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[发明专利]一种利用中空介电体降低电场畸变的方法-CN202211647334.9有效
发明人：宋玉哲;韩根亮;张彪;毛国柱 -专利权人：天津大学;甘肃省科学院传感技术研究所
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01G5/013 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用中空介电体降低电场畸变的方法，包括：将传感器上极板和下极板间的实心介电体替换为中空介电体，以降低介电体表面的额外电场梯度和电场畸变。本发明利用中空介电体结构代替实心介电体的方法，来降低介电体表面的额外电场梯度和电场畸变。从而改善介电体的额外电场产生的场致发射、自由电子导致的反应、电荷积累、介电电泳等恶劣结果。最终降低MEMS器件工作状态的漂移和不稳定性，提高器件性能。
一种利用中空介电体降低电场畸变方法

[发明专利]一种可用于巨磁阻传感器退火的方法与结构-CN201910686333.7有效
发明人：宋玉哲;韩根亮;张彪;高晓平 -专利权人：甘肃省科学院传感技术研究所
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种可用于巨磁阻传感器退火的方法与结构，包括在基底上制备了由两层铁磁层和中间隔离层构成的MR结构。MR结构的其中一层铁磁层为被钉扎层，其磁化方向将在后续操作中被固定。在MR结构上沉积一层绝缘层之后，再在其上面沉积一层金属层。将金属层光刻为热电阻。在外磁场下，通过热电阻对MR结构进行退火处理。退火完成后，将绝缘层和热电阻移除。本发明克服了现有方法精度低，效率低的弊端，实现工业批量生产。
一种用于磁阻传感器退火方法结构

[发明专利]一种可视化检测亚硫酸盐的纳米传感纸及其制备方法和应用-CN202310205570.3在审
发明人：左显维;王焱;何永成;何欣;刘一丹;冯治棋;李昕;韩根亮 -专利权人：甘肃省科学院传感技术研究所
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G01N21/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速可视化检测食品添加剂亚硫酸盐的纳米传感纸及其制备方法。该纳米传感纸的制作方法包括以下步骤：配置铁酸钴纳米颗粒(CoFe2O4NPs)的胶体溶液；利用纳米材料喷墨打印技术将CoFe2O4NPs沉积到纸基底表面，用硅烷化试剂固定CoFe2O4NCs即到纳米传感纸。利用纳米传感纸检测食品防腐剂亚硫酸盐的方法包括如下步骤：制作亚硫酸盐的标准比色卡，依据标准比色卡对待测样品中的亚硫酸盐进行检测。本发明提供的纳米传感纸具有制备简单、成本低、响应速度快、灵敏度和选择性高的特点，能可视化检测食品样品中的亚硫酸盐，具有广阔的应用前景。
一种可视化检测亚硫酸盐纳米传感及其制备方法应用

[发明专利]一种FRET免疫探针及其制备方法和应用-CN202211498287.6在审
发明人：刘一丹;左显维;冯治棋;韩根亮;高晓平;宋玉哲;刘斌 -专利权人：甘肃省科学院传感技术研究所
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G01N33/533 文献下载
摘要：本发明公开了一种FRET免疫探针及其制备方法和应用，属于分析检测技术领域，解决如何提高检测灵敏度和选择性的问题。本发明探针由蛋白G包覆的羧基磁珠以及荧光素和淬灭剂标记的抗原‑抗体偶联复合物制备而成。制备方法：用1‑乙基‑(3‑二甲基氨基丙基)碳二亚胺盐酸盐活化羧酸基；并用蛋白G包覆后，加入荧光淬灭剂标记的羊抗人免疫球蛋白G，在室温下孵育反应后磁分离，得到负载荧光淬灭剂标记抗体的纳米磁珠复合物；并与荧光素二乙酸酯标记的人免疫球蛋白G混合，在37℃下进行偶联反应后磁分离，即得。本发明探针在检测人免疫球蛋白G的应用。本发明探针制备方便，不涉及复杂的化学过程，对检测目标物具有高特异性和敏感性。
一种 fret 免疫探针及其制备方法应用

