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[实用新型]毫米波行波管电子枪对栅工装夹具-CN201521122991.7有效
发明人：卢希跃;侯信磊;杨路路 -专利权人：安徽华东光电技术研究所
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： B23K37/04 文献下载
摘要：毫米波行波管电子枪对栅工装夹具，包括控栅组件、阴栅组件、底座、套筒和支架，其特征在于：所述底座带有中空阶梯孔，所述套筒为下部带有中空阶梯孔的阶梯形圆柱，所述套筒的阶梯形圆柱与所述底座的阶梯孔配合，所述套筒的阶梯形圆柱上部沿圆周均布有N个窗口；所述支架安装在套筒外，所述支架带有底盘，底盘内侧设有M个倒L形板片，所述支架底盘通过螺栓与底座连接，所述倒L形板片与套筒窗口错开排列；所述阴栅组件安装在套筒阶梯孔上，控栅组件与套筒空腔滑配并安装到阴栅组件上方；所述控栅组件上装配有销钉，所述支架倒L形板片上部设有螺钉，螺钉位于阴栅组件上部；所述N≥2，所述倒M≥2。
毫米波行波电子枪工装夹具

[发明专利]一种U形沟道的半导体器件及其制造方法-CN201310119651.8有效
发明人：刘伟;刘磊;王鹏飞;龚轶 -专利权人：苏州东微半导体有限公司
申请日： 2013-04-09 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明属于半导体存储器技术领域，具体涉及一种U形沟道的半导体器件，包括至少一个半导体衬底、一个源区、一个漏区、一个浮栅、一个控制栅、一个U形沟道区以及一个用于连接所述浮栅与所述漏区的栅控p‑n结二极管。本发明所提出的U形沟道的半导体器件用浮栅存储信息，并通过所述栅控p‑n结二极管对浮栅进行充电或放电，具有单元面积小、芯片密度高、对数据进行存储时操作电压低、数据保持能力强等优点。
一种沟道半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种U形沟道的半导体器件及其制造方法-CN201310111150.5无效
发明人：刘伟;刘磊;王鹏飞 -专利权人：苏州东微半导体有限公司
申请日： 2013-04-02 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明属于半导体存储器技术领域，具体涉及一种U形沟道的半导体器件，包括至少一个半导体衬底、一个源区、一个漏区、一个浮栅、一个控制栅、一个U形沟道区以及一个用于连接所述浮栅与所述漏区的栅控p-n结二极管。本发明所提出的U形沟道的半导体器件用浮栅存储信息，并通过所述栅控p-n结二极管对浮栅进行充电或放电，具有单元面积小、芯片密度高、对数据进行存储时操作电压低、数据保持能力强等优点。
一种沟道半导体器件及其制造方法

[发明专利]高集成度H形源漏栅辅控U形沟道高迁移率无结晶体管-CN201310597980.3有效
发明人：靳晓诗;刘溪;揣荣岩 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2013-11-20 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种高集成度H形源漏栅辅控U形沟道高迁移率无结晶体管，采用H形辅控栅电极和栅电极等两个彼此独立控制的栅电极，在保证降低器件掺杂浓度以提高迁移率，避免高掺杂浓度下随机散射效应增强所导致的器件迁移率及稳定性的下降的同时，利用H形辅控栅电极有效降低了源漏区域的电阻，从而解决了普通无结晶体管沟道掺杂浓度过低会带来源漏电阻的增加，而掺杂浓度过高又会导致器件迁移率和稳定性下降这二者之间的矛盾，同时采用U形单晶硅作为器件的沟道部分
集成度形源漏栅辅控沟道迁移率结晶体

