“掺杂剂元素”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果2054127个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]包括沟槽栅极结构和掩埋遮蔽区的半导体器件和制造方法-CN202110702978.2在审
发明人： R·西米涅茨;W·扬切尔;D·卡默兰德 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：为了制造半导体器件(500)，第一掺杂剂被注入通过碳化硅本体(100)的第一表面(101)的第一表面区段(101a)。形成从第一表面(101)延伸到碳化硅本体(100)中的沟槽(450)。第二掺杂剂被注入通过沟槽(450)底部表面(453)的被间隔物掩模(420)暴露的部分。第一掺杂剂和第二掺杂剂具有相同的导电类型。激活注入的第一掺杂剂和第二掺杂剂。第一掺杂剂形成直接邻接第二侧壁表面(452)的掺杂的顶部遮蔽区(161)。第二掺杂剂形成直接邻接底部表面(453)的掺杂的掩埋遮蔽区(162)。
包括沟槽栅极结构掩埋遮蔽半导体器件制造方法

[发明专利]具有纳米点通量钉轧中心的氧化物膜-CN200480040541.1有效
发明人： M·W·鲁皮奇;T·科登坎达斯;W·张;李晓萍 -专利权人：美国超导公司
申请日： 2004-11-15 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： B05D5/12 文献下载
摘要：所述前体溶液包含：稀土/碱土金属/过渡金属氧化物的前体组分，该前体组分包含溶于一种或多种溶剂的稀土元素的盐、碱土金属的盐和过渡金属的盐，其中至少一种盐是含氟的盐。所述前体溶液还包含一种添加剂组分或掺杂剂组分，其中所述添加剂组分包含一种或多种能够单独或与前体溶液中的一种或多种前体组分组合形成第二相纳米颗粒的金属化合物，所述掺杂剂组分包含能够取代所述稀土/碱土金属/过渡金属氧化物中一种元素的一种或多种金属化合物；处理所述前体膜，形成包含所述前体溶液中的稀土、碱土金属、过渡金属和添加剂金属或掺杂剂金属的中间体金属氟氧化物。
具有纳米通量中心氧化物

[发明专利]在衬底中制造具有抬高的漏的晶体管的方法-CN00109713.X无效
发明人：李政昊 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 2000-06-29 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种在衬底中制造具有抬高的漏的晶体管的方法以下步骤：在衬底上形成栅结构；邻近所说栅结构一端提供第一掺杂区，第一掺杂区具有第一掺杂剂浓度水平；在第一掺杂区上形成第二掺杂区，第二掺杂区具有第二掺杂剂浓度水平；在第二掺杂区上形成第三掺杂区，第三掺杂区具有不同于第二掺杂剂浓度水平的第三掺杂剂浓度水平，其中抬高的漏区包括第三掺杂区，第二掺杂剂浓度水平低于第三浓度水平。
衬底制造具有抬高晶体管方法

[发明专利]一种三元正极材料、制备方法及其应用-CN202310015633.9在审
发明人：钟振楠 -专利权人：楚能新能源股份有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明提供一种三元正极材料、制备方法及其应用；所述三元正极材料包括基体以及包覆在所述基体表面的包覆物；所述基体为钛元素和氮元素共掺杂的三元材料；所述包覆物为氮化钛。本发明中通过将氮化钛作为包覆剂又作为掺杂剂，使得Ti元素和N元素共掺杂到三元材料的晶格中，又在其表面包覆氮化钛，掺杂和包覆具有协同作用，使得制得的三元正极材料具有更好的循环倍率性能以及高温存储性能。
一种三元正极材料制备方法及其应用

[发明专利]用于制备掺杂的有机半导体层的方法-CN200980106931.7有效
发明人： B·格茨;T·多伯廷;K·迪克曼;A·卡尼茨;G·施米德;A·孔策 -专利权人：欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2009-02-25 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：提供一种用于制备经掺杂的有机半导体层的方法，包括以下方法步骤A)准备基体材料；B)准备掺杂剂配合物；和C)将基体材料与掺杂剂配合物同时蒸镀到衬底上，在方法步骤C)中使掺杂剂配合物分解，并使纯掺杂剂嵌入到基体材料之中
用于制备掺杂有机半导体方法

