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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]顶部发光有机电致发光显示器-CN200710079603.5有效
发明人：张世昌;曾章和;王士宾 -专利权人：统宝光电股份有限公司
申请日： 2007-02-26 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种顶部发光有机电致发光显示器，包括：基板，包含显示区；导电层，位于该基板之上，且与该基板电连接；反射层，位于该基板的该显示区上；介电层，位于该导电层、该反射层与该基板之上，其中该介电层具有接触窗露出该导电层；透明电极层，位于该介电层之上，且沿该接触窗与该导电层电连接；以及有机电致发光层，位于该透明电极层之上，并对应至该显示区。
顶部发光有机电致发光显示器

[发明专利]有机硅介微孔超低介电薄膜及其制备方法-CN201810989493.4有效
发明人：倪伶俐;刘永涛;谢涛;徐敏华;程至天;蔡鹏;高晓燕;冯良东;张世忠 -专利权人：淮阴工学院
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： C08L83/08 文献下载
摘要：本发明涉及化工领域，公开了一种有机硅介微孔超低介电薄膜及其制备方法，该薄膜中POSS类有机硅烷前躯体的结构式如下：有机硅微孔超低介电薄膜及其制备方法

[发明专利]一种超高增益有机薄膜晶体管及其制备方法-CN202011397209.8在审
发明人：王欣然;罗中中;施毅 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开一种超高增益有机薄膜晶体管及其制备方法。该有机薄膜晶体管包括衬底、介电层、半导体沟道层和源/漏电极，其中介电层为铁电性氧化物薄膜，半导体沟道层为有机分子薄膜。其制备方法包括如下步骤：在衬底表面生长铁电性氧化物薄膜作为介电层；在介电层表面生长有机分子薄膜作为半导体沟道层；制备源/漏电极。本发明采用铁电性氧化物作为介电层，其引入的负电容效应在有机薄膜晶体管中打破了玻尔兹曼极限，获得了室温下小于60mV/dec的亚阈值摆幅和大于38.7S/A的跨导效率，本征增益达到4.7×10有机薄膜晶体管还可制备在柔性衬底上，在柔性低功耗电路、皮肤电子、射频标签、显示驱动等领域具有广泛的潜在应用。
一种超高增益有机薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种高介电常数的复合材料及其应用-CN201710451317.0有效
发明人：孟鸿;曹菊鹏;闫丽佳;贺玉;魏潇赟;朱亚楠;李婷 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2017-06-15 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种高介电常数的复合材料以及以该材料为介电层的有机薄膜晶体管的制备方法。通过溶胶‑凝胶法，让含端基的硅烷偶联剂在催化剂作用下水解形成含功能端基的硅溶胶，再与有机聚合物交联形成复合溶胶，作为有机薄膜晶体管介电层的材料。再用旋涂、浸涂、喷墨打印、3D打印等溶液法形成薄膜，经固化后形成介电层；然后再分别制备半导体层、电极层，制得有机薄膜晶体管器件。本发明中基于复合介电材料的有机薄膜晶体管其迁移率达5cm2/V·s，远超以SiO2为介电层的迁移率，并具有低阈值电压，
一种介电常数复合材料及其应用

[发明专利]利用极性弹性体的用于晶体管开关速度改进之结构-CN201780008771.7在审
发明人：达尔文·吉恩·伊尼克;明倩·何;罗伯特·乔治·曼利 -专利权人：康宁公司
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：一种有机薄膜晶体管，其包含第一闸极、第二闸极、位于该第一闸极与该第二闸极之间且设置成通道的半导体层以及与该半导体层的相对侧连接的源极及汲极。该有机薄膜晶体管亦包含在电流流过该半导体层的方向上位于该第一闸极与该半导体层之间的第一介电层，该第一介电层包含极性弹性介电材料及位于该第二闸极与该半导体层之间的第二介电层，当给该第一闸极施用设定电压时，该极性弹性介电材料将展现出电双层充电效应。
闸极半导体层介电层有机薄膜晶体管弹性介电极性弹性体晶体管开关充电效应侧连接电双层汲极源极施用改进