[发明专利]高集成度日形源漏栅辅控U形沟道高迁移率无结晶体管-CN201310594264.X有效
发明人：靳晓诗;刘溪;揣荣岩 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2013-11-20 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种高集成度日形源漏栅辅控U形沟道高迁移率无结晶体管，采用日形辅控栅电极和栅电极等两个彼此独立控制的栅电极，在保证降低器件掺杂浓度的以提高迁移率，避免高掺杂浓度下随机散射效应增强所导致的器件迁移率及稳定性的下降的同时，利用日形辅控栅电极有效降低了源漏区域的电阻，从而解决了普通无结晶体管沟道掺杂浓度过低会带来源漏电阻的增加，而掺杂浓度过高又会导致器件迁移率和稳定性下降这二者之间的矛盾，同时采用U形单晶硅作为器件的沟道部分
集成度日形源漏栅辅控沟道迁移率结晶体

[发明专利]一种微流控芯片及夹具-CN201810435364.0有效
发明人：沈佐君;何晓东 -专利权人：安徽省立医院
申请日： 2018-05-09 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种微流控芯片及其夹具，包括硅基衬底和氮化硅层，其中，氮化硅层沉积在硅基衬底的上下两侧，氮化硅层图形化为多个构成阵列的栅形孔。成功将微滤与微流控技术相结合，并采用栅形孔设计替代微滤中常用的圆孔，通过仿真设计的3‑D栅形微纳芯片，并根据常见肿瘤细胞的物理特性，优化栅形结构参数、富集分离条件，相比于单独采用微滤或微流控技术，实现了不同类型稀有细胞的富集分离和转移
一种微流控芯片夹具

[发明专利]背栅全控型AlGaN/GaN异质结增强型功率HEMT器件及制备方法-CN202110084430.6有效
发明人：何云龙;马晓华;杨凌;王冲;郑雪峰;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种背栅全控型AlGaN/GaN异质结增强型功率HEMT器件及制备方法，其中HEMT器件包括：自下而上依次层叠设置的衬底、P‑GaN层、GaN沟道层和AlGaN势垒层；源电极，设置在AlGaN势垒层上的一侧；漏电极，设置在AlGaN势垒层上的另一侧，且与源电极相对设置；源电极与漏电极之间的部分厚度的衬底、P‑GaN层、GaN沟道层和AlGaN势垒层，形成鳍形结构；栅电极，位于源电极与漏电极之间，覆盖鳍形结构垂直于衬底的两个侧面以及鳍形结构的顶面，栅电极与P‑GaN层之间形成欧姆接触；栅介质层，设置在栅电极与鳍形结构之间。本发明的背栅全控型AlGaN/GaN异质结增强型功率HEMT器件，采用P‑GaN层与栅金属形成背栅的方式，调节AlGaN/GaN异质结栅极电场，有利于提高器件的击穿电压。
背栅全控型 algan gan 异质结增强功率 hemt 器件制备方法

[实用新型]栅控行波管阴极结构-CN201520251734.7有效
发明人：孟昭红;陈爱民;于晨晨;卞磊;王莹 -专利权人：安徽华东光电技术研究所
申请日： 2015-04-23 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： H01J23/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种栅控行波管阴极结构，所述栅控行波管阴极结构包括阴极基体(1)、热子(2)、杯形件(3)、绝热盖(4)和屏蔽套(5)；所述屏蔽套(5)套设于所述阴极基体(1)的外周壁上；所述杯形件(3)位于所述屏蔽套(5)内且一端与所述阴极基体(1)的一端相连接，另一端上设有绝热盖(4)；所述热子(2)的一端与所述杯形件(3)的内周壁相连，另一端贯穿所述绝热盖(4)延伸至所述屏蔽套(5)的内腔中；其中，所述杯形件(3)内填充有刚玉粉。该栅控行波管阴极结构具有优异的使用寿命。
行波阴极结构

[发明专利]ESD保护器件以及用于形成ESD保护器件的方法-CN201210005678.X有效
发明人：蔡铭宪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-01-05 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种器件，该器件包括信号输入端，该信号输入端与静电放电(ESD)保护器件电通信，其中，该ESD器件保护器件包括栅控二极管，该栅控二极管配置为多边形。
esd 保护器件以及用于形成方法

