部热场结构的条件下，利用掉苞后的剩余多晶棒料为原料，根据剩余多晶棒料的剩余量，切换到能够拉制的其他尺寸区熔硅单晶的工艺参数，继续拉制其他尺寸区熔硅单晶，避免了下料返工，提高了工时利用率，降低了多晶棒料的损失，提高了多晶棒料的利用率，提高了单晶硅棒的产量。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶棒 区熔硅单晶 拉制 区熔炉 剩余量 单晶生长工艺 工时利用率 单晶硅棒 热场结构 生长过程 单晶 返工 热场 下料 | ||
【主权项】：
1.一种提高区熔硅单晶用多晶棒料利用率的方法，其特征在于：以A尺寸区熔硅单晶生长过程中在单晶保持过程中发生掉苞后的剩余多晶棒料为原料，在不改变区熔炉内部热场的条件下，根据所述剩余多晶棒料的剩余量，切换单晶生长工艺参数，继续拉制尺寸小于所述A尺寸区熔硅单晶的其他尺寸区熔硅单晶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津中环领先材料技术有限公司，未经天津中环领先材料技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810839106.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种抗辐照氟化铈晶体的制作方法
- 下一篇：一种激光晶体的生长装置及方法
- 同类专利
- 一种智能真空区域熔炼装置-201920184592.5
- 付莹;于占东;杨彬;郭继宁;邢星;张鹏 - 渤海大学
- 2019-01-26 - 2019-11-01 - C30B13/00
- 本实用新型提供一种智能真空区域熔炼装置，涉及区域熔炼领域，包括控制机构、驱动机构和操作机构，控制机构包含有操作台与控制器，控制器固定在所述操作台上，且操作台固定在固定底座上，固定底座的底部固定有支撑腿；驱动机构包含有驱动电机，驱动电机固定在固定底座的一侧，且驱动电机的一侧通过转轴转动连接有螺杆。本实用新型中，通过控制器控制驱动电机即可间接带动高频电炉管在石英管上来回移动，通过控制器还可控制真空抽气泵将石英管内部的空气抽出，通过控制器还可控制氢气净化机向石英管内部注入纯净的氢气，因此通过智能化设置，使得金属的提纯效率高、运行平稳、自动化程度高。
- 提纯太阳能级多晶硅的方法-201810831907.0
- 王书杰;孟静 - 江苏金晖光伏有限公司
- 2018-07-26 - 2019-08-06 - C30B13/00
- 本发明公开了一种提纯太阳能级多晶硅的方法。所述方法主要通过对工业硅进行冶金法熔炼后，经过对提拉定向生长多晶硅进行多级电磁约束区域提纯的方法来获得太阳能级多晶硅。首先通过冶金法熔炼硅合金熔体，然后经过提拉定向生长多晶硅来初步提纯多晶硅后，在提拉出的多晶硅锭周围设置对称偶数个电磁约束熔炼器，实现多级电磁约束区域提纯，并进一步实现高纯度提纯多晶硅。
- 区熔单晶小头切除装置及提高区熔单晶小头切除效率装置-201820794000.7
- 李伟凡;涂颂昊;郝大维;边智学;刘愿;郭宝川;王遵义;孙晨光;王彦君;孙健 - 天津中环领先材料技术有限公司
- 2018-05-25 - 2019-04-02 - C30B13/00
- 本实用新型提供了区熔单晶小头切除装置及提高区熔单晶小头切除效率装置，包括中心固定轴、撞击杆、弹力装置及可前后运动的刀架机构；刀架机构前端设有刀片机构，弹力装置设置在刀架机构后端，中心固定轴与刀架机构转动连接，撞击杆与中心固定轴固接，驱动机构驱动刀架前后运动。本实用新型所述的一种区熔单晶小头切除装置及提高切除效率的装置，能够在切除单晶小头时不拆炉的条件下，减小单晶小头的切除过程中所产生的粉尘，进而保证炉膛环境满足高品质区熔单晶加工的需求。