[实用新型]一种晶圆匀胶设备-CN202222785515.X有效
发明人：刘斌;王向谦;徐武德;员朝鑫;谢明玲;李钰瑛;韩根亮 -专利权人：甘肃省科学院传感技术研究所
申请日： 2022-10-22 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆匀胶设备，涉及晶圆加工处理设备技术领域，该晶圆匀胶设备，包括底盘，所述底盘的表面固定连接有支撑杆，所述支撑杆的表面固定连接有胶液罐，所述支撑杆的表面固定连接有与胶液罐相连通的滴胶管，所述底盘的表面转动连接有吸盘，所述底盘的表面上设置有夹持机构，通过夹持机构的设置，使晶圆在放在吸盘上后，能够在吸盘的吸力和晶圆自身的重力下，带动夹块自动对晶圆进行夹持，从而无需工作人员放入晶圆后在进行操作，进而尽量避免了二次操作时，使外界的灰尘等杂质飘落在晶圆的表面，从而降低晶圆匀胶质量的情况，从而提高了晶圆的匀胶效果，保证了晶圆的加工质量。
一种晶圆匀胶设备

[发明专利]由磁化方向不同的巨磁阻结构构建的巨磁阻传感器的退火方法-CN201910686340.7有效
发明人：宋玉哲;韩根亮;张彪;郑礴 -专利权人：甘肃省科学院传感技术研究所
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种由磁化方向不同的巨磁阻结构构建的巨磁阻传感器的退火方法，这种集成式的退火结构能够独立地对GMR结构退火，使温度达到其阻挡温度甚至更高，在外加磁场下，GMR结构中的被钉扎层的磁化方向Mp与外加退火磁场调整到一致并固定下来，从而将该GMR结构中的被钉扎层的磁化方向调整到所希望的方向。在一些例子中，GMR结构根据Mp的相同与否划分为多组，Mp相同的为一组，Mp不同的为不同的组。具有不同磁化方向的GMR结构，能够通过在不同方向的外加退火磁场中对不同分组的GMR结构分别退火来实现。
磁化方向不同磁阻结构构建传感器退火方法

[发明专利]一种红光发射的稀土离子掺杂上转换纳米材料及其制备方法和应用-CN202210247399.8有效
发明人：左显维;韩根亮;康春杨;刘一丹;王焱;何欣;郑礴;宋玉哲;刘东妮 -专利权人：甘肃省科学院传感技术研究所;兰州创力测控技术有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C09K11/85 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料领域，具体涉及一种红光发射的稀土离子掺杂上转换纳米材料，其化学式为NaYF4:Yb3+/Er3+，其中NaYF4为基质材料，Yb3+和Er3+为掺杂的稀土离子。所述上转换纳米材料的微观形貌为立方块，粒径大小在40‑80nm之间，具有立方相结构，同时兼具在水溶液中均匀分散、红光发射强度高的特点，在生物标记、细胞成像以及生物医学检测等方面应用，具有独特的优势，还提供了该上转换纳米材料的制备方法，其可在十几分钟内可控合成红光发射的上转换纳米材料，简单快速，与传统的上转换纳米材料制备方法相比，大大缩短了反应时间，提高了合成效率，可有力推进上转换材料在生物医学领域的广泛应用。
一种红光发射稀土离子掺杂转换纳米材料及其制备方法应用

[发明专利]一种CMOS工艺兼容的接口芯片掉电保护电路及方法-CN202210147343.5有效
发明人：高晓平;谢明玲;王向谦;员朝鑫;韩根亮 -专利权人：甘肃省科学院传感技术研究所
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS工艺兼容的接口芯片掉电保护电路及方法，电路包括电源芯片保护子电路和衬底电位生成子电路；本发明的CMOS工艺兼容的接口芯片掉电保护电路不要求工艺具有特殊器件，在标准CMOS工艺下即可实现，且电路结构简单，衬底电位生成子电路会产生PMOS管的衬底电位，在电源掉电情况下可有效降低输出端出现高电位时的电流倒灌，可以实现其漏电流低于1uA指标。
一种 cmos 工艺兼容接口芯片掉电保护电路方法

