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[实用新型]一种氮化镓晶体管结构-CN202022157595.5有效
发明人：陈敏;戴维;孙春明;郑超;欧新华;袁琼 -专利权人：上海芯导电子科技股份有限公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种降低欧姆接触电阻的氮化镓晶体管结构，包括：衬底；氮化镓沟道层，设置于衬底上；势垒层，设置于氮化镓沟道层上；两个沟槽，分别设置于势垒层的两侧，每个沟槽包括一第一刻蚀区和一第二刻蚀区本实用新型的有益效果：提供一种新型的氮化镓晶体管结构，该结构用于设置源极和漏极的沟槽底部部分延伸到氮化镓沟道层内，在源漏端既保证了二维电子气层的存在，同时也增加了欧姆金属与势垒层、氮化镓沟道层的接触面积，从而降低了欧姆接触电阻。
一种氮化晶体管结构

[发明专利]一种P型发射区欧姆接触银电极浆料-CN202110312136.6有效
发明人：付明;张胡广;郑爱琴 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01B1/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型发射区欧姆接触银电极浆料，属于光伏发电太阳能电池领域。>‑PbO‑B2O3玻璃制备而成的银电极浆料对N型电池P型发射区表面的减反层和钝化层的腐蚀效果好，可以达到使金属银粉接触P发射区形成欧姆接触的要求。实验结果表明，所测得的银电极接触电阻优于银铝浆形成的接触电阻，同时还避免了漏电问题和线电阻增加的问题。
一种发射欧姆接触电极浆料

[发明专利]一种测量SiC衬底背面欧姆接触的比接触电阻率的方法-CN201811381345.0有效
发明人：杨成樾;周正东;罗烨辉;陈宏;白云;李诚瞻;刘国友;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所;株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种测量SiC衬底背面欧姆接触的比接触电阻率的方法，包括：提供具有不同面积的多个SiC衬底，所述SiC衬底的正反两面分别具有接触金属层；分别测量每个SiC衬底在正反两面之间的I‑V特性，得到每个SiC衬底的I‑V测试曲线；根据所述I‑V测试曲线拟合求出每个SiC衬底的总电阻R(S)，所述总电阻R(S)与所述SiC衬底的面积S相关；以及根据所述多个SiC衬底的总电阻R(S)和面积S推导计算所述接触金属层与所述SiC衬底之间的比接触电阻率ρc。
一种测量 sic 衬底背面欧姆接触电阻率方法

[发明专利]低接触电阻、低光吸收、全角高反射的LED电极-CN200410101246.4无效
发明人：沈光地;朱彦旭;李秉臣;郭霞;董立闽 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2004-12-17 - 公布日： 2005-06-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明的低接触电阻、低光吸收、全角高反射的LED电极属于光电子器件制造技术领域。该电极的结构为：第一层是掺杂的半导体层基底(1)；第二层是位于半导体基底上的欧姆接触层(8)；第三层是在欧姆接触层上的一层银高反镜(3)；第四层是在银高反镜上的一层保护层(4)，其特征在于：所述的欧姆接触层本发明的LED电极达到了接触电阻低、光吸收少，同时又提高了热可靠性的效果。
接触电阻光吸收全角反射 led 电极

[发明专利]一种低接触电阻的倒装焊加工方法及倒装互联结构-CN202311215798.7在审
发明人：黄立;黄晟;汪超;蒋文杰;毛添华;王春水 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2023-09-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B23K37/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种低接触电阻的倒装焊加工方法，包括如下步骤：S1、分别在两个基板表面加工形成若干间隔布置的焊点，且至少一个所述基板上的焊点为凸点；S2、将两个基板上的焊点通过倒装焊工艺一一对应焊接在一起以形成若干凸点互连结构该倒装焊加工方法通过在相邻凸点互连结构之间加工凸点止挡结构，对相邻的凸点在熔融过程中进行隔离处理，避免了相邻凸点互联短路的问题；同时加热熔融状态的凸点消除了氧化层，使得加工而成的倒装互联结构的接触电阻在几欧姆到几十欧姆，大大降低了接触电阻。
一种接触电阻倒装加工方法联结