[发明专利]显示装置-CN202110569121.8在审
发明人：宋昌泳;金钟佑;朱容赞;河载兴;金元钟;朴喜连;杨慧仁;郑雨锡 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：公开的显示装置包括：发光元件；封装层，覆盖所述发光元件且至少包括有机薄膜；低介电层，配置于所述封装层之上且包含有机物质，并且具有比所述封装层小的厚度；以及输入感测部，配置于所述低介电层之上。
显示装置

[发明专利]混合的杂混接合结构及形成混合的杂混接合结构的方法-CN202010587592.7在审
发明人： S.利夫;A.埃尔舍比尼;J.斯万;N.楚诺达;姚计敏 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：实施例包括混合的杂混接合结构，所述混合的杂混接合结构包括复合介电层，其中复合介电层包括具有多个无机填充材料的有机介电材料。一个或多个导电衬底互连结构在复合介电层内。管芯在复合介电层上，所述管芯在管芯介电材料内具有一个或多个导电管芯互连结构。一个或多个导电管芯互连结构直接接合到一个或多个导电衬底互连结构，并且复合介电层的无机填充材料接合到管芯介电材料。
混合接合结构形成方法

[发明专利]纳米多孔材料及其制备方法-CN02829449.1无效
发明人： N·哈克;S·莱弗特;L·菲格;R·斯皮尔;W·贝德韦尔;T·拉莫斯 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2002-08-15 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01B3/02 文献下载
摘要：本发明描述了低介电材料，该材料除了包含超纳米孔外，还包含许多孔或纳米孔。还预期的是，本发明所述的低介电材料具有小于约3的介电常数。所述的介电材料由聚合物组合物制成，其中所述的聚合物组合物包含许多单体并且其中至少一种单体包含与结构前体化学键合的自由基前体。另外，还提供了由聚合物组合物制备低介电材料的方法。下图显示了甲基/叔丁基低有机含量/低有机硅氧烷聚合物的化学结构。
纳米多孔材料及其制备方法

[发明专利]一种纳米复合介电薄膜的制备方法-CN201210112271.7有效
发明人：杨亚杰;蒋亚东;徐建华;杨文耀 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-04-17 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： B32B37/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米复合介电薄膜的制备方法，首先通过Langmuir-Blodgett(LB)膜法获得聚合物介电薄膜，然后采用LB膜法在聚合物介电薄膜上制备高介电无机/有机复合纳米粒子薄膜，最后在复合纳米粒子薄膜上通过LB膜方法制备聚合物介电薄膜，从而形成一种纳米粒子分散于聚合物的高介电复合薄膜材料。该方法所制备的聚合物-纳米粒子复合介电薄膜材料克服了现有技术中所存在的缺陷，并且制备方法合理简单，易于操作。
一种纳米复合薄膜制备方法

[发明专利]有机发光显示面板及其制作方法、有机发光显示装置-CN201811605420.7有效
发明人：胡小强 -专利权人：云谷（固安）科技有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机发光显示面板及其制作方法、有机发光显示装置，有机发光显示面板包括层叠设置的阴极、第一介质层、第二介质层、发光功能层、第三介质层、阳极以及位于第一介质层和第二介质层之间的至少一个辅助阴极阳极与第一电源信号线电连接，阴极以及辅助阴极均与第二电源信号线电连接，第一电源信号线上电源信号的电平值大于第二电源信号线上电源信号的电平值。通过本发明的技术方案，增加了有机发光结构中产生的电子的数量，进而增加了到达发光功能层的电子的数量，使得发光功能层产生的光子数量增加，有利于提高有机发光结构的发光效率以及有机发光显示面板的寿命。
有机发光显示面板及其制作方法显示装置

