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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]太阳能电池及其选择性发射极的制备方法-CN202010847223.7有效
发明人：于琨;刘长明;张昕宇;高贝贝;麻增智 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：该太阳能电池选择性发射极的制备方法，包括以下步骤：在具有第一极性的半导体衬底的表面进行第一掺杂元素的扩散，以形成具有第二极性的轻掺杂层；在轻掺杂层的表面形成氧化层；在氧化层表面上的至少一个区域涂覆掺杂剂并进行掺杂处理，以在轻掺杂层中形成至少一个重掺杂区；其中，掺杂剂至少包括第二掺杂元素、第二掺杂元素的氧化物、第三掺杂元素和第三掺杂元素的氧化物中的一种或多种，第一掺杂元素、第二掺杂元素和第三掺杂元素为同族元素。
太阳能电池及其选择性发射极制备方法

[发明专利]掺杂极性层及并入有掺杂极性层的半导体装置-CN202080039278.3在审
发明人： R·拉玛穆尔蒂;S·马尼帕特鲁尼;G·塔雷贾 -专利权人：开普勒计算公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L27/11507 文献下载
摘要：一种半导体装置包括形成在硅衬底上的晶体管及通过导电通路来电连接到所述晶体管的电容器；所述电容器包括极性层，所述极性层包括掺杂有掺杂剂的基底极性材料，其中所述基底极性材料包含一或多个金属元素及氧或氮中的一或两者，其中所述掺杂剂包括不同于所述一或多个金属元素的金属元素且以一浓度存在，使得所述电容器的铁电切换电压与具有未掺杂所述掺杂剂的所述基底极性材料的所述电容器的铁电切换电压相差超过约100mV；所述半导体装置另外包括下势垒层
掺杂极性并入半导体装置

[发明专利]包含具有掺杂元素的高电压锂钴氧化物的锂二次电池用正极活性材料及其制造方法-CN201780003576.5有效
发明人：赵治皓;李宝蓝;朴星彬;许赫;朴英旭;郑王谟 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供了二次电池用正极活性材料颗粒，所述颗粒包含：锂钴氧化物；含有元素A并形成在锂钴氧化物颗粒表面上的涂层；和含有置换在所述锂钴氧化物中的元素B的掺杂剂，其中元素A和B各自独立地是选自由Al、Ti、Mg、Zr、Ba、Ca、Ta、Nb和Mo组成的组中的至少一种，并且所述涂层中的元素A:所述掺杂剂中的元素B的摩尔比大于1:1且等于或小于10:1。
包含具有掺杂元素电压氧化物二次电池正极活性材料及其制造方法

[发明专利]一种掺杂的Co3-CN202210926152.9在审
发明人：高山;金鑫;张灰灰;方洋洋 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： B01J27/02 文献下载
摘要：本发明涉及光催化剂及其制备技术领域，公开了一种掺杂的Co3O4纳米材料及其应用，所述催化剂包括活性组分和掺杂剂，所述活性组分和掺杂剂按质量比为：15‑25:1，活性组分为Co3O4，掺杂剂为非金属元素，非金属元素为氮、硫、硼、氟中至少的一种，包括以下步骤：S1原料计量称取：称取质量比为15‑25：1：50‑150的乙酸钴、非金属元素和NaBH4；S2原料混合研磨。本发明所得掺杂的Co3O4纳米材料能很好地应用于光催化还原CO2产CH3OH，催化活性和稳定性均高于Co3O4纳米材料，具有很好的研究价值及应用前景，通过掺杂的方式，使得光生载流子充分参与反应，在一定程度上解决了目前光催化剂催化性能较低的问题
一种掺杂 co base sub