[发明专利]半导体结构制造方法-CN201811038479.2在审
发明人：范谦;倪贤锋;何伟 -专利权人：苏州汉骅半导体有限公司
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本申请提出一种半导体结构制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上依次形成缓冲层和势垒层；在所述势垒层上形成介质层；对所述势垒层上需要形成欧姆接触的区域进行离子注入；进行周期性快速热退火。本申请所提出的半导体结构制造方法可以有效地降低欧姆接触电阻，增加器件的性能和可靠性。
半导体结构势垒层衬底制造欧姆接触电阻快速热退火欧姆接触缓冲层介质层有效地申请离子

[发明专利]一种n型AlGaN上的低阻欧姆电极结构及其制备方法-CN202111097152.4在审
发明人：莫春兰;邢啸泉;吴小明;王立;李新华;陈芳;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种n型AlGaN上的低阻欧姆电极结构及其制备方法，该n型AlGaN上的低阻欧姆电极结构包括：n型AlGaN层，金属电极层，其特征在于：在所述n型AlGaN层和金属电极层之间设有一个AlN界面层该制备方法通过在高Al组分n型AlGaN层上引入AlN界面层，从而达到较低接触电阻的目的。本发明可有效地解决高Al组分n型AlGaN接触电阻较高的问题。
一种 algan 欧姆电极结构及其制备方法

[发明专利]宽光谱硅单光子探测器及其制备方法-CN202310648207.9在审
发明人：王博;任显松;张世凤;刘巧莉;胡安琪;郭霞 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本申请提供一种宽光谱硅单光子探测器及其制备方法，宽光谱硅单光子探测器包括硅衬底和位于硅衬底上的至少一个硅单光子探测单元，硅单光子探测单元包括第一欧姆接触电极、光吸收层、雪崩放大层和第二欧姆接触电极；雪崩放大层具有相对的第一表面和第二表面，第一欧姆接触电极和光吸收层位于第一表面一侧，第二欧姆接触电极位于第二表面一侧；光吸收层用于吸收不同波长的光子并且产生光生载流子；第一欧姆接触电极和第二欧姆接触电极用于与外电路电连接，以在雪崩放大层上施加强电场
光谱光子探测器及其制备方法

[发明专利]一种基于光学天线的太赫兹探测器件-CN201410059407.1无效
发明人：胡志宇;林忠劲 -专利权人：上海大学
申请日： 2014-02-21 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于光学天线的太赫兹探测器件，包括衬底，蝶形光学天线，微小产热金属块，第一欧姆接触电极，第二欧姆接触电极，n型半导体引出线和p型半导体引出线；所述蝶形光学天线位于所述衬底表面；所述微小产热金属块位于所述衬底表面，被所述蝶形光学天线的两臂夹在中间；所述第一欧姆接触电极和第二欧姆接触电极位于所述衬底表面，对称布置在蝶形光学天线的对称轴上；所述n型半导体引出线嵌于所述衬底内，一端与所述微小产热金属块底面相连接，另一端与所述第一欧姆接触电极的底面相连接；所述p型半导体引出线嵌于所述衬底内，一端与所述微小产热金属块底面相连接，另一端与所述第二欧姆接触电极的底面相连接。
一种基于光学天线赫兹探测器件

[发明专利]采用α放射源的碳化硅肖特基结型同位素电池及其制造方法-CN201510786195.1在审
发明人：张林;谷文萍;张赞;胡笑钏 -专利权人：长安大学
申请日： 2015-11-16 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明的电池所采用的技术方案为：包括由SiC基片构成的衬底，衬底上部设置有N型SiC外延层，所述N型SiC外延层上设有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述若干个台阶的顶部中间位置均开设有凹槽，凹槽内设置有N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上端设置有N型欧姆接触电极，所述N型欧姆接触电极的形状与所述N型SiC欧姆接触掺杂区形状相同，所述N型欧姆接触电极两侧的台阶顶部位置上设置有α放射源；所述相邻台阶之间的沟槽底部设置有肖特基接触电极
采用放射源碳化硅肖特基结型同位素电池及其制造方法