- 一种炉室小型化的悬浮区熔单晶炉-201820831934.3
- 李小刚 - 峨眉山市元素新材料科技有限公司
- 2018-05-31 - 2019-01-29 - C30B13/00
- 本实用新型属于悬浮区熔单晶炉技术领域，具体涉及一种炉室小型化的悬浮区熔单晶炉。针对现有用于生产较长单晶棒的悬浮区熔单晶炉由于炉室过大，导致生产成本较高、占用空间较大的问题。本实用新型的技术方案是：包括炉室，炉室顶部设置有上轴，上轴的末端设置有夹具，炉室底部设置有下轴，炉室中还设置有挂架，挂架一端连接有用于将挂架输送至上轴下方的伸缩轴，伸缩轴通过能够横向滑动的滑动机构与炉室的内壁连接。本实用新型适用于长棒状单晶的生长工艺。
- 一种连续生产的区熔炉-201820831947.0
- 李小刚 - 峨眉山市元素新材料科技有限公司
- 2018-05-31 - 2019-01-29 - C30B13/00
- 本实用新型属于悬浮区熔单晶炉技术领域，具体涉及一种连续生产的区熔炉。针对上述现有用于生产较长单晶棒的悬浮区熔单晶炉每生产一根晶体棒都需要进行一次抽真空和降真空，导致能耗及惰性气体的消耗较高，提高了工艺的成本，且生产效率较低的问题。本实用新型的技术方案是：包括炉室，炉室顶部设置有上轴，上轴的末端设置有夹具，炉室底部设置有保温室，保温室中设置有下轴，炉室侧面设置有原料切换室，原料切换室中设置有用于更换上轴上的原料晶体棒的原料切换装置；保温室侧面设置有产品存储室，产品存储室中设置有用于取走保温室中产品的产品拾取装置；下轴顶端设置有转盘Ⅰ，转盘Ⅰ上设置有多个籽晶安装装置。本实用新型适用于单晶生长工艺。
- 一种提高区熔硅单晶用多晶棒料利用率的方法-201810839106.9
- 郝大维;刘凯;边智学;刘琨;王广明;孙晨光;王彦君;孙健 - 天津中环领先材料技术有限公司
- 2018-07-26 - 2019-01-22 - C30B13/00
- 本发明提供了一种提高区熔硅单晶用多晶棒料利用率的方法，以A尺寸区熔硅单晶生长过程中在单晶保持过程中发生掉苞后的剩余多晶棒料为原料，在不改变区熔炉内部热场的条件下，根据剩余多晶棒料的剩余量，切换单晶生长工艺参数，继续拉制尺寸小于A尺寸区熔硅单晶的其他尺寸区熔硅单晶。本发明所述的提高区熔硅单晶用多晶棒料利用率的方法在不改变区熔炉内部热场结构的条件下，利用掉苞后的剩余多晶棒料为原料，根据剩余多晶棒料的剩余量，切换到能够拉制的其他尺寸区熔硅单晶的工艺参数，继续拉制其他尺寸区熔硅单晶，避免了下料返工，提高了工时利用率，降低了多晶棒料的损失，提高了多晶棒料的利用率，提高了单晶硅棒的产量。
- 一种区熔炉大盘防护装置-201820784285.6
- 张志富;李伟凡;孙健;吴峰;李东;王克旭;王遵义;孙晨光;王彦君 - 天津中环领先材料技术有限公司
- 2018-05-24 - 2019-01-18 - C30B13/00
- 本实用新型提供了一种区熔炉大盘防护装置，包括左半管和右半管，主轴穿过左半管和右半管形成的圆形管内部，左半管和右半管的上端均设置有上连接孔，下端设置有下连接孔，左半管和右半管的上端通过上连接孔与主轴防尘圈连接，左半管和右半管的下端通过下连接孔与原有的大盘连接，左半管和右半管的外壁的分别固定设置有左防护盘和右防护盘，左防护盘和右防护盘均为半圆形，左防护盘和右防护盘的端面上分别设置有左连接板和右连接板，螺栓穿过左连接板和右连接板上的板间连接孔实现左半管和右半管以及左防护盘和右防护盘之间的可拆卸连接。本实用新型能减小单晶裂后流熔对炉体的影响，能够轻松的将硅渣清理干净，节约了大量工时，提高效率。
- 一种钢丝可调节式单晶夹持装置-201821039852.1