[发明专利]一种低介电和低介损的覆铜板及其制备方法和覆铜板用半固化片-CN202011280283.1在审
发明人：罗肖宁;杨浩;常稳;张祖琼 -专利权人：河南爱彼爱和新材料有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： B32B15/20 文献下载
摘要：本发明属于覆铜板的制备领域，具体涉及一种低介电和低介损的覆铜板及其制备方法和覆铜板用半固化片。该覆铜板包括金属箔和与金属箔复合的介质层，所述介质层含有树脂粘合剂层和一层或两层以上的有机气凝胶薄膜，所述有机气凝胶薄膜沿介质层的长度方向延伸。本发明的覆铜板主要使用有机气凝胶薄膜复合树脂作为介质材料，替换传统的玻璃纤维布复合树脂的结构。以PI气凝胶薄膜为例，其介电常数低至1.14～1.96(10GHz，SPDR)，介电损耗低至0.0002～0.0095(10GHz，SPDR)，以气凝胶薄膜为基体复合树脂可方便得到具有低介电、低介损性能的覆铜板
一种低介电低介损铜板及其制备方法固化

[发明专利]在有机电子应用中作为电介质的可溶性含环酰亚胺聚合物-CN201480025450.4有效
发明人： H·J·吉尔尼尔;E·马丁;P·比雅尔;J-C·弗洛里斯;J·T·库平 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2014-04-29 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及包含介电材料的电子装置，其中所述介电材料包含含有苯乙烯和马来酸和其衍生物作为结构单元的共聚物，一种制备所述电子装置的方法和所述共聚物作为介电材料、尤其是作为在印刷电子装置(例如电容器和有机场效晶体管)中的介电层的用途。
有机电子应用作为电介质可溶性含环酰亚胺聚合物

[发明专利]光学功能薄膜及其制备方法及柔性光电子器件-CN202010005513.7在审
发明人：程旭东 -专利权人：杭州柔谷科技有限公司
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：具体的，本发明公开了一种光学功能薄膜，包括：复合衬底，复合衬底包括：衬底；金属薄膜层，金属薄膜层设置在衬底的一侧；有机介电层，有机介电层设置在金属薄膜层远离衬底的一侧；以及金属纳米颗粒层，金属纳米颗粒层设置在复合衬底的有机介电层远离金属薄膜层的一侧，其中，金属薄膜层和有机介电层的界面处可激发表面等离极化激元，金属纳米颗粒层是由具有局域表面等离子体共振效应的金属纳米颗粒形成的。
光学功能薄膜及其制备方法柔性光电子器件

[发明专利]一种基于有机场效应晶体管结构的光放大器件的制备方法-CN202210437324.6在审
发明人：刘城芳;谢辉;赖文勇 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公开一种基于有机场效应晶体管结构的光放大器件的制备方法，属于有机光电技术领域。（1）在干净的衬底栅极上制备具有DFB光栅结构的聚合物栅介电层；（2）在DFB介电层上制备有源层；（3）在有源层上制备源极和漏极，所得器件包括栅极、聚合物栅介电层、有源层、源极和漏极；该聚合物栅介电层的表面具有分布式反馈（DFB）光栅结构，制备成有机场效应晶体管（OFET）器件后可实现光放大功能。此外通过本方法制备器件的有源层可灵活改变其结构，以获得理想的光电性能，工艺简单，在有机光电领域具有重要应用前景。
一种基于有机场效应晶体管结构放大器件制备方法

[发明专利]有源矩阵有机电致发光显示元件-CN03119484.2无效
发明人：李信宏 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2003-03-12 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： H05B33/14 文献下载
摘要：一种有源矩阵有机电致发光显示元件，其主要结构包括一个基板、一个薄膜晶体管矩阵、一个介电层、一个有机功能层以及一个阴极层。其中，薄膜晶体管矩阵配置于基板上，且薄膜晶体管矩阵是由多个矩阵排列的薄膜晶体管、多个对应于薄膜晶体管配置的阳极、多条用以驱动薄膜晶体管的扫描配线与数据配线所组成；介电层配置于基板上，并覆盖住薄膜晶体管矩阵中各个阳极的边缘；有机功能层配置于薄膜晶体管矩阵与介电层上；而阴极层则配置于有机功能层上。由于介电层覆盖住阳极的边缘，故能够有效避免各阳极边缘与阴极层之间的短路现象。
有源矩阵有机电致发光显示元件

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