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[发明专利]用于倒置型有机发光组件的阴极结构-CN200410084121.5有效
发明人：叶永辉;吴忠帜;陈介伟;林俊良;杨志仁 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2004-10-18 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： H05B33/20 文献下载
摘要：一种用于倒置型有机发光组件的阴极结构，包括一导电电极层、一有机材料层、一介电材料层以及一金属层；其特征在于所述有机材料层位于导电电极层之上，介电材料层位于有机材料层之上，金属层位于介电材料层之上；这种用于倒置型有机发光组件的阴极结构，可避免使用低功函数、高活性的金属，因此有利于有机发光组件和显示器的制作以及环境稳定性。
用于倒置有机发光组件阴极结构

[发明专利]有机薄膜晶体管元件及其制作方法-CN201711160473.8有效
发明人：吴淑芬 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：一种有机薄膜晶体管元件及其制造方法，有机薄膜晶体管元件包括：基材、漏极、源极、阻障层、有机半导体层、栅介电层以与栅极。源极位于基材上，具有第一立壁。有机半导体层，覆盖于源极、漏极和阻障层上。栅介电层位于有机半导体层上。栅极位于栅介电层上，且藉由栅介电层与有机半导体层电性隔离。
有机薄膜晶体管元件及其制作方法

[发明专利]一种基于空气介电层的有机薄膜晶体管二氧化氮传感器及其制备方法-CN201910808714.8在审
发明人：侯思辉;庄昕明;张晓华;高林;于军胜 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于空气介电层的有机薄膜晶体管二氧化氮传感器及其制备方法，所述二氧化氮传感器为顶栅顶接触式结构，包括从下到上依次设置的衬底、有机半导体层、支撑膜和栅电极，所述有机半导体层、支撑膜和栅电极围合形成介电层，所述介电层在支撑膜作用下由外界环境空气形成空气介电层，在所述空气介电层内且在有机半导体层上表面上分别设置有源电极和漏电极。与传统有机薄膜晶体管二氧化氮传感器相比，空气介电层的引入避免了二氧化氮在半导体薄膜中缓慢的扩散过程，使得待测气体直接与半导体层沟道相互作用，从而实现了更快的响应回复速度以及高的探测率。
空气介电层二氧化氮传感器有机半导体层支撑膜有机薄膜晶体管介电层栅电极外界环境空气半导体薄膜接触式结构半导体层待测气体二氧化氮依次设置漏电极上表面探测率源电极衬底顶栅沟道围合制备回复扩散响应引入

[发明专利]树脂介电层及其材料的制备方法、液晶面板及显示器件-CN201110179460.1无效
发明人：郭建;闵泰烨;陈旭;谢振宇;张文余 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2011-06-29 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本发明公开了一种树脂介电层及其材料的制备方法、液晶面板及显示器件，涉及制造技术领域，为提供降低的介电常数而发明。所述树脂介电层材料的制备方法包括：步骤11，合成单体树脂；步骤12，将合成的单体树脂添加到有机溶剂中，搅拌使合成的单体树脂在有机溶剂中溶解，以制得树脂介电层材料。所述树脂介电层的制备方法包括：步骤21，在基板上涂覆如上所述的方法制备的树脂介电层材料，形成树脂介电层薄膜；步骤22，对树脂介电层薄膜进行热固化，形成树脂介电层。
树脂介电层及其材料制备方法液晶面板显示器件

[发明专利]一种柔性介电薄膜及由其制备的有机场效应晶体管-CN201710919389.3有效
发明人：郑庆东;尹志刚;柳子杨 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明提供了一种介电材料和介电薄膜，和由所述介电薄膜构筑的柔性有机场效应晶体管(OFET)及制备方法，及其在电子设备领域的应用。本发明的介电材料和介电薄膜含有聚甲基丙烯酸甲酯和聚丙烯酸，该介电薄膜的厚度为1～2μm。本发明的柔性OFET的制备方法为将介电薄膜加工在覆盖有栅极的基底上，之后溶液旋涂有机半导体层，最后蒸镀源漏电极。本发明的介电薄膜漏电小、介电常数可调、厚度可控、强度/柔性高；介电薄膜及柔性OFET的电学性能好，在低能耗柔性电子器件方面具有良好的应用前景；介电薄膜及柔性OFET的制备方法成本低、工艺简便。
一种柔性薄膜制备有机场效应晶体管

