[发明专利]半导体的结构有效
| 申请号： | 200710101187.4 | 申请日： | 2007-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN101136435A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 莊学理;郑光茗;孙元成 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/088 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 邢雪红 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体的结构，包括：半导体基底；栅极迭层，在该半导体基底上；应力源，其至少一部分在该半导体基底中且邻接该栅极迭层，其中该应力源包括第一导电型的掺杂质；以及一部分的该半导体基底，邻接该应力源，且该部分的该半导体基底与该栅极迭层分别位于该应力源的两侧，其中该部分的该半导体基底被掺杂该第一导电型的掺杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体的结构，包括：半导体基底；栅极迭层，在该半导体基底上；应力源，其至少一部分在该半导体基底中且邻接该栅极迭层，其中该应力源包括第一导电型的掺杂质；以及部分的该半导体基底，邻接该应力源，且该部分的该半导体基底与该栅极迭层分别位于该应力源的两侧，其中该部分的该半导体基底被掺杂该第一导电型的掺杂质。
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