[发明专利]一种接口芯片掉电保护电路及方法-CN202210146706.3在审
发明人：高晓平;员朝鑫;谭稀;何开宙;韩根亮 -专利权人：甘肃省科学院传感技术研究所
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：本发明公开了一种接口芯片掉电保护电路及方法，电路包括电源芯片保护子电路、上拉功率管保护子电路和衬底电位生成子电路；其中，电源芯片保护子电路的第一输入端作为接口芯片掉电保护电路的输入端，电源芯片保护子电路的第一输出端和第二输出端分别与上拉功率管保护子电路的第一输入端和第二输入端连接，电源芯片保护子电路的第三输出端与衬底电位生成子电路的输入端连接，电源芯片保护子电路的第三输出端作为接口芯片掉电保护电路的输出端。本发明解决了接口电路电源掉电情况下的输出端到电源端口倒灌电流问题，具有电路结构简单、使用方便、面积小且不产生额外功耗的特点。
一种接口芯片掉电保护电路方法

[发明专利]具有集成式退火结构的巨磁阻传感器-CN201910686338.X有效
发明人： 韩根亮;宋玉哲;张彪 -专利权人：甘肃省科学院传感技术研究所
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有集成式退火结构的巨磁阻传感器。该传感器包括：第一组GMR结构，第一组GMR结构又包括：基片、沉积在基片上被绝缘层覆盖的退火结构、多层膜结构，该多层膜包含：有固定磁化方向的被钉扎层，磁化方向随外界磁场发生改变的自由层，夹于被钉扎层、自由层之间的非磁性层；第二组GMR结构：已沉积第一组GMR结构的基片，沉积在基片上被绝缘层覆盖的退火结构，多层膜结构。第一组GMR结构的被钉扎方向与第二组GMR结构的被钉扎方向不同。本发明是一种新型、有效的、集成了退火结构的GMR结构，能够在一个GMR传感器中实现具有不同磁化方向的GMR结构，以及用该结构组成惠斯通全桥结构的GMR传感器。
具有集成退火结构磁阻传感器

[发明专利]一种用于检测基质金属蛋白酶-2的磁性荧光复合探针及其制备方法和应用-CN202110179423.4有效
发明人：左显维;王玉祥;韩根亮;刘一丹;冯治棋;何欣;王焱 -专利权人：甘肃省科学院传感技术研究所
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C07K19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于检测基质金属蛋白酶‑2(MMP‑2)的磁性荧光复合探针及其制备方法和应用，属于分析检测技术领域。该复合探针是由荧光素标记的功能多肽和金属螯合配基修饰的纳米磁珠制备而成。所述复合探针用于检测基质金属蛋白酶‑2时，可进行磁操控，磁分离后还能重复利用，而且其还具有制备过程简单、灵敏度高、抗干扰能力强、背景信号小等优点，能实现临床样本中MMP‑2的分析检测，在癌症早期诊断、治疗以及药物研发方面有重要应用潜力。
一种用于检测基质金属蛋白酶磁性荧光复合探针及其制备方法应用

[发明专利]一种γ′-Fe4-CN202010197894.3在审
发明人：卢启海;韩根亮;宋玉哲;王向谦;谢明玲 -专利权人：甘肃省科学院传感技术研究所
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种γ′‑Fe4N磁性多孔膜的制备方法，包括：步骤1，将硅基片表面进行清洗，干燥，得到预处理后的硅基片；步骤2，将所述与处理后的硅基片进行磁控溅射镀膜，所述磁控溅射镀膜采用Fe靶材，以氮气作为工作气体，溅射温度为常温；得到非磁性高氮相氮化铁薄膜，所述非磁性高氮相氮化铁薄膜中高氮相氮化铁为FexN；步骤3，将所述非磁性高氮相氮化铁薄膜材料进行磁性退火处理：所述磁性退火处理为真空磁性退火，在预定退火温度下保温预定时间，以释放所述高氮相氮化铁中多余的氮并形成孔，冷却后，得到γ′‑Fe4N磁性多孔膜；所述氮气纯度在99.99％以上，所述Fe靶材纯度为99.9wt％以上。
一种 fe base sub