[发明专利]一种多层交联介电层及其制备方法和应用-CN202211107718.1在审
发明人：王海波;胡舒航 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层交联介电层及其制备方法和应用，属于有机光电器件及其柔性光电应用的领域，该多层交联介电层的每一层采用的是旋涂交联聚合物形成的交联介电层。该多层交联介电层在较薄的厚度下具有较高的电容，同时可以减小电极表面粗糙度，减小漏电流，从而制备具有高迁移率低阈值电压的有机场效应晶体管。本发明解决了目前有机场效应晶体管工作电压过高的问题，能够获得高电容、低泄露电流、低粗糙度的介电层，此种方法制备的介电层可以应用于柔性有机场效应晶体管中，进而可以实际应用在逻辑电路中。
一种多层交联介电层及其制备方法应用

[发明专利]一种有机场效应晶体管及其制备方法-CN202010307798.X有效
发明人：孟鸿;施宇豪;王新炜;艾琳 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开一种有机场效应晶体管及其制备方法，其中包括步骤：提供栅极；沉积聚合物材料至所述栅极上，形成介电层；将沉积有介电层的栅极进行超临界流体处理；沉积有机半导体层材料在处理后的介电层上，形成有机半导体层；沉积电极层材料在有机半导体层上，形成电极层。本发明采用超临界流体处理后的介电层的介电性能得到了明显的提升。同时，采用处理过后介电层的OFET器件迟滞效应被基本消除，同时OFET亚阈值斜率也显著降低，且载流子迁移率有效提升。
一种有机场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种石墨烯基介电弹性体复合材料及其制备方法-CN201410314148.2有效
发明人：宁南英;田明;马琴;张立群;刘苏亭 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2014-07-03 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： C08L7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨烯基介电弹性体复合材料及其制备方法，该复合材料包括弹性体基体、氧化石墨烯基介电填料和交联体系，其中氧化石墨烯基介电填料是表层用聚多巴胺有机层包覆的氧化石墨烯，并且该介电填料以纳米水平层状分散在弹性体基体中，形成聚多巴胺有机层包覆的氧化石墨烯片层包裹胶乳粒子的隔离网络结构；该制备方法用多巴胺仿生修饰氧化石墨烯，显著降低了介电损耗，提高电击穿强度，并且聚多巴胺有机层厚度可以通过多巴胺修饰过程的参数调控，进而按需调控复合材料的介电常数、介电损耗和电击穿强度，可以制备出满足生物医疗领域安全性的石墨烯基介电弹性体复合材料。
一种石墨烯基介电弹性体复合材料及其制备方法

[发明专利]三层抗蚀剂有机层蚀刻-CN200710142651.4有效
发明人： S·S·康;S·J·曹;T·蔡;T·韩 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2007-08-20 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：提供一种在多孔低－k介电层中形成双镶嵌特征的方法。在所述多孔低－k介电层中形成通孔。在所述多孔低－k介电层上形成一有机平面化层，其中，所述有机层填充所述通孔。在所述有机平面化层上形成一光致抗蚀剂掩模，在所述有机平面化层中蚀刻出特征，其包括提供含有CO₂的蚀刻气体并将含有CO₂的蚀刻气体形成等离子体，用它来蚀刻所述有机平面化层使用所述有机平面化层作为掩模，在所述多孔低－k介电层中蚀刻出沟槽。剥离所述有机平面化层。
三层抗蚀剂有机蚀刻