[发明专利]电子传输层及其制备方法及有机发光器件-CN201611220689.4在审
发明人：段炼;张东东;邱勇;赵菲;刘嵩 -专利权人：昆山国显光电有限公司;清华大学
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及有机发光技术领域，具体涉及一种电子传输层，包括能够均裂产生具有共轭结构的自由基的有机N型掺杂剂以及电子传输材料。上述电子传输层，有机N型掺杂剂能够均裂产生具有共轭结构的自由基，并与电子传输材料之间发生电荷转移，从而实现N掺杂。其不含碱金属元素，可以采用湿法制备电子传输层。另外，有机N型掺杂剂在空气中稳定存在，便于长期存储。还有，相比于基于碱金属原子的N型掺杂剂，有机N型掺杂剂可以避免因碱金属原子渗透造成的发光淬灭现象，在提高电流密度的同时，提高了器件的效率，也延长了器件的寿命。
电子传输层电子传输材料有机发光器件碱金属原子共轭结构自由基制备碱金属元素长期存储淬灭现象电荷转移有机发光发光

[发明专利]有机发光显示面板及其显示装置-CN201810551640.X有效
发明人：程爽;牛晶华;王湘成;朱晴;刘银河;王建云;马洪虎 -专利权人：上海天马有机发光显示技术有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：与驱动元件对应设置的有机发光器件，有机发光器件包括阳极和阴极，以及位于阳极和阴极之间的有机功能层，有机功能层包括有机发光层，和位于阴极与有机发光层之间的第一电子传输层；其中，第一电子传输层包括电子传输基质和第一掺杂剂，第一掺杂剂包括镧系金属元素，且第一掺杂剂的功函数小于阴极的功函数；第一掺杂剂的熔点范围为750℃‑900℃，沸点低于2300℃，且第一掺杂剂在第一电子传输层中的掺杂百分比为：0.5％‑7％。
有机发光显示面板及其显示装置

[发明专利]一种无钴尖晶石镍锰酸锂正极材料及其制备方法和应用-CN202210921062.0在审
发明人：谭艳;钟毅;闫晓志 -专利权人：湖南金富力新能源股份有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种无钴尖晶石镍锰酸锂正极材料及其制备方法和应用，所述无钴尖晶石镍锰酸锂正极材料包括镍锰前驱体、锂源和掺杂剂；所述掺杂剂对应的掺杂元素分为阳离子掺杂、阴离子掺杂和阴阳离子共掺杂；阳离子掺杂为掺杂元素的电负性比Mn的电负性小；阴离子掺杂为掺杂元素的电负性比O的电负性大；阴阳离子共掺杂为阳离子掺杂元素的电负性要比Mn的电负性小，阴离子掺杂元素的电负性要比O的电负性大；所述无钴尖晶石镍锰酸锂的通式为M，N‑LiNi0.5Mn1.5O4；其中，通式中，M为阳离子掺杂的掺杂元素，N为阴离子掺杂的掺杂元素
一种尖晶石镍锰酸锂正极材料及其制备方法应用

[发明专利]导电体及其制造方法-CN202180046268.7在审
发明人：府金庆介;铃木义信;冈本拓巳 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：一种导电体，具备：含有导电性碳材料(11)并形成为规定形状的导电性结构体、以及使碳材料产生电荷的掺杂剂(30)。掺杂剂含有由镧系元素的三价离子和三氟甲磺酸阴离子构成的三氟甲磺酸盐。
导电及其制造方法

[发明专利]用于处理包括半导体材料的半导体层的方法-CN201310388773.7有效
发明人： D.F.富斯特;R.A.加伯;W.K.梅茨格尔;R.舒巴;曹洪波;S.D.菲尔德曼-皮博迪;L.A.克拉克;单英辉 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：所述方法包括使所述半导体材料的至少一部分与钝化剂接触。所述方法进一步包括通过将掺杂剂引入所述半导体材料中而在所述半导体层中形成第一区域；以及形成富含硫族元素的区域。所述方法进一步包括在所述半导体层中形成第二区域，所述第二区域包括掺杂剂，其中所述第二区域中掺杂剂的平均原子浓度大于所述第一区域中掺杂剂的平均原子浓度。
用于处理包括半导体材料半导体方法

[发明专利]III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法-CN202110645250.0在审
发明人：森勇介;吉村政志;今西正幸;北本启;隅智亮;泷野淳一;冈山芳央 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：III族氮化物晶体掺杂有N型掺杂剂和氢元素，N型掺杂剂的浓度为1×1020cm‑3以上，氢元素的浓度为1×10
iii 氮化物晶体制造方法

