“有机介电”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2263265个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种有机薄膜晶体管及其制备方法-CN201910069990.7在审
发明人：冯林润;刘哲;凯伦·帕拉巴·拉杰夫;西蒙·多米尼克·奥吉尔 -专利权人：纽多维有限公司
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：一种有机薄膜晶体管及其制备方法。该制备方法包括在基底上通过图案化形成背栅；在基底和背栅上形成有机背栅介电层；在有机背栅介电层上通过图案化形成源电极和漏电极；在有机背栅介电层、源电极和漏电极上形成有机半导体沟道层；在有机半导体沟道层上形成有机顶栅介电层；在有机顶栅介电层上通过图案化形成顶栅；利用顶栅充当硬质掩模，蚀刻有机半导体沟道层和有机顶栅介电层。该有机薄膜晶体管由上述方法制备得到。该方法省略了图案化介电层的工序，节省了光罩数量，节约了成本，简化了工艺。
一种有机薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]电容器-CN201910332704.1有效
发明人：卢俊安;姜颖容;蔡苑铃 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明公开一种电容器，其包含：一第一电极层及一第二电极层；以及一第一介电层及一第二介电层，设置于该第一电极层及该第二电极层之间。该第一介电层包含一第一介电粉体及一第一有机树脂，而该第二介电层由一第二介电粉体及一第二有机树脂所组成。其中，该第一介电粉体与该第一有机树脂的重量比值大于该第二介电粉体与该第二有机树脂的重量比值。
电容器

[发明专利]一种基于氟化电介质的双介电层有机场效应晶体管的制备方法-CN202310261183.1在审
发明人：徐勇;戴晓菡;窦存花;严宇;陈子龙;孙华斌;于志浩;朱力;吴洁;杨光安 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10K10/46 文献下载
摘要：本发明属于电子材料及器件技术领域，涉及一种基于氟化电介质的双介电层有机场效应晶体管的制备方法，晶体管包括：衬底、源漏电极、有机半导体层、介电层和栅极，介电层包括下方与有机半导体层接触的无氟聚合物介电层和位于其上的氟化聚合物介电层；首先以蒸镀的方式在衬底上方蒸镀形成源漏电极，继而通过旋涂的方式在其上方形成有机半导体层和介电层，然后通过蒸镀的方式在介电层上方形成栅极；本发明在无氟聚合物介电层上再旋涂一层氟化聚合物介电层，可以将有机场效应晶体管从双极性电荷传输调节为单极性电荷传输，揭示了用于未来有机电子的电介质的新功能，适宜发展相关的互补对称CMOS电路及应用。
一种基于氟化电介质双介电层有机场效应晶体管制备方法

[发明专利]一种含双层介电层的有机薄膜晶体管及其制备方法-CN201810166052.4在审
发明人：孟鸿;魏潇赟;李爱源;曹菊鹏;朱淼 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种含双层介电层的有机薄膜晶体管及其制备方法，其中，有机薄膜晶体管从下至上依次包括：栅极衬底、第一介电层、第二介电层、有机半导体层和电极；所述第一介电层的材料为无机介电材料或者介电常数大于5的聚合物材料；所述第二介电层的材料为含氟聚酰亚胺；所述有机半导体层和所述第二介电层均与所述电极搭接。本发明利用上层含氟聚酰亚胺的疏水性来降低电荷被陷阱俘获的概率，同时利用含氟聚酰亚胺较匹配的热膨胀系数以及良好的延展性来提升晶体管的热稳定性；而下层介电层则用于降低器件暗电流，抑制阈值电压的正向漂移。本发明通过设计双层介电层，改善了有机薄膜晶体管的热稳定性和电稳定性。
介电层有机薄膜晶体管含氟聚酰亚胺双层介电层有机半导体层热稳定性电极制备无机介电材料延展性漂移聚合物材料热膨胀系数电稳定性降低器件介电常数阈值电压电荷暗电流疏水性栅极衬晶体管俘获搭接正向下层匹配上层陷阱概率