[发明专利]一种氧化镓基紫外探测器-CN201810715995.8有效
发明人：龙世兵;覃愿;董航;何启鸣;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化镓基紫外探测器，包括氧化镓晶体衬底、H型氮化硼、石墨烯层、第一欧姆接触电极以及第二欧姆接触电极，其中第一欧姆接触电极生长在氧化镓晶体衬底的第一面；H型氮化硼生长在氧化镓晶体衬底的第二面；石墨烯层生长在H型氮化硼不与氧化镓晶体衬底接触的表面；第二欧姆接触电极生长在石墨烯层不与H型氮化硼接触的表面。
一种氧化紫外探测器

[发明专利]一种半导体激光器芯片欧姆接触电极及其制备方法与应用-CN201310214336.3有效
发明人：刘青;汤庆敏;沈燕;任忠祥;徐现刚 -专利权人：山东华光光电子股份有限公司
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体激光器芯片欧姆接触电极，包括在半导体激光器芯片上制备有欧姆接触电极，所述的欧姆接触电极包括由下而上依次制备的多种单质金属层，在相邻不同种类单质金属层之间制备有含该相邻两种单质金属的混合金属层本发明所述的单质金属层的金属为可用于蒸镀欧姆接触电极金属，属于现有公知技术。本发明针对目前GaAs半导体激光器芯片制备，提出了一种新的欧姆接触电极的制作方法，具有粘附性好、金属层间应力小，能够有效的促进金属薄膜层间的相变以及高温下的互扩散，有利于金属系的混合层化以及抗热疲劳、耐冲击的能力，从而提高了GaAs半导体激光器芯片欧姆接触性能、散热能力、可靠性和寿命。
一种半导体激光器芯片欧姆接触电极及其制备方法应用

[发明专利]一种发光二极管芯片、发光装置-CN202210251093.X在审
发明人：熊伟平;王鑫;吴志伟;高迪;彭钰仁;郭桓邵 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管芯片包括：半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及位于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的发光层；第一接触电极和第二接触电极，位于所述半导体外延叠层的第一表面之上，分别与所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层电连接；所述第一接触电极包括第一接触电极的欧姆接触层以及位于所述第一接触电极的欧姆接触层之上的第一电极阻挡层；所述第二接触电极包括第二接触电极的欧姆接触层以及位于所述第二接触电极的欧姆接触层之上的第二电极阻挡层。
一种发光二极管芯片发光装置

[发明专利]一种发光二极管芯片、发光装置-CN202111416529.8有效
发明人：熊伟平;王鑫;吴志伟;高迪;彭钰仁;郭桓邵 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管芯片包括：半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及位于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的发光层；第一接触电极和第二接触电极，位于所述半导体外延叠层的第一表面之上，分别与所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层电连接；所述第一接触电极包括第一接触电极的欧姆接触层以及位于所述第一接触电极的欧姆接触层之上的第一电极阻挡层；所述第二接触电极包括第二接触电极的欧姆接触层以及位于所述第二接触电极的欧姆接触层之上的第二电极阻挡层。
一种发光二极管芯片发光装置

[发明专利]一种新型GaN基PIN结构紫外探测器-CN201510149432.3有效
发明人：王俊;谢峰;郭进;王皖君;王国胜;周杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型GaN基PIN结构紫外探测器，属于半导体光电子器件技术领域，该器件包括衬底、缓冲层、N型短波过滤层、I型吸收层、P型欧姆接触层、P型欧姆接触电极、N型欧姆接触电极以及N型阻挡层，缓冲层外延在衬底上，N型短波过滤层制作在缓冲层上，P型欧姆接触层制作在I型吸收层之上，P型欧姆接触电极制作在P型欧姆接触层之上，N型欧姆接触电极为环形结构，且制作在N型短波过滤层上，N型阻挡层制作在N型短波过滤层上，I型吸收层制作在
一种新型 gan pin 结构紫外探测器