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[发明专利]产生掺杂剂气体物质的方法-CN200510132021.X无效
发明人： G·吕丁;S·萨托 -专利权人：应用材料有限公司
申请日： 2005-12-16 - 公布日： 2006-07-26 - 主分类号： C30B31/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种产生掺杂剂气体物质的方法以及实施该方法的离子源，该掺杂剂气体物质含有注入目标的所需掺杂剂元素成分。具体而言，虽然并不排他，但本发明涉及使用离子注入机，产生注入半导体晶片的掺杂剂离子。本发明提供产生掺杂剂气体物质的方法，该掺杂剂气体物质含有注入目标的所需掺杂剂元素成分，该方法包括：将掺杂剂元素成分源堆或块暴露于气态溴，使得溴与所述元素成分反应，形成反应产物，并离子化该反应产物，以产生掺杂剂气体物质的离子
产生掺杂气体物质方法

[发明专利]一种IBC电池的背面双POLO结构制备方法-CN202210468704.6在审
发明人：任常瑞;李金;董建文;符黎明 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2022-04-30 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种IBC电池的背面双POLO结构制备方法，包括依次进行的如下步骤：硅片制绒，背面抛光，背面沉积隧穿层，背面沉积本征非晶硅层，背面局部沉积P区掺杂剂和N区掺杂剂，高温退火；所述P区掺杂剂为含有Ⅲ族元素的固态或液态掺杂剂；所述N区掺杂剂为含有V族元素的固态或液态掺杂剂。本发明通过局部沉积固态或液态掺杂剂的方式完成局部掺杂，不需掩膜和激光开槽即可完成IBC电池背面图形化PIN POLO结构的制备。
一种 ibc 电池背面 polo 结构制备方法

[发明专利]一维链状晶体结构硒化锑薄膜及提高其空穴浓度的方法-CN202111314386.X有效
发明人：唐江;鲁帅成;陈超;高亮;李康华;卢岳 -专利权人：华中科技大学;华中科技大学温州先进制造技术研究院
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高一维链状晶体结构硒化锑薄膜空穴浓度的方法，其中，该方法包括：将掺杂剂和硒化锑以粉末形式充分混合，形成混合粉末，所述掺杂剂包括第Ⅳ主族元素单质或含有第Ⅳ主族元素的硒化物；将所述混合粉末进行烧结再研磨，得到掺杂粉末；将所述掺杂粉末作为蒸发源，通过气相转移沉积法得到掺杂硒化锑薄膜，所述掺杂硒化锑薄膜中的锑元素被所述掺杂剂中的第Ⅳ主族元素替换。选用第Ⅳ主族元素单质或含有第Ⅳ主族元素的硒化物作为掺杂剂对硒化锑进行掺杂，实验研究表明，使用该掺杂剂能够将硒化锑薄膜的空穴载流子浓度提升至1×1016cm
一维链状晶体结构硒化锑薄膜提高空穴浓度方法

[发明专利]一种P型掺杂剂及其制备方法-CN201310007757.9有效
发明人：潘家明;何广川;段学颖 -专利权人：英利集团有限公司
申请日： 2013-01-09 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：一种P型掺杂剂的制备方法，包括：A、去除含有硼元素的不合格的N型单晶硅片中的磷原子；B、将去除磷原子的不合格的N型单晶硅片作为原料，铸造得到P型掺杂剂硅锭；C、对所述P型掺杂剂硅锭进行破碎处理，得到P型掺杂剂该P型掺杂剂电阻率在0.001Ω·cm~0.01Ω·cm之间，包括端点值。本发明所提供的P型掺杂剂及其制备方法，通过去除含有硼元素的不合格的N型单晶硅片中的磷原子，并对去除磷原子的含有硼元素的不合格的N型单晶硅片进行铸锭，制作出P型掺杂剂，减少了资源的浪费，降低了生产成本。
一种掺杂及其制备方法

[发明专利]锂氧化物石榴石批料组合物及其固体电解质隔膜-CN201680034489.1在审
发明人： M·E·巴丁;L·W·克斯特;宋真 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：W和Ga共掺杂的石榴石批料组合物或者Ta和Ga共掺杂的石榴石批料组合物，其包含元素Li来源，其是41‑56摩尔％；元素La来源，其是25‑28摩尔％；元素Zr来源，其是13‑17摩尔％；以及元素共掺杂剂来源，其包含第一掺杂剂化合物与第二掺杂剂化合物的混合物，所述第一掺杂剂化合物具有2‑17摩尔％的镓，以及所述第二掺杂剂化合物具有0.8‑5摩尔％的钨或钽，以批料总量为100摩尔％计。还揭示了W和Ga共掺杂的石榴石组合物或者Ta和Ga共掺杂的石榴石组合物的制造和使用方法，如本文所定义，用于储能装置中。
氧化物石榴石组合及其固体电解质隔膜