- 万静;郝大维;李东;李皓;郭宝川;刘承劼;孙晨光;王彦君;孙健 - 天津中环领先材料技术有限公司
- 2018-06-29 - 2019-01-18 - C30B13/00
- 本实用新型提供了一种钢丝可调节式单晶夹持装置，包括旋转底盘、设于旋转底盘上的单晶夹持底座、设于单晶夹持底座上的铰接的拔片连接杆及竖直设置的钢丝；钢丝的上端与拔片连接杆的尾端连接，钢丝的下端与旋转底盘连接，钢丝上套设有一段具有弹性的毛细铜管，毛细铜管呈弯折状，钢丝位于所述毛细铜管内的一段呈与毛细铜管相同的弯折状。本实用新型所述的钢丝可调节式单晶夹持装置结构简单、制造成本低廉、能够实时快捷的调节钢丝长度。
- 一种控制大尺寸钼铌合金单晶棒材等径生长的方法-201610850656.1
- 胡忠武;殷涛;郭林江;高选乔;任广鹏;李来平;张文;张平祥 - 西北有色金属研究院
- 2016-09-27 - 2019-01-08 - C30B13/00
- 本发明提供了一种控制大尺寸钼铌合金单晶棒材等径生长的方法，包括以下步骤：一、选取多晶坯料和单晶籽晶为原料；二、将多晶坯料和单晶籽晶安装在位于电子束悬浮区域熔炼炉熔炼室内的夹持头上，然后调节多晶坯料与单晶籽晶之间的距离，之后进行相对逆向旋转，接着进行熔接处理，将熔接后的多晶坯料和单晶籽晶相对电子枪运动，得到等径生长的大尺寸钼铌合金单晶棒材。利用本发明方法得到的大尺寸钼铌合金单晶棒材，其直径为20mm～40mm，长度为100mm～800mm，晶体取向与单晶籽晶一致，晶向偏离角不大于3°，杂质元素总浓度不高于70μg/g，直线度不大于1.0mm/m。
- 一种用于区熔法生长硅单晶的籽晶夹持器-201820184960.1
- 刘娟 - 林蓉瑶
- 2018-02-02 - 2018-11-13 - C30B13/00
- 本实用新型公开了一种用于区熔法生长硅单晶的籽晶夹持器，包括基座、升降仓、夹头、齿轮仓和齿条，所述基座底部的中间位置处安装有第二吸盘，所述基座的上方设置有主支杆，且主支杆的内部安装有齿条，所述主支杆一端的中间位置处设置有齿轮仓，且齿轮仓内部一侧的中间位置处安装有轴承，所述轴承的内侧安装有延伸至齿轮仓外部的转轴。本实用新型可以通过旋转旋钮帽，带动齿轮旋转，使齿条升高，齿条升高推动连接块沿着滑轨升高，从而使籽晶升高，更好地接触多晶材料，且升高过程中，由滑块辅助升高和限位，不易出现偏差，该籽晶夹持器可以将籽晶放入夹头内侧，然后旋转固定套管固定好。
- 一种用于区熔法拉制硅单晶的支撑装置-201820457137.3
- 何志华 - 新疆大全新能源股份有限公司
- 2018-04-02 - 2018-11-13 - C30B13/00
- 本实用新型涉及硅单晶生产技术领域，具体涉及一种用于区熔法拉制硅单晶的支撑装置。主要技术方案为：一种用于区熔法拉制硅单晶的支撑装置，包括:夹持本体和转轴；所述夹持本体具有上端开口的圆柱状的容腔，用于支撑原料棒；所述夹持本体为氮化硅材料；所述夹持本体上设置有螺纹孔；所述螺纹孔沿所述容腔的径向设置；所述螺纹孔为多个；多个所述螺纹孔沿所述容腔的圆周方向均匀分布；所述转轴固定地设置在所述夹持本体的底部，与所述容腔同轴设置。采用本实用新型使支撑装置能够耐高温，提高其可靠性，进而提高拉制硅单晶过程的可靠性。
- 一种用于调节区熔炉压力的保护装置-201810713117.2
- 赵阳;刘琨;郝大维;王克旭;张凤佐;李军;孙晨光;王彦君;孙健 - 天津市环欧半导体材料技术有限公司
- 2018-06-29 - 2018-10-26 - C30B13/00
