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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]有机薄膜晶体管及其形成方法-CN201010267225.5无效
发明人： 金强大;刘寅奎;具在本;梁容硕;姜承烈 -专利权人：韩国电子通信研究院
申请日： 2010-08-24 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明提供一种有机薄膜晶体管及其形成方法。该方法包括：在衬底上形成栅极电极；在衬底上形成栅极电介质，该栅极电介质覆盖栅极电极并包括在上部的凹陷区域；在凹陷区域中形成源极电极和漏极电极；以及在凹陷区域中的源极电极与漏极电极之间形成有机半导体层。
有机薄膜晶体管及其形成方法

[发明专利]自对准有机薄膜晶体管及其制造方法-CN200880000675.9无效
发明人： 金强大;李泽旻;崔铉喆;金东洙;崔秉五 -专利权人：韩国机械研究院
申请日： 2008-05-30 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种自对准有机薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。根据本发明，栅极电极由在衬底上被构图的第一导电层形成，在衬底上面形成栅极介电层，以覆盖栅极电极，然后在栅极介电层上形成第二导电层。接着，使用栅极电极作为掩模，从衬底的底侧用UV对第二导电层进行照射，而执行紫外光(UV)背后曝光，然后通过使第二导电电极显影，形成与栅极电极自对准的源极/漏极电极，该源极/漏极电极被形成为不与栅极电极交叠。随后，在源极/漏极电极之间和之上形成有机半导体层。在本发明中，可使用卷到卷过程制造有机TFT，因此可简化制造过程。
对准有机薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]低压有机薄膜晶体管及其制备方法-CN200710090894.8无效
发明人：宋政根;金强大;柳基成;许泳宪;李明源;梁在宇 -专利权人：梁在宇
申请日： 2007-04-11 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种可在低压下工作的有机薄膜晶体管(OTFT)。该有机薄膜晶体管具有超薄金属氧化物栅介电层，或具有由金属氧化物层和有机介电层形成的双重栅介电层。通过在O₂等离子体方法中、在低于100℃的温度下直接氧化金属栅电极，从而自生长厚度小于10nm的金属氧化物层。栅电极在塑料或玻璃衬底上沉积形成图案。有机半导体层沉积在栅介电层上，并且源/漏电极形成在有机半导体层之上。如果采用双重栅介电层，为了实现底部接触结构，源/漏电极可沉积在有机半导体层之下。
低压有机薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]使用超薄金属氧化物栅极介电层的有机薄膜晶体管及其制造方法-CN200610066752.3无效
发明人：宋政根;金强大;柳基成;许泳宪;金光贤;李明源 -专利权人：梁在宇
申请日： 2006-04-11 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明提供一种低电压有机薄膜晶体管，以O₂等离子体工艺，将超薄金属氧化物的栅极介电层自我形成于栅电极上。该金属栅电极沉积于塑料或玻璃基板上。使用O₂等离子体工艺氧化该栅电极，使金属氧化物的栅极介电层直接形成于该栅电极上，其厚度仅为数纳米。随后有机半导体层沉积于该栅极介电层上，而源电极/漏电极形成于该有机半导体层上。于形成该有机半导体层之前，可使用分子自我组合技术形成有机单分子层于该栅极介电层上。该栅极介电层可于室温至约100℃温度下形成。
使用超薄金属氧化物栅极介电层有机薄膜晶体管及其制造方法

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共 4 条

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