“吴泉毅”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果14个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]太阳能板的固定结构-CN201020262088.1无效
发明人：林冠男;吕芳毅;王逢伟;林祈廷;吴泉毅 -专利权人：绿能科技股份有限公司
申请日： 2010-07-13 - 公布日： 2011-03-09 - 主分类号： F24J2/46 文献下载
摘要：本实用新型为一种太阳能板的固定结构，包括有二固定梁、四个第一耦合件、二支撑梁、及四个第二耦合件。其中，二固定梁平行固设于一太阳能板的背面，且每一固定梁上组设二个第一耦合件。而二支撑梁平行固设于一屋顶，且每一支撑梁上组设有二个第二耦合件。其中，第一耦合件是耦合固定于第二耦合件。因此，本实用新型由第一耦合件耦合固定于第二耦合件，适用于薄边框、或无边框的太阳能板，并且安装便利、省时省力，又成本低廉。
太阳能固定结构

[发明专利]彩色滤光基板的制造方法-CN200710122778.X有效
发明人：陈锦隆;吴泉毅 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2007-07-09 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明一种彩色滤光基板的制造方法，其步骤包括：提供一基板，该基板上包含一遮光层、一滤光层及一透明电极层；涂布一第一光阻层于该基板上；以及图案化该第一光阻层，以同时形成多数个间隔物与一隔离层。通过此方法，位于彩色滤光基板周缘的电极端子可被隔离层保护而避免被残留的洗剂腐蚀。并且，由于间隔物与隔离层可同时制作，因此，不需要增加额外的材料或方法。
彩色滤光制造方法

[发明专利]薄膜晶体管-CN200710089749.8有效
发明人：赖钦诠;吴泉毅;蔡依芸 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2007-03-23 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管，其包括一基板、一栅极、一栅绝缘层、一半导体层、一欧姆接触层以及一源极与一漏极。其中，栅极配置于基板上，而栅绝缘层配置于基板上，并覆盖栅极。半导体层配置于栅绝缘层上，且位于栅极上方。半导体层包括一未掺杂非晶硅层与一第一未掺杂微晶硅层，其中第一未掺杂微晶硅层则配置于未掺杂非晶硅层上。另外，欧姆接触层配置于部分半导体层上，而源极与漏极则配置于欧姆接触层上。因此，本发明的薄膜晶体管具有较佳的品质控制及电性特性。
薄膜晶体管

[发明专利]彩色滤光基板及其制造方法-CN200810081566.6有效
发明人： 吴泉毅;官永佳 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2004-12-01 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明公开一种彩色滤光基板，包括基板、黑矩阵与多个色块。其中黑矩阵设置于基板上，且黑矩阵于基板上定义出多个亚像素区(sub－pixelregion)。此外，这些色块分别设置于这些亚像素区内，其中这些色块内混有第一磁性粒子。本发明还提出这种彩色滤光基板的制造方法。
彩色滤光及其制造方法

[发明专利]图案化制程及应用此制程的有机薄膜晶体管的制作方法-CN200610083901.7有效
发明人：颜国锡;周政伟;冉晓雯;吴泉毅 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2006-06-06 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：一种图案化制程，其包括下列步骤。首先，提供一基板。接着，形成一图案化自组织分子材料层于基板上。继之，形成一有机材料层于基板上，且有机材料层覆盖图案化自组织分子材料层。之后，移除部分有机材料层，其中与图案化自组织分子材料层接触的有机材料层会存留，而形成一图案化有机材料层。由使用图案化自组织分子材料层，能增进有机材料层的接面特性，并提高图案化有机材料层的图案精度。本发明另提出一种使用上述图案化制程的有机薄膜晶体管的制作方法。
图案化制程应用有机薄膜晶体管制作方法

[发明专利]玻璃基板表面金属层结构及其制作方法-CN200610084629.4有效
发明人：赖钦诠;邱羡坤;吴泉毅 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2006-05-19 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明为一种玻璃基板表面金属层结构及其制作方法，用于薄膜晶体管液晶显示器中。随着薄膜晶体管液晶显示器的尺寸及分辨率提高，铝制成的薄膜晶体管栅极无法克服电性延迟所导致的讯号失真，本发明将薄膜晶体管液晶显示器的玻璃基板表面处理为氮化硅表层后，镀上具低阻抗特性的铜、银、铜合金或银合金，再利用半导体制成直接形成薄膜晶体管，本发明为薄膜晶体管液晶显示器的一项重要技术。
玻璃表面金属结构及其制作方法

[发明专利]有机半导体元件的接面结构及有机晶体管及其制造方法-CN200610103553.5无效
发明人：陈方中;庄乔舜;陈东贤;龚立仁;林永升;吴泉毅 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2006-07-21 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：一种有机半导体元件的接面结构，此接面结构是在有机半导体层与导电层之间设置一个修饰层，此修饰层的材质是无机物或有机络合物，用以降低有机半导体元件的接面电阻。此外，本发明披露一种有机薄膜晶体管及其制造方法，此有机薄膜晶体管包括栅极、介电层、有机半导体层以及源极/漏极。有机半导体层与源极/漏极之间形成修饰层，用以降低有机薄膜晶体管的接面电阻，此修饰层的材质包含无机物或有机络合物。此修饰层可应用于各种几何结构形态及不同材料所构成的有机薄膜晶体管。
有机半导体元件结构有机晶体管及其制造方法