- 本发明提供了一种用于调节区熔炉压力的保护装置，包括置于区熔炉体外壁连通的管路，所述管路的另一端与外部空气连通，所述管路上设有防爆阀，通过所述防爆阀将所述区熔炉体密封，所述防爆阀和所述区熔炉体外壁之间的所述管路上还设有压力传感器。本发明所述的一种用于调节区熔炉压力的保护装置，通过设计的装置，能够对炉体内的气体压强进行监控或者保证炉体密封处的压强不会超过炉体额定压力，实现自动的调节，保证区熔炉体的安全性能。
- 一种区熔单晶炉用可调节式单晶夹持装置-201810712709.2
- 万静;郝大维;李东;李皓;郭宝川;刘承劼;孙晨光;王彦君;孙健 - 天津市环欧半导体材料技术有限公司
- 2018-06-29 - 2018-09-28 - C30B13/00
- 本发明提供了一种区熔单晶炉用可调节式单晶夹持装置，包括旋转底盘、设于旋转底盘上的单晶夹持底座、设于单晶夹持底座上的铰接的拔片连接杆及竖直设置的钢丝；钢丝的上端与拔片连接杆的尾端连接，钢丝的下端与旋转底盘连接，钢丝上套设有一段具有弹性的毛细铜管，毛细铜管呈弯折状，钢丝位于所述毛细铜管内的一段呈与毛细铜管相同的弯折状。本发明所述的区熔单晶炉用可调节式单晶夹持装置结构简单、制造成本低廉、能够实时快捷的调节钢丝长度。
- 一种用于区熔单晶炉的固定夹持机构-201820054444.7
- 杨光宇 - 锐捷芯盛（天津）电子科技有限公司
- 2018-01-13 - 2018-09-25 - C30B13/00
- 本实用新型公开了一种用于区熔单晶炉的固定夹持机构，包括夹持装置本体，所述夹持装置本体的顶部安装有安装座，且安装座的上方安装有电机，所述电机的一端安装有丝杆，且丝杆的一端安装有第二滑块，所述第二滑块的一侧安装有底座，且底座的内部安装有第一活塞，且第一活塞的一侧安装有第二活塞，所述第二活塞的顶部安装有档板，本实用新型设置了气压室底座，解决了底座上没有档板隔档单晶炉，单晶炉受外力抵触容易发生位移的问题，有利于单晶炉的稳定，有利于单晶炉的稳定，便于使用者安装固定夹持机构的其他结构，设置了线夹板，解决了单晶炉连接的电线缠绕在一起，造成维修时很难区分的问题，便于使用者区分电线。
- 一种用于区熔炉的二次夹持块-201721840211.1
- 付斌;赵晶;王永涛;李青宝 - 有研半导体材料有限公司
- 2017-12-25 - 2018-09-18 - C30B13/00
- 本实用新型公开了一种用于区熔炉的二次夹持块。该二次夹持块包括夹持块主体、夹持针、挡针顶丝和连接杆，夹持针的一端从夹持块主体的上部嵌入夹持块主体内部，夹持块主体内部具有供夹持针前后倾斜的空间；挡针顶丝两两相对地安装在夹持块主体的前后两面上，相对的两根挡针顶丝端部顶住夹持针，通过调整该两根挡针顶丝的位置调整夹持针相对于夹持块主体的倾斜角度；连接杆连接在夹持块主体的下部。利用本实用新型的二次夹持块可以在装炉时，通过调节夹持针的位置，改变夹持针的角度，为区熔生产工艺改进提供更宽的延展性。
- 硅单晶制造方法和硅晶片生产设备-201680074268.7
- D.维尔斯特雷腾 - 道达尔销售服务公司
- 2016-12-16 - 2018-08-21 - C30B13/00
- 本发明涉及硅单晶制造方法，其包括如下步骤：‑提供(100)包含Si截口料的硅原材料，‑将所述硅原材料偏析和成型(102)为用于悬浮区熔方法的原材料锭，‑使用所述原材料锭通过悬浮区熔方法制造(104)硅单晶。
- 一种连续生产的区熔炉-201810546640.0
- 李小刚 - 峨眉山市元素新材料科技有限公司
- 2018-05-31 - 2018-08-14 - C30B13/00