[发明专利]光纤稀土掺杂预制件的制造方法-CN00120094.1有效
发明人： K·坦卡拉 -专利权人：斯佩克特恩公司
申请日： 2000-04-07 - 公布日： 2001-03-21 - 主分类号： C03B37/018 文献下载
摘要：公开了制造光纤稀土掺杂预制件的方法。通过改进化学汽相沉积工艺在可产生二氧化硅烟灰但也可避免其烧结的温度下在二氧化硅基衬底管内表面沉积高孔隙率二氧化硅烟灰层。然后将该衬底管在包括稀土元素和共掺杂剂的溶液中浸泡。排去溶液,用氯和惰性气流高温干燥。然后氧化稀土元素和共掺杂剂。最后,第二种共掺杂剂氯化物与氧在烧结温度流过烟灰层使其密实化,该温度下,该共掺杂剂氧化成氧化物并被送至烟灰层中稀土元素周围。稀土元素和优选共掺杂剂一起掺杂可增强稀土离子性能。其它掺杂剂也可同时使用以改进芯的折射率。
光纤稀土掺杂预制件制造方法

[发明专利]用于同时形成具有不同的导电性决定类型元素分布的掺杂区的方法-CN200980157560.5无效
发明人： R.Y-K.梁;N.鲁瑟福德;A.巴纳普 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2009-12-14 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：提供了用于同时形成具有不同的导电性决定类型元素分布的掺杂区的方法。在一个示例性实施例中，一种方法包括以下步骤：将第一导电性决定类型元素从第一掺杂剂扩散到半导体材料的第一区中，从而形成第一掺杂区。同时将第二导电性决定类型元素从第二掺杂剂扩散到所述半导体材料的第二区中，从而形成第二掺杂区。第一导电性决定类型元素与第二导电性决定类型元素属于相同的导电性决定类型。第一掺杂区具有不同于第二掺杂区的掺杂剂分布的掺杂剂分布。
用于同时形成具有不同导电性决定类型元素分布掺杂方法

[发明专利]用于在半导体基底中形成掺杂区域的掺杂剂油墨组合物，以及用于制造掺杂剂油墨组合物的方法-CN201280051982.6无效
发明人：周理古;R.A.斯皮尔;R.Y-K.梁;樊文亚;H.X.徐;L.M.梅廷;A.S.布哈纳普 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2012-10-12 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： C09D11/03 文献下载
摘要：提供用于在半导体基底中形成掺杂区域的掺杂剂油墨组合物，以及用于制造掺杂剂油墨组合物的方法。在示例性实施方案中，掺杂剂油墨组合物包含掺杂剂化合物，该掺杂剂化合物包括至少一个连接至13族或15族元素的烷基。此外，该掺杂剂油墨组合物包括含硅化合物。
用于半导体基底形成掺杂区域油墨组合以及制造方法

[发明专利]掺杂剂及其制备方法、掺杂的硅片及其制造方法-CN202211153844.0在审
发明人：韩聪 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种用于制备掺杂剂的方法，所述方法包括：使含目标掺杂元素的原料与硅片衬底接触；通过化学沉积使所述原料沉积在所述硅片衬底上以形成具有设定厚度的沉积层，其中，形成有所述沉积层的所述硅片衬底能够用作掺杂剂，由于沉积层的参数可以精确地控制，因此可以通过控制沉积层的参数精确控制最终获得的掺杂剂中掺杂元素的含量，进一步地，当使用通过本发明实施例提供方法获得的掺杂剂生产掺杂的单晶时，相比于现有的掺杂剂，可以更为精确地控制掺杂的单晶中的掺杂元素含量，进而提高掺杂的单晶的电阻率稳定性和一致性。
掺杂及其制备方法硅片制造

[发明专利]透明导电膜及其制造方法以及用于其制造的溅射靶材-CN200780020719.X无效
发明人：小高秀文;光井彰;中釜晋 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2007-06-08 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：所述溅射靶材是用溅射法形成透明导电膜时所使用的溅射靶材，其特征在于，以氧化锡为主要成分，包含选自A掺杂剂组的至少一种元素以及选自B掺杂剂组的至少一种元素作为掺杂剂，A掺杂剂组包括锌、铌、钛、镁、铝和锆，B掺杂剂组包括钨、钽和钼。
透明导电及其制造方法以及用于溅射

