专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种环保型扩散膜及其制备方法-CN201711455971.5有效
  • 李刚;任远飞;薛永富;崔钧;唐海江;张彦 - 宁波激智科技股份有限公司
  • 2017-12-28 - 2020-09-25 - G02B5/02
  • 本发明涉及光学薄膜领域,更具体的涉及一种环保型扩散膜及其制备方法。为了解决目前行业扩散膜采用溶剂型胶水生产过程中产生较高的VOC的问题,本发明提供一种环保型扩散膜及其制备方法。所述扩散膜包括透明基材扩散和保护,透明基材的上表面设有扩散,透明基材的下表面设有保护;所述扩散包括改性扩散微珠,所述保护包括改性抗吸附粒子,所述扩散含有酸性催化剂,所述保护含有酸性催化剂本发明提供的环保型扩散在生产中不会产生VOC以及有机溶剂排放的问题,并且克服了目前水性胶水体系在扩散膜上应用时的固化速率慢和扩散微粒在水性胶水体系中分散不均匀的技术难题。
  • 一种环保扩散及其制备方法
  • [发明专利]水蒸气传递膜到气体扩散分离器的附接-CN201110140309.7有效
  • J.M.古斯达 - 通用汽车环球科技运作有限责任公司
  • 2011-05-27 - 2011-11-30 - H01M8/04
  • 本发明涉及水蒸气传递膜到气体扩散分离器的附接。用于燃料电池的水蒸气传递装置包括一对扩散介质、一对边缘衬条、一排细长线和一对聚合物膜。边缘衬条中的一个设置在扩散介质的第一边缘之间。边缘衬条中的另一个邻近扩散介质中的每个扩散介质的第二边缘设置。边缘衬条通过热熔性粘合剂结合至扩散介质中的每个扩散介质。细长线设置在扩散介质之间并设置在边缘衬条中间。细长线通过热熔性粘合剂结合至扩散介质中的每个扩散介质并限定扩散介质之间的多个流动通道。聚合物膜通过来自边缘衬条的热熔性粘合剂邻近边缘衬条结合至扩散介质
  • 水蒸气传递气体扩散分离器
  • [实用新型]陶瓷电容-CN201720809219.5有效
  • 张浩 - 深圳通感微电子有限公司
  • 2017-07-05 - 2018-02-16 - H01G4/232
  • 本实用新型涉及陶瓷电容,包括基板、以及设置在所述基板顶部的第一焊垫以及设置在所述基板底部的第二焊垫;所述基板包括设置在所述基板底部的第一焊接面、以及设置在所述基板顶部的第二焊接面;所述第一焊接面设有第一电流扩散;所述第二焊接面上设有第二电流扩散和第三电流扩散,所述第二电流扩散和所述第三电流扩散之间留有缝隙;所述第一焊垫设置在所述第二电流扩散上,所述第二焊垫设置在所述第一电流扩散上;所述第一焊垫靠近所述第三电流扩散的一侧设有用于阻挡焊料流出的焊料坝通过在第一焊垫靠在第三电流扩散的一侧设置焊料坝,金属涂层不易从该焊垫边缘扩散导致第二电流扩散和第三电流扩散接合而短路。
  • 陶瓷电容
  • [发明专利]一种提升辉度及遮瑕雾化性能的拱状扩散膜及其制备方法-CN202010548179.X有效
  • 周孝成;丁利明;王嫣红 - 常州华威新材料有限公司
  • 2020-06-16 - 2021-10-29 - G02B5/02
  • 本发明公开了一种提升辉度及遮瑕雾化性能的拱状扩散膜及其制备方法,包括基材扩散,基材上表面阵列分布有凹槽结构,扩散内分散有扩散粒子,扩散的上表面呈向上凸起的拱状结构。在上述拱状扩散膜结构中,光源从拱状扩散膜的下方射入膜,透过基材的凹槽结构能获得更好的聚光效果,提升拱状扩散膜的辉度。凹槽结构能够更好的对扩散粒子进行筛选,从而使扩散粒子分布更均匀,进一步地提高雾度。另外,有序分布的扩散粒子能获得更低的粗糙度以及均匀的光学性能,提升了遮瑕雾化性能,且扩散最终形成拱状结构表面能进一步提高聚光作用,既提升了辉度,又避免了现有扩散膜中存在的炫光问题。
  • 一种提升雾化性能扩散及其制备方法
  • [发明专利]半导体装置-CN200910133874.3有效
  • 大竹诚治 - 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