- 本发明属于悬浮区熔单晶炉技术领域，具体涉及一种连续生产的区熔炉。针对上述现有用于生产较长单晶棒的悬浮区熔单晶炉每生产一根晶体棒都需要进行一次抽真空和降真空，导致能耗及惰性气体的消耗较高，提高了工艺的成本，且生产效率较低的问题。本发明的技术方案是：包括炉室，炉室顶部设置有上轴，上轴的末端设置有夹具，炉室底部设置有保温室，保温室中设置有下轴，炉室侧面设置有原料切换室，原料切换室中设置有用于更换上轴上的原料晶体棒的原料切换装置；保温室侧面设置有产品存储室，产品存储室中设置有用于取走保温室中产品的产品拾取装置；下轴顶端设置有转盘Ⅰ，转盘Ⅰ上设置有多个籽晶安装装置。本发明适用于单晶生长工艺。
- 通过在浮区结晶单晶体生长单晶体的方法-201510940322.9
- G·拉明;L·阿尔特曼绍夫尔;G·拉特尼科斯;M·默勒;F·幕莫勒 - 硅电子股份公司
- 2015-12-16 - 2018-06-19 - C30B13/00
- 通过从浮区结晶单晶体来生长单晶体的方法，所述浮区经感应加热以及所述结晶单晶体在旋转方向旋转，且所述旋转方向根据交替方案间隔性地反转，其特征在于：所述单晶体由于旋转方向的反转而处于静止状态期间的停留时间被限制到不超过60ms。
- 一种多功能温度可控式液桥生成器-201610400788.4
- 梁儒全;赵俊楠;李湛;王奎阳;张硕;李晓媛;闫付强;杨硕 - 东北大学
- 2016-06-08 - 2018-05-29 - C30B13/00
- 一种多功能温度可控式液桥生成器，由支架、液桥生成装置、温控装置和冷却水箱四部分组成，所述液桥生成装置包括垂直中心线位于同一直线上的上桥柱和下桥柱，以及观察套管；所述上桥柱和下桥柱分别在支架上部的上桥柱安装孔和支架下部的下桥柱安装孔垂直安装，上桥柱由上均匀送气套管和上盘焊接组装，下桥柱由下盘和下均匀送气套管焊接组装；所述观察套管同轴套装于上均匀送气套管和下均匀送气套管外表面并紧密贴合；所述上桥柱安装孔侧方支架上设置有紧固螺钉；所述温控装置包括加热槽、加热棒、热电偶、温度控制器、继电器和电源，其中加热槽焊接于支架上方的上均匀送气套管外部；所述冷却水箱焊接于下均匀送气套管外部。
- 一种用于高纯镉提纯感应式水平区熔炉-201721510873.2
- 霍彦权;苏伟 - 锦州华新电力电子有限公司
- 2017-11-02 - 2018-05-29 - C30B13/00
- 一种用于高纯镉提纯感应式水平区熔炉，区熔炉的工作台架上装有充气装置、放气装置、吸真空装置、传动装置、PLC触摸屏控制系统和移动平台；工作台架上固定有石英管炉体，炉体内设有石英舟；感应加热装置上有多组内设感应加热圈的加热支架，石英舟位于感应加热圈内。PLC触摸屏控制系统控制感应加热装置产生高频电流使感应加热圈产生强磁场发出高热，加热熔化石英舟内镉，控制感应加热圈移动速度与方向，使感应加热圈从石英舟的首端移动到尾端数次，将镉金属熔化成液态在石英舟中，杂质会富集在镉锭头部。冷却后，去掉棒料头部含杂部分，得到提纯后的高纯镉产品。该区熔炉结构简单，预热时间短，控温精准，熔区可控，节能环保，效率高，寿命长。
- 一种上液桥柱可旋转式液桥生成器-201610400782.7
- 梁儒全;李湛;王奎阳;赵俊楠;张硕;李晓媛;朱林阳;杨硕 - 东北大学
- 2016-06-08 - 2018-05-04 - C30B13/00
- 本发明提供一种上液桥柱可旋转式液桥生成器，包括支架，支架上部安装电机，电机正下方的支架上设有上液桥柱安装孔和上液桥柱卡槽，支架下部设有下液桥柱安装孔和下液桥柱卡槽，上液桥柱和下液桥柱分别通过上液桥柱安装孔和下液桥柱安装孔垂直安装并保持中心相对；所述上液桥柱包括上液桥柱杆、上盘和与上液桥柱卡槽外径相同的上液桥柱卡环，上液桥柱杆和上盘之间通过螺纹连接，上液桥柱卡环焊接在上液桥柱杆上；所述下液桥柱包括下液桥柱上杆、下液桥柱下杆、下盘和与下液桥柱卡槽外径及高度相同的下液桥柱卡环，下液桥柱上杆和下盘之间通过螺纹连接，下液桥柱上杆和下液桥柱下杆的连接处焊接下液桥柱卡环；所述电机的转动轴与上液桥柱杆连接。
