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[发明专利]一种铜互连扩散阻挡层结构及其制备方法-CN202310711969.9在审
发明人：扈静;芮祥新;汪穹宇;李建恒 -专利权人：合肥安德科铭半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜互连扩散阻挡层结构及其制备方法，包括：衬底和扩散阻挡层，所述衬底包括第一导电层和介质层；所述扩散阻挡层设置在衬底和第二导电层之间，所述扩散阻挡层包括依次设置的铌层、铌硅氮化物层和氮化铌层，所述第三层与所述第二导电层接触。通过在铜层和介质层之间设置有多层膜结构的阻挡扩散层，可以有效阻挡铜扩散到介质层中。同时，阻挡扩散层包括铌硅氮化物层和氮化铌层，且氮化铌层位于铌硅氮化物层与铜层之间，可以有效防止铌硅氮化物层中的硅元素进入铜层，破坏铜的电学性能。
一种互连扩散阻挡结构及其制备方法

[发明专利]兼具集光与扩散作用的多层式复合光学薄膜及其制造方法-CN200610082764.5无效
发明人：林清彬 -专利权人：开曼群岛商亚岗科技股份有限公司
申请日： 2006-05-25 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种兼具集光与扩散作用的多层式复合光学薄膜及其制造方法，包括：一集光用棱镜阵列上层，形成于一扩散层之上；该棱镜阵列上层的底部向下伸设多数根部以与该扩散层相互联锁(interlocking)，以强化层间的键结；该扩散层可由纳米(或微米)颗粒均匀分散于光硬化或热硬化型树脂之中形成该扩散层，或涂布其它能扩散光的复合树脂，或直接形成一光扩散的粗糙面，以构成该扩散层来增加光的扩散传输(diffusetransmission)，由此构成一兼具集光与扩散作用的复合式光学薄膜以增加光学薄膜的辉度、均匀度(uniformity)与强度。该扩散层的下方也可连设一基层。
兼具扩散作用多层复合光学薄膜及其制造方法

[实用新型]一种背光模组-CN202122241905.6有效
发明人：魏照 -专利权人：信利光电股份有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种背光模组，其包括由下到上依次叠加设置的反射片、导光板、下增光膜和上增光膜，所述导光板的上表面设置有扩散处理层，所述扩散处理层内设置有可改变颜色的添加剂。由于导光板的上表面设置有扩散处理层，扩散处理层内设置有可改变颜色的添加剂，使得光线经过扩散处理层时可以进行扩散，从而实现与扩散膜相同的光线扩散效果，并且可以使得光线通过添加剂后改变颜色，从而满足客户对光线颜色的高要求；扩散处理层的厚度比扩散膜要更薄，使得产品厚度更薄，更加小型化，扩散处理层在导光板生产时即可进行处理，无需进行装配，降低了背光模组的装配难度。
一种背光模组

[发明专利]在覆有扩散阻障层的基板上之半导体组件及其制作方法-CN201080023017.9有效
发明人： A·卡曼斯;M·科奇士;K·麦卡锡;G·曼亭·王 -专利权人：薄膜电子有限公司
申请日： 2010-05-27 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了位于覆有扩散阻障层的基板上之半导体组件及其制作方法。该半导体组件包含一金属基板、一位于该金属基板上的扩散阻障层、一位于该扩散阻障层上的绝缘层以及一位于该绝缘层上的半导体层。该方法包含在该金属基板上形成一扩散阻障层、在该扩散阻障层上形成一绝缘层以及在该绝缘层上形成一半导体层。这类覆有扩散阻障层的金属基板可避免其金属原子扩散进入形成于其上的半导体组件中。
扩散阻障基板上半导体组件及其制作方法

[发明专利]一种使用钇稳定氧化锆材料制备陶瓷膜扩散层的制备方法及应用-CN201910634265.X在审
发明人：陈景文;解怀君;董应超 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：本发明属于梯度扩散薄膜技术领域，提供了一种使用钇稳定氧化锆材料制备陶瓷膜扩散层的制备方法及应用。该陶瓷膜扩散层的平均孔径为85nm，孔隙率为31％，直径为25mm，厚1.0mm，将该陶瓷膜扩散层组装到DGT被动采样器中用于控制污染物的扩散速率。本发明的陶瓷膜扩散层对有机污染物具有吸附惰性，与有机聚合物过滤层相比，有机目标物不会在其表面发生吸附。本发明的陶瓷膜扩散层机械强度高，不需过滤层保护，能克服琼脂糖凝胶扩散层长期暴露被微生物降解等潜在问题。本发明的陶瓷膜扩散层在流速较低的水体环境中应用不需进行边界扩散层的校正。
扩散层陶瓷膜钇稳定氧化锆材料制备过滤层吸附制备薄膜技术领域应用被动采样器琼脂糖凝胶微生物降解有机聚合物有机污染物边界扩散平均孔径潜在问题水体环境梯度扩散孔隙率目标物校正污染物组装扩散暴露