[发明专利]多孔性绝缘材料及其制备方法-CN99807063.7无效
发明人： P·A·科尔 -专利权人：佐治亚技术研究公司
申请日： 1999-06-04 - 公布日： 2001-07-18 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成多孔性绝缘组合物的方法,包括步骤(A)提供至少一种包括至少一种有机牺牲材料和至少一种介电材料的有机牺牲材料/介电材料组合物;和(B)将至少一种有机牺牲材料/介电材料组合物中的至少一种有机牺牲材料移出,以使至少一种介电材料内产生微孔。还公开一种用于制造多孔性绝缘体的组合物,包括至少一种热活性的成孔有机牺牲材料和至少一种介电材料。或者,制造多孔性绝缘体所用的组合物包括至少一种成孔有机牺牲材料和至少一种介电材料,其中至少一种成孔材料是降冰片烯型聚合物。
多孔绝缘材料及其制备方法

[发明专利]自生长疏水性纳米分子有机防扩散膜及其制备方法-CN02144045.X无效
发明人：胡荣治 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-09-27 - 公布日： 2003-08-06 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：公开一种在介电材料上的疏水性纳米有机分子防扩散膜及其制备方法。本发明提供了在等离子体干蚀刻或化学机械抛光之后在介电材料上制备疏水性纳米有机分子防扩散膜的方法。该疏水性纳米有机分子防扩散膜可以自动起疏水性有机屏障膜的作用，防止介电材料的吸湿，其厚度在纳米级。而且，所述疏水性纳米有机分子防扩散膜可以成功阻止Cu原子扩散到介电材料中。因此，通过本发明的纳米分子有机防扩散膜能有效解决介电材料的吸湿问题以及Cu原子扩散。
生长疏水纳米分子有机扩散及其制备方法

[发明专利]介电材料、有机晶体管及其制备方法-CN202111072887.1有效
发明人：孙佳;刘婉蓉;阳军亮 -专利权人：中南大学
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种介电材料、有机晶体管及其制备方法；介电材料由以下制备方法制成：以金属单质或金属混合物作为靶材，采用磁控溅射工艺对所述靶材进行处理，并在处理过程中通入反应气体和溅射气体，处理设定时间后即得到所述介电材料；有机晶体管包括自下至上依次设置的基底、介电层、有机半导体层和电极，其中介电层的材料为上述方法制得的介电材料。本发明大大简化了高K介电材料的制备工艺流程、降低了生产要求和成本，有利于高绝缘性能介电材料的产业化生产，制得的介电材料具有良好的绝缘性能，采用本发明制备的介电材料生产的有机晶体管工作电压仅3V，电流开关比可达到
材料有机晶体管及其制备方法

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN202210088498.6在审
发明人：锺进龙;杨士亿;李明翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：方法包括提供基板，介电层位于基板上，且两个金属结构位于介电层上。形成有机阻挡层于介电层之上与金属结构的下侧部分之间。有机阻挡层覆盖金属结构的下侧部分的侧壁表面，而不覆盖金属结构的上侧部分的侧壁表面。沉积介电阻障层于金属结构的上表面以及上侧部分的侧壁表面上，其中介电阻障层不覆盖有机阻挡层的上表面的至少一部分；形成金属间介电层，其横向地位于金属结构之间与有机阻挡层之上；以及移除有机阻挡层以留下气隙位于介电层之上、位于介电阻障层与金属间介电层之下、以及横向地位于金属结构的下侧部分之间。
半导体结构制造方法

[发明专利]电容基板结构-CN200910165150.7有效
发明人：刘淑芬;陈孟晖;陈碧义;陈云田 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2009-07-23 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： H01G4/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电容基板结构，可有效改善超高介电有机/无机混成基板材料高漏电流与低绝缘电阻的问题。本发明夹设于两导体层之间的绝缘层为多层介电层结构，其中至少一个介电层为高介电层，其包括高介电陶瓷粉体和导电粉体均匀分散于有机树脂中的混合物。其余介电层为一般的有机树脂，且可进一步含有高介电陶瓷粉体。
电容板结