- 一种浮区法生长掺杂不同浓度Ta的La2Ti2O7单晶的方法-201711367585.0
- 余建定;王慧;李勤;汪超越;贺欢;李新芳;徐家跃 - 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 2017-12-18 - 2018-04-24 - C30B13/00
- 本发明涉及一种浮区法生长掺杂不同浓度Ta的La2Ti2O7单晶的方法，所述掺Ta的La2Ti2O7单晶的化学组成为La2Ti2‑xTaxO7，其中0.01≤x≤0.1，优选0.02≤x≤0.08，晶格常数分别为a=7.8109‑7.8220Å，b=13.008‑13.012Å，c=5.5451‑5.5498Å。本发明的La2Ti2‑xTaxO7单晶，有很高的结晶度，单晶具有很高的透过率。
- 一种在感应式区熔炉生产高纯镉的工艺方法-201711120284.8
- 苏伟;霍彦权 - 葫芦岛华源科技有限公司
- 2017-11-02 - 2018-04-03 - C30B13/00
- 一种应用感应式区熔炉生产高纯镉的工艺方法，其步骤如下将镉金属料置于石英舟内，再将石英舟放入石英管炉体中使之位于感应加热圈内，然后将石英管炉体的两端用不锈钢密封套密封；用吸真空装置将石英管炉体内腔抽真空，然后充气惰性气体；PLC触摸屏控制系统控制感应加热装置产生高频电流使感应加热圈产生强磁场发出高热，加热熔化石英舟内镉，控制感应加热圈移动速度与方向，使感应加热圈从石英舟的首端移动到尾端数次，将镉金属熔化成液态在石英舟中，杂质会富集在镉锭头部；冷却后，去掉棒料头部含杂部分，得到提纯后的高纯镉产品。该区熔炉结构简单，预热时间短，控温精准，熔区可控，节能环保，效率高，寿命长。
- 一种电子化合物C12A7:e‑单晶体的制备方法-201610519994.7
- 张久兴;江浩;张忻;刘燕琴;刘洪亮 - 北京工业大学
- 2016-07-04 - 2018-03-30 - C30B13/00
- 一种电子化合物C12A7e‑单晶体的制备方法属于阴极材料技术领域。电子化合物C12A7e‑因具有低的逸出功而备受关注，但迄今为止关于其单晶体的制备技术及其电子发射研究很少，且目前制备工艺复杂，单晶体质量较差，很难实现大规模应用。本发明采用放电等离子烧结(SPS)、光学悬浮区域熔炼以及活性物质还原法相结合在高真空环境下制备大尺寸，高质量C12A7e‑单晶体。以CaCO3粉末和Al2O3粉末为初始原料制备出的高纯度、高质量、大尺寸C12A7e‑单晶体为(φ8～15)mm×(20～30)mm的圆柱体，单晶衍射仪测试结果显示单晶质量良好没有出现孪晶现象，室温下载流子浓度为6.6×1019cm‑3。
- 一种提高硅芯母料利用率的方法-201410272047.3
- 冯德志;李斌;李川;甘居富;朱彬 - 四川永祥多晶硅有限公司
- 2014-06-18 - 2018-03-09 - C30B13/00
- 本发明为了解决拉制过程中硅芯母料浪费大的问题，提供了一种提高硅芯母料利用率的方法。其特征在于将切割好的硅芯母料的一端与棒料的一端连接，棒料的另一端装夹于硅芯炉的料座中，再对硅芯母料进行拉制。通过在硅芯母料下端粘接一段棒料来代替尾料，从而让料座与线圈保持一定距离，有效的保护了料座。提高了硅芯母料的利用率，使得硅芯的成本大幅下降。
- 用于使用激光加热基座生长来生产薄晶光纤的设备及方法-201580078149.4
- G·马克斯韦尔;B·庞廷 - 夏士达水晶公司
- 2015-06-12 - 2017-12-01 - C30B13/00