[发明专利]半导体器件-CN200910127940.6有效
发明人：永井隆行 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-03-27 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明旨在减少其中提供有半导体器件的保护电路的面积，本发明的半导体器件具有第一导电型阱、在阱中形成的多个第一扩散层、在阱中形成中的多个第二扩散层以及在阱中形成的扩散电阻层，其中，第一扩散层具有第二导电型，并且被彼此并行地连接至半导体器件的输入/输出端；第二扩散层与多个第一扩散层交替地设置，并且被连接至电源或地；扩散电阻层具有第二导电型，并且位于与多个第二扩散层中的任何一个邻近；该扩散电阻层被连接至半导体器件的输入/输出端，同时与第一扩散层并行地设置，并且连接内部电路和半导体器件的输入/输出端。
半导体器件

[实用新型]一种改良型直下式玻璃扩散板结构-CN201920664895.7有效
发明人：李飞;文妙清;刘绍云;宋跃云;涂兴长 -专利权人：东莞市银泰丰光学科技有限公司
申请日： 2019-05-10 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种改良型直下式玻璃扩散板结构，包括玻璃基板，所述玻璃基板的入光面设有LED模组，所述玻璃基板的两端面分别设有第一扩散油墨层、第二扩散油墨层，所述第一扩散油墨层靠向所述LED模组一侧设置，所述第二扩散油墨层远离所述玻璃基板的一端还设有OCA光学胶层、增光层，所述OCA光学胶层的折射率大于所述第二扩散油墨层的折射率，所述第二扩散油墨层的折射率大于所述玻璃基板的折射率，所述玻璃基板的折射率大于所述第一扩散油墨层的折射率本实用新型的改良型直下式玻璃扩散板结构，能够提高扩散板结构在垂直方向的出光效果，提高屏幕亮度。
油墨层玻璃基板折射率扩散扩散板结构本实用新型改良型直下式玻璃出光效果两端面入光面增光层屏幕

[发明专利]防扩散层状构件及其制备方法-CN99118705.9无效
发明人： C·德姆;C·马祖雷－埃斯佩霍 -专利权人：西门子公司
申请日： 1999-09-08 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： H01L21/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有材料层和防扩散材料组分扩散的屏障层的防扩散层状构件及其制备方法，该扩散屏障层布置在材料层的层边界区域，其中主要形成在材料层的颗粒边界内。
扩散层状构件及其制备方法

[发明专利]太阳能电池单元及其制造方法-CN201210049118.4在审
发明人：鹿野康行;杉渕康一;合田晋二;石川直挥 -专利权人：日本琵维吉咨询株式会社
申请日： 2012-02-29 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供的太阳能电池单元，由形成于单晶硅衬底的一个面上的p型扩散层；形成于另一个面上的n型扩散层；在p型扩散层上局部地形成的一个或多个电极；以及在n型扩散层上局部地形成的一个或多个电极构成，其中，在p型扩散层形成有多个高浓度p型扩散区域和位于这些高浓度p型扩散区域间的低浓度p型扩散区域，在n型扩散层形成有多个高浓度n型扩散区域和位于这些高浓度n型扩散区域间的低浓度n型扩散区域，电极邻接所述高浓度p型扩散区域及高浓度n型扩散区域而形成，表面发电能力为转换效率18%以上，形成有n型扩散层的另一个面中的转换效率为形成有p型扩散层的一个面中的转换效率的93%以上。
太阳能电池单元及其制造方法

[发明专利]P⁺PIN硅光电探测器-CN200710078673.9无效
发明人：潘银松;孔谋夫;林聚承;张仁富 -专利权人：重庆大学
申请日： 2007-07-02 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种P⁺PIN硅光电探测器，包括下部的N⁺层、中部的非掺杂本征层、上部含有P⁺型浓硼扩散层的硼扩散区，N⁺层的下表面设置有N型欧姆接触层，非掺杂本征层上端设有绝缘层，绝缘层上设置有与所述P⁺型浓硼扩散层接触的P型欧姆接触层，绝缘层上具有一个通过光刻形成的入射光窗口，硼扩散区位于该入射窗口的下方，非掺杂本征层位于N⁺层与硼扩散区之间，所述硼扩散区还包含有一P型淡硼扩散层，该P型淡硼扩散层位于非掺杂本征层与P⁺型浓硼扩散层之间，P⁺型浓硼扩散层的厚度小于P型淡硼扩散层的厚度。本发明减薄了高浓度掺杂层的P⁺型半导体中的死层，并使单位时间内耗尽区内的光生电子—空穴对数目得以增加，使得探测器的响应度得以提高。
sup pin 光电探测器