[发明专利]铁酸钴纳米团簇模拟酶及制备方法以及用其检测亚硫酸根的方法-CN201911344676.1有效
发明人：左显维;何永成;刘一丹;韩根亮;王玉祥 -专利权人：甘肃省科学院传感技术研究所
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： B01J23/75 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁酸钴纳米团簇模拟酶及制备方法以及用其检测亚硫酸根的方法，属于纳米技术和分析检测领域。本制备方法以水合氯化钴、水合三氯化铁和无水乙酸钠为前驱体，乙二醇为溶剂，柠檬酸钠为稳定剂，进行混合后超声溶解，所得透明溶液再利用微波反应即可制备铁酸钴纳米团簇。所制备的CoFe2O4纳米团簇具有优良的模拟氧化物酶的催化活性，能高效催化水溶液中溶解氧与还原型四甲基联苯胺发生的显色反应。当待测目标物中存在SO32‑时，SO32‑能与溶解O2反应，溶液中O2被消耗，导致TMB—O2—CoFe2O4反应体系的颜色变化降低，基于此原理本发明建立了一种快速检测SO32‑的比色传感体系。
铁酸钴纳米模拟制备方法以及检测亚硫酸

[发明专利]蛋白A包覆磁性纳米团簇以及制备方法及其在捕获抗体方面的应用-CN201911344017.8有效
发明人：刘一丹;左显维;韩根亮;冯治棋;何欣 -专利权人：甘肃省科学院传感技术研究所
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： B01J20/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种蛋白A包覆磁性纳米团簇以及制备方法及其在捕获抗体方面的应用，属于纳米磁性材料和生物技术领域。制备方法包括将水合三氯化铁、乙酸胺、乙二醇、聚丙烯酸和柠檬酸钠混合超声，利用微波辅助多元醇法制备了富含羧基的小尺寸四氧化三铁纳米团簇，然后在磁性团簇表面通过活化负载蛋白A，制得所述蛋白A包覆磁性纳米团簇。本发明充分结合了微波辅助加热法、蛋白A定向连接抗体以及荧光检测，制备了高性能的蛋白A包覆磁性纳米团簇，并且设计了一种简单有效检测捕获抗体的方法。蛋白A作为衔接蛋白定向连接抗体和磁性纳米团簇，这种特异性结合的技术在生物医学领域有重要价值。
蛋白磁性纳米以及制备方法及其捕获抗体方面应用

[发明专利]Ni-NTA修饰的二氧化硅包覆四氧化三铁磁性纳米功能组装体的制备方法及应用-CN201911230050.8有效
发明人：冯治棋;左显维;刘一丹;韩根亮;李工农;王玉祥;何永成;何欣 -专利权人：甘肃省科学院传感技术研究所
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： B01J20/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ni‑NTA修饰的二氧化硅包覆四氧化三铁磁性纳米功能组装体的制备方法及应用，属于材料领域。制备方法包括：溶剂热法制备Fe3O4纳米团簇；Stöber溶胶凝胶法制备Fe3O4@SiO2磁性纳米颗粒；加入硅烷偶联剂，化学法完成Fe3O4@SiO2的表面羧基化(Fe3O4@SiO2@COOH)；引入活化剂，在羧基化Fe3O4@SiO2磁性纳米颗粒的表面完成NTA修饰(Fe3O4@SiO2@COOH@NTA)；加入Ni2+，制备得到组装体。本发明步骤清晰、制备得到磁性纳米功能组装体表面基团丰富、Ni2+结合量大，与His标签蛋白具有较强结合力，分离效率高。
ni nta 修饰二氧化硅包覆四氧化铁磁性纳米功能组装制备方法应用

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