[发明专利]掺杂极性层及并入有掺杂极性层的半导体装置-CN202080039183.1在审
发明人： R·拉玛穆尔蒂;S·马尼帕特鲁尼;G·塔雷贾 -专利权人：开普勒计算公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：所公开的技术大体上涉及铁电材料及半导体装置，且更特定来说，涉及并入有掺杂极性材料的半导体存储器装置。在一个方面中，一种半导体装置包括电容器，所述电容器又包括极性层，所述极性层包括掺杂有掺杂剂的基底极性材料。所述基底极性材料包含一或多个金属元素及氧或氮中的一或两者。所述掺杂剂包括不同于所述一或多个金属元素的金属元素且以一浓度存在，使得所述电容器的铁电切换电压与具有未掺杂所述掺杂剂的所述基底极性材料的所述电容器的铁电切换电压相差超过约100mV。
掺杂极性并入半导体装置

[发明专利]氧储存容量增强的组合物-CN202180061872.7在审
发明人： S·H·恩格;S·邓;P·科尔;S·谭 -专利权人：新性能材料新加坡私人有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： B01J20/06 文献下载
摘要：OSC增强组合物含有铈、锆、镧和钕以及选自以下组的掺杂剂元素：Ti、Mn、Fe、Co、Cu、Zn、Ga、Ge、Ta、W、Mo、Nb、In、Sn、Ba和它们的混合物。在一些实施方案中，这些组合物含有两种掺杂剂。在这些组合物的一些实施方案中，包含铈、锆、镧和钕以及一种或多种掺杂剂元素的组合物与包含铈、锆、镧和钕的未掺杂组合物相比具有在1000℃下老化10小时之后改进1至50％的OSC。可在空气环境中进行老化。所述组合物可用作催化剂。
储存容量增强组合

[发明专利]太阳能电池用锗单晶生长的掺杂方法-CN201210407264.X有效
发明人：王侃;吴绍华;子光平;符世继;李睿;韩帅民;彭明清;侯明;陈骥;李茂忠 -专利权人：云南北方驰宏光电有限公司
申请日： 2012-10-23 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：太阳能电池用锗单晶生长的掺杂方法，其特征在于步骤如下：1.清洗干燥高纯锗，2.将高纯锗和掺杂剂装入单晶炉内的坩埚中，3.抽真空，4.加热，5.当坩埚内的原料全部融化后使掺杂元素在锗中初步混合，6.降温，7.使掺杂元素在锗中均匀混合。本发明所使用的掺杂剂，可以是Ga、In、As、Sb等的一种或几种。该方法操作简单，只需一次掺杂，就能使掺杂剂在太阳能电池用锗单晶中均匀分布，锗单晶的电阻率均匀分布，轴向电阻率变化小，利于工业化生产；通过测试，锗单晶电阻率在0.001～0.003Ω·cm，可达到太阳能电池用锗单晶电阻率均匀分布的要求
太阳能电池用锗单晶生长掺杂方法

[发明专利]由至少两种不同的AlCr基靶材制造的耐磨涂层-CN202180085600.0在审
发明人： M·M·埃伯索尔德;O·胡诺尔德 -专利权人：欧瑞康表面解决方案股份公司，普费菲孔
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：其包含下层涂覆膜(212)、沉积为多层膜(216)的中间涂覆膜(216)，所述中间涂覆膜(216)由在彼此上交替沉积形成A/B/A/B/A…结构的多个A层和多个B层组成，A层包含铝铬和任选的一种或多种掺杂剂元素，并且B层包含氮化铝铬和一种或多种掺杂剂元素。
至少不同 alcr 基靶材制造耐磨涂层

[发明专利]透明导电膜和制造所述透明导电膜的方法以及用于所述方法的溅射靶-CN200880008181.5无效
发明人：林一郎;小高秀文 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2008-01-15 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：在通过利用溅射法形成透明导电膜时要使用的溅射靶包含氧化锡作为主成分，并且包含选自由铌、钨、钽、铋和钼组成的(A)组掺杂剂的至少一种元素以及铜元素作为掺杂剂。
透明导电制造方法以及用于溅射

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