[发明专利]掺杂剂配合物和电子组件-CN202280008319.1在审
发明人：布尚·加吉尔 -专利权人：卡纳图有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C09D125/18 文献下载
摘要：公开了掺杂剂配合物。所述掺杂剂配合物可以由包封在聚合物基质中的掺杂剂离子组分形成，其中所述掺杂剂离子组分为金属三氟甲磺酸盐、金属卤化物、金属锑酸盐、或其任何组合，并且所述聚合物基质包含含羟基的聚合物或由含羟基的聚合物组成。还公开了电子组件以及掺杂剂配合物的用途。
掺杂配合电子组件

[发明专利]基于LIBS技术的锂电池正极材料的分析方法-CN202211279360.0在审
发明人：张瑞杰;喻正宁;王庆祥;洪超;徐桔红;王安安;张佰伦 -专利权人：杭州谱育科技发展有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G01N21/73 文献下载
摘要：本发明提供了基于LIBS技术的锂电池正极材料的分析方法，所述基于LIBS技术的锂电池正极材料的分析方法包括以下步骤：(A1)粉末状的锂电池正极材料与掺杂剂混合，得到混合物；所述掺杂剂包括石墨、铜离子和硝酸根离子；(A2)对所述混合物压片处理；(A3)利用LIBS分析仪检测压片处理后的混合物，获得所述锂电池正极材料中待测元素含量，所述待测元素包括锂以及镍、钴和锰中至少一种。
基于 libs 技术锂电池正极材料分析方法

[发明专利]FinFET和形成FinFET的方法-CN201510190775.4有效
发明人：蔡俊雄;王参群 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-04-21 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一个实施例是方法，该方法包括：在衬底上形成鳍；在鳍的顶部中形成第一掺杂区，第一掺杂区具有第一掺杂剂浓度；以及在鳍的中间部分和底部中形成第二掺杂区，第二掺杂区具有第二掺杂剂浓度，第二掺杂剂浓度小于第一掺杂剂浓度
finfet 形成方法

[发明专利]非易失性存储器装置及其制造方法-CN200710182351.9无效
发明人：金元柱;朴允童;具俊谟;金锡必 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-10-18 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：该非易失性存储器装置可包括：控制栅极，布置在半导体基底上；栅极绝缘层，置于半导体基底和控制栅极之间；存储节点层，置于栅极绝缘层和控制栅极之间；阻挡绝缘层，置于存储节点层和控制栅极之间；第一掺杂剂掺杂区，沿着控制栅极的第一边；第二掺杂剂掺杂区，沿着控制栅极的第二边。第一掺杂剂掺杂区可以与第二掺杂剂掺杂区交替地形成。以不同的形式表述为，第二掺杂剂掺杂区中的每个可布置在控制栅极的第二边上的与第一掺杂剂掺杂区中的一个相邻的区域中。
非易失性存储器装置及其制造方法

[发明专利]半导体结构和制造电阻器的方法-CN200710108814.7有效
发明人：库纳尔·威地;埃尼尔·K.·奇恩萨肯迪;约翰·E.·弗洛克;埃比尼泽·E.·埃尚;道格拉斯·D.·库尔鲍;罗伯特·M.·拉塞尔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-05-31 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：本发明提供的一种含多晶硅电阻器包括：(1)从硼和氟化硼中选出的一种p型掺杂剂；以及(2)从砷和磷中选出的一种n型掺杂剂。每一个所述p型掺杂剂和n型掺杂剂的掺杂剂浓度从每立方厘米大约1e18到大约1e21个掺杂剂原子。本发明的一种用于形成所述多晶硅电阻器的方法使用从每平方厘米大约1e14到大约1e16个掺杂剂离子的相应的注入剂量。可以同时或顺序提供所述p型掺杂剂和n型掺杂剂。
半导体结构制造电阻器方法

