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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法-CN201410241729.8有效
发明人：井上隆;中山达峰;冈本康宏;川口宏;竹胁利至;名仓延宏;永井隆行;三浦喜直;宫本广信 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-06-03 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件以及制造半导体器件的方法。提供一种具有改善特性的半导体器件。该半导体器件具有衬底以及其上的缓冲层，沟道层，势垒层，贯穿其间并到达沟道层内部的沟槽，经由栅绝缘膜配置在沟槽中的栅电极以及栅电极两侧上的势垒层上的漏和源电极。栅绝缘膜具有由第一绝缘膜制成并从沟槽的端部延伸至漏电极侧的第一部分以及由第一和第二绝缘膜制成并配置在漏电极相对于第一部分侧上的第二部分。能够通过减小漏电极侧上的沟槽的端部处的第一部分的厚度来降低导通电阻。
半导体器件以及制造方法

[发明专利]半导体器件-CN200910127940.6有效
发明人： 永井隆行 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-03-27 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件。本发明旨在减少其中提供有半导体器件的保护电路的面积，本发明的半导体器件具有第一导电型阱、在阱中形成的多个第一扩散层、在阱中形成中的多个第二扩散层以及在阱中形成的扩散电阻层，其中，第一扩散层具有第二导电型，并且被彼此并行地连接至半导体器件的输入/输出端；第二扩散层与多个第一扩散层交替地设置，并且被连接至电源或地；扩散电阻层具有第二导电型，并且位于与多个第二扩散层中的任何一个邻近；该扩散电阻层被连接至半导体器件的输入/输出端，同时与第一扩散层并行地设置，并且连接内部电路和半导体器件的输入/输出端。
半导体器件

[发明专利]形成半导体器件的方法-CN200810161947.5无效
发明人： 永井隆行 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2005-09-28 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及形成半导体器件的方法。本发明提供一种能够通过自对准工艺得到具有大约5至10V快速返回耐压的器件的半导体装置。该半导体装置包括以预定间隔靠近主栅极布置的两个或更多个辅栅极，以及从所述源/漏层端部到靠近主栅极端部连续布置的低浓度层，低浓度层具有与源/漏层相同的电位型，并且具有比源/漏层的杂质浓度低的杂质浓度。
形成半导体器件方法

[发明专利]用于半导体器件的静电放电保护方法及器件-CN200710109033.X有效
发明人： 永井隆行 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2007-06-12 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：根据本发明的实施例，一种静电击穿保护方法保护半导体器件不受到第一引脚与第二引脚之间施加的浪涌电流的损害，该半导体器件包括：二极管，用于施加从第一引脚到第二引脚的正向偏置电流；以及双极晶体管，用于在导通状态下施加从第二引脚到第一引脚方向的电流，在第一引脚与第二引脚之间的电位差达到击穿该二极管的电平之前获得该双极晶体管的集电极引脚与发射极引脚之间的流通性。
用于半导体器件静电放电保护方法器件

[发明专利]静电放电保护器件-CN200710109034.4无效
发明人： 永井隆行 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2007-06-12 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：根据本发明的实施例，涉及一种包括第一电源端子、第二电源端子以及输入/输出端子的用于半导体器件的静电放电保护电路，包括：使浪涌电流从输入/输出端子流到第二电源端子的闸流管；以及双极性晶体管，其使浪涌电流从第一电源端子流到输入/输出端子。
静电放电保护器件

[发明专利]电阻器元件及其制造方法-CN200610162545.8无效
发明人： 永井隆行 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2006-11-27 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种电阻器元件及其制造方法。制造本发明的电阻元件的方法包括：(A)在基板(10)上形成其顶层是多晶硅层(30，32)的多晶硅结构(50)；(B)在多晶硅层(30，32)上形成金属层(70)；(C)在金属层(70)上形成上阻挡层(42)；和(D)在工艺(C)之后，通过多晶硅层(30，32)和金属层(70)之间的反应，从而形成其表面(S80)被上阻挡层(42)覆盖的硅化物层(80)。根据本发明，能抑制半导体器件的电阻器元件的变化。
电阻器元件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN200510113350.X无效
发明人： 永井隆行 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2005-09-28 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种能够通过自对准工艺得到具有大约5至10V快速返回耐压的器件的半导体装置。该半导体装置包括以预定间隔靠近主栅极布置的两个或更多个辅栅极，以及从所述源/漏层端部到靠近主栅极端部连续布置的低浓度层，低浓度层具有与源/漏层相同的电位型，并且具有比源/漏层的杂质浓度低的杂质浓度。
半导体器件

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