[发明专利]晶体硅太阳能电池扩散层及其制备方法-CN201811049971.X有效
发明人：冯雪;蒋晔;陈颖;付浩然;张柏诚;刘兰兰;王志建;邰艳龙;彭祖军 -专利权人：浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体硅太阳能电池扩散层及其制备方法，所述制备方法包括：提供硅片以及扩散源，其中所述扩散源包括扩散元素；采用打印方法将扩散源置于所述硅片上而形成预制层，所述预制层的厚度大于等于2μm；对带有所述预制层的硅片进行退火处理，使所述扩散元素扩散进入所述硅片中，以形成扩散层；以及采用刻蚀溶液去除所述硅片上残留的预制层。本发明的制备方法不受硅片厚度的限制，可实现扩散层的可控制备，不仅工艺简单、成本低，还可以保证硅片的完整性和工艺稳定性，可重复性好，得到的晶体硅太阳能电池扩散层的方阻为20Ω/□～110Ω/□，具有很好的实际应用价值
晶体太阳能电池扩散及其制备方法

[发明专利]改进的膜电极组件-CN201080010860.3无效
发明人：奥默尔·于恩萨尔;西格马尔·布罗伊宁格;维尔纳·乌尔班;詹妮弗·达尔;卢卡斯·蒙塔格;斯特凡·赫尔措格 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2010-03-03 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01M4/86 文献下载
摘要：本发明涉及一种膜电极单元，其包括至少一个含磷酸的聚合物电解质膜和至少一个气体扩散电极，其中所述气体扩散电极包括：i.至少一个催化剂层，以及ii.至少一个气体扩散介质，所述气体扩散介质具有至少两个气体扩散层，所述第一气体扩散层包括导电大孔层，其中所述孔的平均孔径范围为10μm至30μm，所述第二气体扩散层包括导电大孔层，其中所述孔的平均孔径范围为10μm至30μm，所述气体扩散介质包括聚四氟乙烯，所述第一气体扩散层具有比所述第二气体扩散层更高的聚四氟乙烯浓度
改进电极组件

[发明专利]扩散片组件、光束消散斑装置以及投影仪-CN202110937530.9有效
发明人：欧阳剑;徐旭升;张聪;胡震宇 -专利权人：深圳市火乐科技发展有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G03B21/14 文献下载
摘要：本公开涉及一种扩散片组件、光束消散斑装置以及投影仪，该扩散片组件沿光束穿设方向包括依次层叠的第一扩散片、固定层以及第二扩散片；第一扩散片通过第一弹性件连接于固定层，且第一弹性件能够沿平行于第一扩散片的方向发生变形，以能够使得第一扩散片相对于固定层移动；固定层设置有供光束穿设的第一透光部，且第一扩散片和第二扩散片与第一透光部相对设置；第二扩散片通过第二弹性件连接于固定层，且第二弹性件能够沿平行于第二扩散片的方向发生变形，以能够使得第二扩散片相对于固定层移动；驱动部用于驱动第一扩散片和第二扩散片沿不同的方向相对于固定层移动。该光束扩散片组件能够增加单位时间内扩散片的随机相位数量，消散斑效果好。
扩散组件光束消散装置以及投影仪

[实用新型]一种光学聚酯薄膜-CN201420344663.0有效
发明人：王猛;刘全;蒙钊;李珂;胡蓓 -专利权人：江苏裕兴薄膜科技股份有限公司
申请日： 2014-06-25 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： G02B1/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种光学聚酯薄膜，包括中部的反射层和位于反射层上下两侧的扩散层；所述扩散层的厚度是1-30微米；所述反射层分布有反射层粒子；所述扩散层分布有扩散性粒子，所述扩散性粒子的粒径是0.2-0.4微米；解决了光耗损严重，光饱和度低的问题；反射率更高、光扩散性能更好。
一种光学聚酯薄膜

[实用新型]导扩板-CN201520655444.9有效
发明人：王迅;钱扬群;褚福涛;梅业林 -专利权人：张家港康得新光电材料有限公司
申请日： 2015-08-27 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： G02B6/00 文献下载
摘要：该导扩板包括：扩散层与导光层，其中，扩散层包括扩散基底与扩散粒子，扩散粒子包括无机粒子与有机粒子；导光层设置在扩散层的表面上，导光层的远离扩散层的表面设置有导光点。该导扩板将扩散层与导光层集合为一体，解决了现有技术中的侧入式LED平板照明及成像显示系统与侧入式TV背光模组中导光板与扩散板安装不便的问题，同时导扩板在应用时仅需要两个保护膜，减少了保护膜的使用，降低了产品的应用成本另外，该导扩板的扩散层中同时包括无机粒子与有机粒子，这样的导扩板不仅具有良好的扩散效果，且成本较低，而且还具备较好的遮蔽性，能够更好地遮蔽产品中的缺陷。
导扩板