[发明专利]喷墨工艺-CN200510131455.8无效
发明人： 吴泉毅;林宜平 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2005-12-14 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：一种喷墨工艺。首先提供一基板，然后进行一喷墨步骤，以喷涂一浆料至该基板表面。接着原位(in－situ)进行一局部加热步骤，以直接对刚喷涂至该基板表面的该浆料进行加热，进而控制该浆料的形状与位置。
喷墨工艺

[发明专利]有机薄膜晶体管及其制造方法-CN200510127715.4有效
发明人：冉晓雯;颜国锡;柯杰斌;吴泉毅 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2005-12-02 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：一种有机薄膜晶体管，其包括基板、栅极、栅介电层、源极、漏极以及有机半导体层。栅极设置于基板上，而栅极具有一个顶面与两个侧壁。栅介电层全面且连续地覆盖基板与栅极的顶面与侧壁。源极设置于栅极顶面的栅介电层上且漏极设置于栅极旁的栅介电层上，或源极设置于栅极旁的栅介电层上且漏极设置于栅极顶面的栅介电层上。有机半导体层全面且连续地覆盖源极与漏极，其中位于侧壁上的有机半导体层是作为通道而电连接源极与漏极。此有机薄膜晶体管的结构可有效地提高元件操作特性与驱动能力。
有机薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管的制作方法-CN200510117461.8有效
发明人： 吴泉毅;官永佳;吕佳谦;赖钦诠 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2005-10-31 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管的制作方法，其包括下列步骤。首先，在基板上形成栅极。接着，在基板上形成栅绝缘层以覆盖栅极。再来，在栅绝缘层上与栅极上方形成图案化半导体层。然后，依序在图案化半导体层上形成第一导电层与第二导电层。接着，图案化第二导电层，同时使栅极上方两侧的第二导电层具有倾斜截面(taper profile)，并暴露出第一导电层。继之，进行第一等离子处理工艺，使第二导电层的表面与倾斜截面处形成第一保护层。之后，移除未被第一保护层以及第二导电层覆盖的第一导电层，以形成源极/漏极。本发明可制作尺寸精细的源极/漏极，并可避免第二导电层的金属离子扩散至图案化半导体层而影响元件的电性。
薄膜晶体管制作方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN200510088797.6无效
发明人： 吴泉毅;赖钦诠;官永佳;戴伟仁 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2005-08-02 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，其包括基板、栅极、第一介电层、通道层、源极/漏极与第二介电层。栅极设置于基板上，而第一介电层覆盖住栅极与基板。通道层至少设置于栅极上方的第一介电层上。源极/漏极设置于通道层上，而源极/漏极包括第一阻挡层、导体层与第二阻挡层。第一阻挡层设置于导体层与通道层之间，且第一阻挡层与第二阻挡层包覆导体层。第二介电层覆盖住源极/漏极。基于上述，本发明的薄膜晶体管具有较为稳定的电性质量。此外，本发明亦披露一种薄膜晶体管的制造方法。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]蚀刻设备与蚀刻工艺-CN200510079393.0有效
发明人：戴伟仁;吴泉毅;曾美贵;徐名潭 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2005-07-04 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提出一种蚀刻设备，适于对铜或银进行蚀刻，其包括过氧化氢槽、氢氧化铵槽、水槽、蚀刻槽、配管系统以及温控装置。配管系统将过氧化氢槽、氢氧化铵槽、水槽连通于蚀刻槽。温控装置设置于过氧化氢槽、氢氧化铵槽以及蚀刻槽的周围，使其温度维持在室温以下且摄氏12度以上。本发明能够避免配管系统内部发生气栓现象，并且可以降低过氧化氢与氢氧化铵的挥发速率，使蚀刻液对铜或银薄层的蚀刻速率维持稳定。
蚀刻设备工艺

[发明专利]形成图案化材料层的方法-CN200510070780.8无效
发明人： 吴泉毅;陈锦隆;官永佳 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2005-05-19 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种形成图案化材料层的方法，其至少包括下列步骤。在基板上形成材料层，然后在材料层上形成图案化正性光刻胶层。以图案化正性光刻胶层为掩膜蚀刻材料层。对于图案化正性光刻胶层进行曝光工艺。然后，进行显影工艺，以移除图案化正性光刻胶层。基于上述，本发明具有较低的成本。
形成图案材料方法

[发明专利]喷墨装置、彩色滤光基板及其制造方法-CN200410096443.1有效
发明人： 吴泉毅;官永佳 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2004-12-01 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： B41J2/01 文献下载
摘要：一种喷墨装置，包括储墨槽、喷墨头与第一磁场施加装置。其中，储墨槽适于储存墨水，且墨水混有磁性粒子。此外，喷墨头与储墨槽连接，且喷墨头具有喷嘴与致动器，其中致动器驱使墨水自喷嘴喷出。另外，第一磁场施加装置设置于喷墨头之喷嘴周围，以使喷嘴所喷出之墨水集中喷出，因此，此喷墨装置具有较佳的喷墨精确度。再者，本发明还公开一种彩色滤光基板及其制造方法。
喷墨装置彩色滤光及其制造方法

1
共 14 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top