[发明专利]一种三元掺杂半导体及其制备工艺-CN202011609370.7在审
发明人：刘杰;马自成;张军 -专利权人：四川永祥硅材料有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种三元掺杂半导体制备工艺，包括：硅原料、掺杂剂和籽晶混合，清洗，烘干，在真空条件下，熔融、引晶、放肩、转肩、等径、收尾得到；所述掺杂剂包括B、P和Ga；所述掺杂剂的添加量按照如下计算：硼：本发明B、P和Ga元素按照上述特定配比掺杂，可以有效减低硅片硼氧浓度，可以解决光衰高的技术问题，同时提高转换效率。
一种三元掺杂半导体及其制备工艺

[发明专利]偶联电荷转移纳米管掺杂剂-CN200880008760.X无效
发明人： A·G·林兹勒;J·R·雷诺兹;R·M·沃尔查克 -专利权人：佛罗里达大学研究基金公司
申请日： 2008-02-20 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：碳纳米管的稳定电荷转移掺杂通过使用含聚合物的掺杂剂(DCP)实现，其中DCP具有多个连接在聚合物上的掺杂剂结构部分，其能够向纳米管提供电子或接受来自纳米管的电子。DCP具有足够数目的连接在聚合物上的掺杂剂结构部分使得具体掺杂剂结构部分与纳米管之间的电荷转移平衡为解离或去掺杂状态时，掺杂剂结构部分通过连接结构部分保持束缚在聚合物上，并且当聚合物通过至少一种DCP结合掺杂剂结合在管上时选择连接基团以允许掺杂剂结构部分以不受聚合物骨架妨碍的方式提供给纳米管，并且可经历电荷转移掺杂。
电荷转移纳米掺杂

[发明专利]一种高效掺杂石墨烯的化学掺杂剂和掺杂方法-CN201610675455.2在审
发明人：马来鹏;任文才;董世超;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2016-08-16 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：本发明涉及石墨烯领域，具体为一种高效掺杂石墨烯的化学掺杂剂和掺杂方法，该掺杂剂适用于不同基体上不同层数石墨烯的掺杂。化学掺杂剂采用阳离子型光引发剂或可生成阳离子型光引发剂的前驱体物质；或者，化学掺杂剂采用阳离子型光引发剂或可生成阳离子型光引发剂的前驱体物质，与其他类型光引发剂之一或两种以上的组合。将化学掺杂剂与石墨烯表面接触后，对石墨烯进行掺杂，并可通过阳离子型光引发剂进行光照或加热提高其掺杂效果和掺杂稳定性。从而，为实现掺杂态石墨烯在电子、光电子器件中的应用奠定了基础。
一种高效掺杂石墨化学方法

[发明专利]发光装置和包括发光装置的电子设备-CN202310146555.6在审
发明人：田美恩;姜儒真;李荣基 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10K50/125 文献下载
摘要：发射层包括均彼此不同的第一主体、第二主体、第一掺杂剂和第二掺杂剂。第一主体为空穴传输化合物，第二主体为电子传输化合物，第一掺杂剂为磷光掺杂剂，并且第二掺杂剂为延迟荧光掺杂剂。第一掺杂剂和第二掺杂剂满足表述1，并且第一掺杂剂的室温发射光谱和第二掺杂剂的室温吸收光谱的光谱重叠积分为0.5×1014M‑1
发光装置包括电子设备

[发明专利]蓝光OLED器件、显示面板和显示装置-CN202080002217.X在审
发明人：陈雪芹;陈磊 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：该蓝光OLED器件包括蓝色发光层，所述蓝色发光层包括蓝光发光主体(BH)和蓝光掺杂剂(BD)，其中，所述蓝光发光主体和所述蓝光掺杂剂的HOMO能级差值小于等于0.9eV；基于所述发光层的总质量，所述蓝光掺杂剂的含量小于等于由此，蓝光掺杂剂的HOMO与蓝光发光主体的HOMO相差不大，蓝光掺杂剂不会因为捕捉太多空穴而造成空穴迁移率显著降低，所以蓝光掺杂剂在上述掺杂比例的条件下，可以有效延长蓝光OLED器件的寿命。
oled 器件显示面板显示装置

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top