- 本发明揭示用于经由光学加热来生长薄晶光纤的设备及方法。所述设备可包含且所述方法可采用光能源，其用于加热源材料以形成熔化源材料的熔融区；上光纤导轨，其用于沿着经界定平移轴将生长晶体光纤拉离所述熔融区；及下馈送导轨，其用于沿着经界定平移轴将额外源材料推向所述熔融区。对于某些此类设备及采用所述设备的所述方法，所述下馈送导轨的平移轴及上光纤导轨的平移轴大体上竖直且轴向对准，以在一些情况下在约5μm的水平容限内将所述源材料水平定位在从所述光能源发射的光能路径中。
- 一种SnSe2晶体化合物及其制备方法和应用-201710617019.4
- 唐新峰;舒月姣;郑刚;柳伟;鄢永高 - 武汉理工大学
- 2017-07-26 - 2017-11-28 - C30B13/00
- 本发明公开了一种SnSe2晶体化合物的制备方法，首先以Sn颗粒、Se颗粒和SnCl2粉为原料，进行加热熔融、冷却得锭体材料；然后置于区熔炉中，采用区熔工艺进行定向生长，得所述SnSe2晶体化合物。本发明首次提出采用熔融结合区熔工艺制备SnSe2化合物准单晶材料，所得产物具有较好的单相性、致密性，并具有较好的准单晶结构；对SnSe2基材料进行掺杂改进，可大幅度提升所得掺杂样品的热电性能；此外，本发明涉及的制备时间短、操作简单，设备要求低，适合大规模工业化生产。
- 一种低吸收磷锗锌晶体生长的方法-201710434825.8
- 倪友保;吴海信;肖瑞春;毛明生;王振友 - 中国科学院合肥物质科学研究院
- 2017-06-10 - 2017-10-20 - C30B13/00
- 本发明涉及一种低吸收磷锗锌晶体生长的方法。该方法采用温度梯度区域熔炼法，辅以合适助熔剂，在晶体相变点温度下生长，具体步骤包括①生长坩埚预处理；②原料配置；③升温；④晶体生长；⑤降温；⑥清洗。采用本发明方法生长的磷锗锌单晶具有缺陷少、近红外残余吸收低等特点，解决了目前常规磷锗锌晶体生长方法中存在的生长温度高、近红外残余吸收大等问题。
- 一种制备超高纯材料的区域熔炼炉-201720203990.8
- 卢鹏荐;张林;胡涛;蔡斌 - 武汉源脉科技股份有限公司
- 2017-03-03 - 2017-10-13 - C30B13/00
- 本实用新型公开了一种制备超高纯材料的区域熔炼炉，包括主炉体，所述主炉体的上方设有进料口，所述进料口上插设有连通管，所述连通管的上端连接有进料漏斗，所述主炉体上设有加热腔，所述连通管位于加热腔的一端连接有卡板，所述连通管的内壁上设有环形卡槽，所述环形卡槽内设有限位板，所述进料漏斗内设有第一过滤板。本实用新型操作方便，使用者可以通过将物料从进料漏斗内倒入，进而物料可以通过进料漏斗和连通管进入加热腔内，进而可以经过加热腔内的加热圈加热，进而物料可以顺着加热腔与分流炉体之间的连通效果，使得物料可以快速流入分流炉体内，进而实现快速加热提纯的效果，为使用者提供了一种高效快速的加热提纯熔炼炉。
- 一种稀土硅化物单晶晶体的制备方法-201510377818.X
- 徐义库;王丹丹;肖君霞;杨蕾;于金丽;郝建民 - 长安大学
- 2015-06-27 - 2017-07-28 - C30B13/00
- 本发明公开了一种稀土硅化物单晶晶体的制备方法，该方法为一、制备EuPd共晶合金；二、按质量比EuPdSi＝(33.3+X)(16.7‑X)50称取钯粒、硅块和EuPd共晶合金，制备PdSi二元合金；三、将EuPd共晶合金和PdSi二元合金置于感应加热器中熔化均匀，得到熔体，然后将熔体铸成棒材；四、切割棒材得到籽晶棒和给料棒；五、将给料棒安装于晶体生长室内的上轴上，将籽晶棒安装于下轴上，通入高纯氩气，采用光悬浮区熔法生长晶体，待晶体生长结束并冷却后将晶体取出；六、线切割后得到稀土硅化物单晶晶体。本发明可制备得到获得少沉淀、无明显位错与孪晶、质量高的稀土硅化物单晶晶体。
- 专利分类