  • 2009-04-08 - 2009-12-09 - H01L29/861
  • 在N-型半导体2的表面,形成有P-扩散5。在PN+扩散6形成有P+扩散7。在邻接P-扩散5的N-型半导体2的表面,形成有N+扩散8。形成有阴极电极10,其穿过开口于N+扩散6上的绝缘膜9的接触孔,而电连接于N+扩散6。形成有配线11(阳极电极),其穿过分别开口于P+扩散7以及N+扩散8上的绝缘膜9的各接触孔,而电连接于P+扩散7以及N+扩散8。
  • 半导体装置
  • [发明专利]高硬度的LED光扩散-CN201510911958.0在审
  • 王士新;凌鹉;苗杰 - 无锡联创薄板有限公司
  • 2015-12-11 - 2016-04-06 - G02F1/1335
  • 本发明公开了一种高硬度的LED光扩散板,包括光扩散、玻璃基板和涂膜增透,所述光扩散的两侧分别设有玻璃基板,所述玻璃基板的表面设有氧化锡涂层,所述光扩散与玻璃基板通过粘合粘连,所述光扩散的表面设有涂膜增透通过上述方式,本发明一种高硬度的LED光扩散板,结构简单,高辉度,高扩散性,高硬度,均匀的扩散效果,适用于LED电视背光模组。
  • 硬度led扩散
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201610531674.3在审
  • 周飞 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2016-07-07 - 2018-01-16 - H01L21/336
  • 本发明提供一种半导体结构及其形成方法,其中,所述形成方法包括提供基底,所述基底包括衬底和位于衬底上的鳍部;在所述鳍部中形成防扩散,所述防扩散中具有防扩散离子;在所述鳍部中形成防穿通,所述防穿通底部低于所述防扩散顶部,所述防穿通中具有防穿通离子,所述防扩散用于阻挡所述防穿通离子向鳍部顶部扩散;形成所述防扩散和所述防穿通之后,进行退火处理。所述防扩散能够在退火过程中阻挡鳍部中的防穿通离子向鳍部顶部扩散,从而能够减小扩散进入晶体管沟道中的防穿通离子。因此,所述半导体结构的形成方法能够改善所形成半导体结构的性能。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]ESD保护电路和半导体器件-CN200910146025.1有效
  • 高桥幸雄;吉田浩介 - 恩益禧电子股份有限公司
  • 2009-06-05 - 2009-12-09 - H01L27/082
  • 静电放电保护电路具有双极晶体管,其包括:第一导电型的第一扩散,该第一导电型的第一扩散与第一电源相连接并且用作基极;第二导电型的第二扩散,该第二导电型的第二扩散与第二电源相连接并且用作集电极;以及第二导电型的第三扩散,该第二导电型的第三扩散与输入/输出焊盘相连接并且用作发射极。第三扩散的与第一扩散相对的第一区域的面积大于第二扩散的与第一扩散相对的第二区域的面积。
  • esd保护电路半导体器件
  • [发明专利]一种金属栅极结构及其制造方法-CN201811415934.6有效
  • 刘晓钰 - 上海集成电路研发中心有限公司
  • 2018-11-26 - 2021-06-15 - H01L29/49
  • 本发明公开了一种金属栅极结构,由内向外包括:金属电极,包围金属电极的粘结、第一扩散阻挡和功函数,设于第一扩散阻挡以内的第二扩散阻挡,第二扩散阻挡为包括一金属及设于金属以内的一金属氧化物的复合阻挡结构本发明还公开了一种金属栅极结构的制造方法,包括:通过常规的金属栅极工艺,在衬底沟槽中沉积形成功函数;在功函数之上,形成第一扩散阻挡;在第一扩散阻挡之上,沉积形成金属;在金属表面上形成金属氧化物,形成第二扩散阻挡;在第二扩散阻挡之上,沉积形成粘结;在粘结之上,沉积金属电极材料,形成金属栅极。本发明有效解决了电极金属扩散的问题。
  • 一种金属栅极结构及其制造方法

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