专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果1260450个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [实用新型]一种基层骨架的防腐蚀结构-CN202123103303.0有效
  • 饶建平 - 深圳市德勤装饰工程有限公司
  • 2021-12-08 - 2022-05-10 - C09D5/08
  • 本实用新型公开了一种基层骨架的防腐蚀结构,包括基架,所述基架的表面涂覆有防腐蚀涂层,所述防腐蚀涂层的表面涂覆有防腐蚀中间层,所述防腐蚀中间层的表面涂覆有防腐蚀面层,所述防腐蚀面层的表面涂覆有抗氧化涂层,所述抗氧化涂层的表面涂覆有抗氧化中间层,所述抗氧化中间层的表面涂覆有抗氧化面层。本实用新型通过设置基架、防腐蚀涂层、防腐蚀中间层、防腐蚀面层、抗氧化涂层、抗氧化中间层、抗氧化面层、防护层、保护层、防水层、防锈涂层、防锈中间层和防锈面层的配合使用,解决了现有基层骨架的防腐蚀性较差,在长时间使用后基层骨架的表面会发生氧化、上锈和腐蚀等不良现象,降低了基层骨架使用寿命的问题。
  • 一种基层骨架腐蚀结构
  • [发明专利]一种顶层是金属镍的腐蚀工艺-CN202210956727.1在审
  • 唐红梅;孙培;王毅 - 扬州扬杰电子科技股份有限公司
  • 2022-08-10 - 2022-10-18 - H01L21/3213
  • 一种顶层是金属镍的腐蚀工艺。本发明用PBE腐蚀液和新的腐蚀流程加工,PBE腐蚀液主要是腐蚀Ni表面的氧化镍,再用NiAg腐蚀腐蚀纯Ni金属。腐蚀液(PBE)成分:冰乙酸(CH3COOH):硝酸(HNO3):氢氟酸(HF)=3.7%:2%:8.9%。PBE不仅能腐蚀氧化层,它同时也可以腐蚀Ti,下层金属Ti也主要靠PBE腐蚀腐蚀流程中PBE腐蚀10S后,将表面氧化腐蚀干净,然后不冲水,直接提到NiAg腐蚀液中将表面Ni腐蚀干净,提出冲水,接着腐蚀下层金属Ti。本发明具有加工简便,氧化腐蚀干净高效等特点。
  • 一种顶层金属腐蚀工艺
  • [实用新型]一种耐腐蚀的包覆丝-CN202020996438.0有效
  • 苏建设 - 晋江市祺烽线带有限公司
  • 2020-06-03 - 2021-02-26 - D02G3/04
  • 本实用新型公开了一种耐腐蚀的包覆丝,包括防水层、抗氧化层和氨纶弹性丝芯,所述抗氧化层设置在所述防水层的内侧;所述氨纶弹性丝芯设置在所述抗氧化层的内侧;其中,所述抗氧化层与所述氨纶弹性丝芯之间设有耐腐蚀层,所述耐腐蚀层包括耐腐蚀复合膜和耐腐蚀涂料层,所述耐腐蚀复合膜设置在所述抗氧化层的内侧;所述耐腐蚀涂料层设置在所述耐腐蚀复合膜的内侧。由于在抗氧化层与所述氨纶弹性丝芯之间设有耐腐蚀层,并在包覆丝内设有的防水层、抗氧化层和氨纶弹性丝芯,使得本实用新型具有耐腐蚀、防潮和抗菌的优点。
  • 一种腐蚀包覆丝
  • [发明专利]腐蚀法制备低粗糙度锗的方法-CN202310411080.9在审
  • 吴瑶;师晋海;田玉莲;王金灵;许家龙;毕宏岩;周铁军 - 广东先导微电子科技有限公司
  • 2023-04-18 - 2023-07-28 - C30B33/10
  • 本申请公开了一种腐蚀法制备低粗糙度锗的方法,属于半导体技术领域,所述的腐蚀法制备低粗糙度锗的方法,包括以下步骤:将锗片浸入腐蚀液中进行腐蚀,干燥,得到低粗糙度锗;所述腐蚀液包括第一过氧化氢溶液和氢氧化钠溶液;所述第一过氧化氢溶液与氢氧化钠溶液的体积比为(0.2~0.3):1;腐蚀过程中持续加入第二过氧化氢溶液。本申请通过将锗片浸入到含过氧化氢和氢氧化钠的水溶液中进行腐蚀,能够有效的降低锗片的粗糙度,腐蚀后锗片表面光泽度高、粗糙度低,在腐蚀的过程中持续加入第二过氧化氢溶液,使腐蚀液中过氧化氢浓度保持稳定,提高腐蚀效率,同时,过氧化氢分解产生氧气导致氧分压的提高,进一步提高腐蚀效果,降低粗糙度。
  • 腐蚀法制粗糙方法
  • [发明专利]一种硅基晶圆的背面硅腐蚀加工方法-CN202310605020.0在审
  • 任晓塍;孙岩;承超;马敏洁;徐占勤;朱显 - 江苏新顺微电子股份有限公司
  • 2023-05-26 - 2023-10-13 - H01L21/306
  • 一种硅基晶圆的背面硅腐蚀加工方法,其包括如下步骤:将硅基晶圆安装在耐腐蚀载具上、并使硅基晶圆的背面暴露于耐腐蚀载具表面;将耐腐蚀载具浸泡在混合酸液中、以混合酸液对硅基晶圆的表面进行氧化,在硅基晶圆表面形成二氧化硅;从混合酸液中取出耐腐蚀载具、并清洗硅基晶圆;将耐腐蚀载具放入氧化反应液中浸泡,氧化反应液包括氟化铵和过氧化氢;将耐腐蚀载具从氧化反应液中取出、放入腐蚀液中浸泡以溶解所述二氧化硅,腐蚀液包括氟化铵和氢氟酸;在耐腐蚀载具上清洗并甩干硅基晶圆,将硅基晶圆取下。本发明能够在硅基晶圆的背面硅腐蚀工艺中去除硅基晶圆表面的氮氧化合物层,进而减少淀积背面金属的脱落,降低芯片的报废率。
  • 一种硅基晶圆背面腐蚀加工方法
  • [发明专利]一种用于检测氧化镓单晶加工表面损伤层的腐蚀液及检测方法-CN202010458603.1在审
  • 周海;韦嘉辉;张杰群;沈军州;朱江 - 盐城工学院
  • 2020-05-27 - 2020-10-27 - G01N17/00
  • 本发明公开了一种检测氧化镓单晶加工后表面层损伤的腐蚀液及腐蚀方法,腐蚀液包括硫酸溶液和磷酸溶液,以体积百分比计算,硫酸溶液占10%—30%,浓度不低于98%;磷酸溶液占70%—90%,浓度不低于85%。检测方法,包括:配制腐蚀液,以体积百分比计算,硫酸溶液占10%—30%,浓度不低于98%;磷酸溶液占70%—90%,浓度不低于85%;加热腐蚀液,将配制成的腐蚀液加热至80—95℃后;腐蚀氧化镓单晶片放入其中进行腐蚀腐蚀时间为1‑6分钟;清洗,将所述的腐蚀后的氧化镓单晶片取出,放入去离子水中清洗;检测,将清洗后的氧化镓单晶片检测其亚表面损伤。本发明所述的腐蚀液具有非常好的择优腐蚀性,腐蚀后的氧化镓单晶表面层损伤显示清晰,腐蚀温度较低,速率快。
  • 一种用于检测氧化镓单晶加工表面损伤腐蚀方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top