[发明专利]有机无机混合型晶体管-CN201410235775.7在审
发明人：徐振航;吴幸怡;叶佳俊;辛哲宏 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机无机混合型晶体管，包含可挠性基板、栅极、有机栅极介电层、氧化物半导体层、第一保护层、源极及漏极。栅极配置在可挠性基板上。有机栅极介电层覆盖栅极以及可挠性基板的一部分。氧化物半导体层配置在有机栅极介电层上方。第一保护层夹置在氧化物半导体层与有机栅极介电层之间，且接触氧化物半导体层及有机栅极介电层。源极及漏极分别连接氧化物半导体层的不同两侧。
有机无机混合晶体管

[发明专利]显示装置-CN201711236397.4有效
发明人：尹净基;林宫恩 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：各种实施方式提供了一种具有触摸传感器的轻薄型有机发光显示装置。具有触摸传感器的有机发光显示装置包括触摸感测线和触摸驱动线，这些触摸感测线和触摸驱动线设置在封装堆叠上以彼此交叠。触摸感测线与触摸驱动线在有机触摸介电膜与无机触摸介电膜设置在其间的位置处彼此交叠，从而防止有机触摸介电膜退化时产生斑点并且防止对有机触摸介电膜的损害。
显示装置

[发明专利]线路结构-CN201810985899.5有效
发明人：洪裕杰;林冠峄;卢俊宇;叶佳俊 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种线路结构，包括可挠基板、无机阻障层、第一导线、第二导线、第三导线、第四导线、有机介电层、第一导电通孔、以及第二导电通孔。无机阻障层设置于可挠基板之上。有机介电层设置于第一导线和第二导线之上。第三导线设置于有机介电层中。第四导线设置于有机介电层之上。第一导电通孔设置于有机介电层中，并接触第一导线和第三导线。第二导电通孔设置于有机介电层中，并接触第二导线和第四导线。在此公开的线路结构中的导线不存在容易断裂的问题。
线路结构

[发明专利]衬底上形成介电膜的方法-CN00804615.8无效
发明人： N·P·哈克;S·莱菲尔茨;M·D·斯勒索;L·K·菲格 -专利权人：联合讯号公司
申请日： 2000-01-07 - 公布日： 2004-09-08 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：在衬底上用组合物形成介电膜的方法，所述组合物中含有机氢化硅氧烷树脂。该有机氢化硅氧烷树脂有笼形构象。介电膜形成方法包括使溶剂和有机氢化硅氧烷树脂形成溶液，将溶液分布在衬底上，烘烤衬底除去溶剂，并使之固化形成介电膜。本发明的介电膜的介电常数为约3.0或其下。
衬底形成介电膜方法

[发明专利]低压有机薄膜晶体管及其制备方法-CN200710090894.8无效
发明人：宋政根;金强大;柳基成;许泳宪;李明源;梁在宇 -专利权人：梁在宇
申请日： 2007-04-11 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种可在低压下工作的有机薄膜晶体管(OTFT)。该有机薄膜晶体管具有超薄金属氧化物栅介电层，或具有由金属氧化物层和有机介电层形成的双重栅介电层。有机半导体层沉积在栅介电层上，并且源/漏电极形成在有机半导体层之上。如果采用双重栅介电层，为了实现底部接触结构，源/漏电极可沉积在有机半导体层之下。
低压有机薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]有机薄膜晶体管及其制造方法-CN200510127715.4有效
发明人：冉晓雯;颜国锡;柯杰斌;吴泉毅 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2005-12-02 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：一种有机薄膜晶体管，其包括基板、栅极、栅介电层、源极、漏极以及有机半导体层。栅极设置于基板上，而栅极具有一个顶面与两个侧壁。栅介电层全面且连续地覆盖基板与栅极的顶面与侧壁。源极设置于栅极顶面的栅介电层上且漏极设置于栅极旁的栅介电层上，或源极设置于栅极旁的栅介电层上且漏极设置于栅极顶面的栅介电层上。有机半导体层全面且连续地覆盖源极与漏极，其中位于侧壁上的有机半导体层是作为通道而电连接源极与漏极。此有机薄膜晶体管的结构可有效地提高元件操作特性与驱动能力。
有机薄膜晶体管及其制造方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条