[实用新型]高导热有机基板-CN201620301112.5有效
发明人：曾小亮;孙蓉;么依民;许建斌 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2016-04-12 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： B32B15/08 文献下载
摘要：一种高导热有机基板，包括依次层叠的第一铜箔层、高导热介电层和第二铜箔层，所述高导热介电层为双马来酰亚胺‑氰酸酯树脂和导热填料的复合物层，所述高导热介电层的厚度为20μm～80μm。上述高导热有机基板，不仅具有普通有机基板的属性，而且由于采用高导热介电层作为支撑层，具有优异的散热能力，所得产品具有高的导热性能，能够作为电子器件芯片的封装基板使用。
高导热有机基板介电层铜箔层电子器件芯片双马来酰亚胺氰酸酯树脂导热填料导热性能封装基板复合物层散热能力依次层叠支撑层

[发明专利]一种聚甲基丙烯酸正丁酯/聚偏氟乙烯基复合介电薄膜及其制备方法-CN201510365809.9有效
发明人：王芳辉;孔艳;朱红 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2015-06-29 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚甲基丙烯酸正丁酯（PBMA）/聚偏氟乙烯基复合介电薄膜，该膜以含氟聚合物和有机PBMA混合流延成膜。其中复合介电薄膜质量百分比组成为有机PBMA为10%‑30%，含氟聚合物为70%‑90%。这种复合介电薄膜是具有较高的介电常数，较低的介电损耗的新型介电材料。可以通过控制填料添加比例来制备所需介电常数的复合介电薄膜。该复合薄膜制备工艺简单、复合温度低且对环境友好，具有广泛的应用前景。
一种甲基丙烯酸正丁酯聚偏氟乙烯基复合薄膜及其制备方法

[发明专利]半导体结构与其制备方法-CN202110437630.5在审
发明人：施信益 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体结构以及该半导体结构的制备方法，该半导体结构具有一有机介电层，该有机介电层设置在一接合垫下，并经配置以释放应力。该半导体结构具有一基底、一第一介电层、一第二介电层、一导电通孔、一第三介电层以及一接合垫；该基底具有一第一表面以及一第二表面，该第二表面相对该第一表面设置；该第一介电层设置在该基底的该第一表面上；该第二介电层设置在该基底的该第二表面上；该导电通孔延伸经过该基底，并部分经过该第一介电层与该第二介电层；该第三介电层设置在该第二介电层内，并围绕该导电通孔的一部分；该接合垫设置在该第三介电层与该导电通孔上；其中该第三介电层的一介电常数大致不同于该第二介电层的一介电常数
半导体结构与其制备方法

[发明专利]动态随机存取存储器的埋入式字符线及其制作方法-CN201711146632.9有效
发明人：张峰溢;林俊贤;李甫哲 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：该制作动态随机存取存储器的埋入式字符线的方法为，首先形成一凹槽于一基底内，然后形成一有机层于凹槽内，去除部分该有机层，形成一第一栅极介电层于凹槽内以及有机层上，去除有机层，再形成一第二栅极介电层于第一栅极介电层上以及凹槽内之后形成一导电层于第二栅极介电层上并填满凹槽。
动态随机存取存储器埋入字符及其制作方法

[发明专利]蚕丝溶液、使用其制备的有机薄膜晶体管及电容及其制法-CN201010214705.5无效
发明人：黄振昌;王中桦;谢兆莹 -专利权人：国立清华大学
申请日： 2010-06-24 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种蚕丝溶液、使用其制备的有机薄膜晶体管及电容及其制法。其中，有机薄膜晶体管装置包括：一基板；一栅极，配置于基板上；一栅极介电层，配置于基板上且覆盖栅极，其中栅极介电层的材料包含一蚕丝蛋白；一有机半导体层；以及一源极、以及一漏极，其中有机半导体层、源极、以及漏极配置于栅极介电层上方
蚕丝溶液使用制备有机薄膜晶体管电容及其制法

[发明专利]介电性降低剂、包含其的低介电性树脂组合物和降低树脂的介电性的方法-CN202111418992.6在审
发明人：入学武 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C08G77/14 文献下载
摘要：本发明提供介电性降低剂、包含其的低介电性树脂组合物和降低树脂的介电性的方法。介电性降低剂包含具有低相对介电常数和低介电损耗角正切的特定环氧改性有机硅树脂，并且具有小于0.001wt％的离子性物质含量。
介电性降低包含低介电性树脂组合方法