[发明专利]提供纳米级、高度选择性和热弹性硅、锗或硅-锗蚀刻终止层的系统和方法-CN200780040638.6无效
发明人：达尔文·G·伊尼克斯 -专利权人：爱特梅尔公司
申请日： 2007-10-08 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种方法和所得的包含硅-锗层和所述硅-锗层内的掺杂剂层的蚀刻终止层。所述硅-锗层包含小于约70％的锗且含有选自由硼和碳组成的群组的一种或一种以上掺杂剂元素。所述掺杂剂层具有所述掺杂剂元素中的一种或一种以上和小于50纳米的FWHM厚度值。
提供纳米高度选择性弹性蚀刻终止系统方法

[发明专利]一种晶体硅的制备方法及晶体硅-CN201610227091.1有效
发明人：罗鸿志;胡动力;何亮 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2016-04-13 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶体硅的制备方法，包括以下步骤在晶体硅生长用坩埚内装填硅料，同时向坩埚内放入掺杂剂，并将坩埚放入用于晶体硅生长的炉子内，所述掺杂剂包括硼掺杂剂和铟掺杂剂，硼掺杂剂为含有硼元素的单质、合金和氮化物中的一种或多种，铟掺杂剂为含有铟元素的单质、合金和氮化物中的一种或多种，硼、铟元素在硅料中的原子体积浓度分别为1014‑1017、1014‑1018atmos/cm3；在保护气氛下，加热使坩埚内的硅料和掺杂剂完全熔化得到硅熔体
一种晶体制备方法

[发明专利]制造重掺杂半导体晶圆的工艺，及无位错、重掺杂半导体晶圆-CN200510006833.X无效
发明人：鲁珀特·克劳特鲍尔;埃里希·格迈尔鲍尔;罗伯特·沃布赫纳;马丁·韦伯 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2005-01-28 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造重掺杂半导体晶圆的工艺，在该工艺中，掺杂使用至少两种电气性活跃的并且属于元素周期系统同一族的掺杂剂。本发明还涉及一种无位错并且用至少两种掺杂剂掺杂的半导体晶圆，所述掺杂剂是电气性活跃的并且属于元素周期系统的同一族。
制造掺杂半导体工艺无位错

[发明专利]包括掺杂的多晶陶瓷光学器件的量子存储器系统和量子中继器系统及其制造方法-CN201780042701.3有效
发明人： J·A·布朗;T·D·凯查姆;D·A·诺兰;W·塞钠拉特纳;J·杨;H·张 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： C04B35/486 文献下载
摘要：一种量子存储器系统包括掺杂的多晶陶瓷光学器件、磁场生成单元和一个或多个泵浦激光器。当磁场生成单元生成磁场时，掺杂的多晶陶瓷光学器件定位于磁场生成单元的磁场内，该一个或多个泵浦激光器光学地耦合到掺杂的多晶陶瓷光学器件，并且掺杂的多晶陶瓷光学器件被掺杂有稀土元素掺杂剂，该稀土元素掺杂剂分布在掺杂的多晶陶瓷光学器件的晶格内，使得至少50％的稀土元素掺杂剂在远离晶格的晶界的位置处被掺杂到晶格的晶粒中。
包括掺杂多晶陶瓷光学器件量子存储器系统中继及其制造方法

[发明专利]一种石英锭生产装置及掺杂方法-CN202111107421.0在审
发明人：江志和;谷巨明;秦卫光;张铁;王帅;刘念宗 -专利权人：久智光电子材料科技有限公司;天津富通信息科技股份有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C03B20/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种石英锭生产装置及掺杂方法，包括：封闭的掺杂剂容器，所述掺杂剂容器至少为一个，用于盛装石英掺杂元素配置成的溶液；气体输入管，其一端与所述掺杂剂容器连通，另一端设有洁净压缩空气入口；所述气体输入管上设有气体流量控制阀用于控制洁净压缩空气进入掺杂剂容器量，进而调整掺杂剂容器的掺杂剂流出量；掺杂剂输出管，一端与所述掺杂剂容器连通，另一端位于竖直设置的基础石英管的一侧；下料管，用于石英粉料的下料，其出口与所述掺杂剂输出管对齐设置；火焰产生装置，设置在所述掺杂剂输出管的输出端，将掺杂剂和石英粉料热熔后沉淀在所述基础石英管的外壁。操作过程容易控制、掺杂均匀、原料不易受到污染。
一种石英生产装置掺杂方法

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