[发明专利]一种基于氧化物半导体沟道的鞍鳍形晶体管及其制备方法-CN202310411271.5在审
发明人：李调阳;陈鹏;王昊哲 -专利权人：福州大学
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出一种基于氧化物半导体沟道的鞍鳍形晶体管及其制备方法，晶体管包括微纳加工工艺制备出的绝缘衬垫，以及在绝缘衬垫上依次生长成型的沟道层、栅介质层及栅电极层；所述沟道层包括绝缘衬垫上的平面沟道层和立于平面沟道层上的鳍形沟道层；鳍形沟道层设有横向的鞍形凹槽结构，使沟道层呈鞍鳍形结构；沟道层表面的栅介质层处覆有栅电极层，栅电极层包括沟道层旁的侧栅电极层和凹槽结构槽内的凹槽栅电极层；所述沟道层、栅介质层、侧栅电极层、凹槽栅电极层组合为三栅结构；在鞍鳍形结构的方向上，三栅结构的前方、后方分别设置源电极层（9）、漏电极层（10）；本发明具有增强栅控能力和增大有效沟长和沟宽的优势。
一种基于氧化物半导体沟道鞍鳍形晶体管及其制备方法

[发明专利]一种集成栅控二极管的碳化硅MOSFET元胞版图结构-CN202210525778.9有效
发明人：顾航;高巍;戴茂州 -专利权人：成都蓉矽半导体有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成栅控二极管的碳化硅MOSFET元胞版图结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明采用分离栅设计，单片集成了栅控二极管；版图上将栅控二极管集成到了每一个MOSFET元胞内部，并且从图形上将栅控二极管与MOSFET的分离栅沟道设计为圆形，以解决分离栅边缘电场集中所带来的可靠性问题为了获得更高的沟道密度，将MOSFET的外侧沟道从版图上设计成六边形。相对于传统单片集成中将主副器件分别单独布局的方法，本发明的优点在于均匀的将主器件MOSFET和集成器件栅控二极管布置到了整个有源区，使得两种器件都获得更大的有效散热面积，提高了各自的电流能力和鲁棒性。
一种集成二极管碳化硅 mosfet 版图结构

[实用新型]一种双模多注行波管栅控电子枪-CN200720128695.7无效
发明人：吴华夏;方卫;沈旭东;鲍林丽;孟昭红;王昊;张鹏飞;马振京 -专利权人：安徽华东光电技术研究所
申请日： 2007-09-11 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： H01J23/06 文献下载
摘要：一种双模多注行波管栅控电子枪，属于微波真空电子器件领域，包括阴极组件、内筒、中筒、外筒形套装结构、电子枪绝缘体外壳和阳极，其特征在于，在只有一个控制栅极的单栅电子枪基础上，在紧贴阴极表面设置一个荫影栅，在荫影栅上方再依次设置含有栅网的第一控制栅极和第二控制栅极，荫影栅和两个控制栅极对中装配固定。该栅控电子枪用到双模多注行波管上，能使整管工作在两种功率输出模式。
一种双模行波管栅控电子枪

[发明专利]阀控式铅酸蓄电池及其制备方法-CN201610348877.9有效
发明人：张梦颖;赵玉阳;董书岭;吴涛;丁广波;陈默 -专利权人：淄博火炬能源有限责任公司
申请日： 2016-05-24 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01M10/12 文献下载
摘要：本发明属于铅酸蓄电池技术领域，具体涉及一种阀控式铅酸蓄电池及其制备方法。正板栅总厚度1.0mm～2.5mm，正极板厚度1.0mm～3.0mm；负板栅厚度0.6mm～2.0mm，负极板厚度0.6mm～2.5mm。正板栅栅筋截面为多边形，多边形的边数≥6，栅筋在厚度方向可变形0mm～0.5mm，使正板栅总厚度≥正板栅基厚(即铅带厚度)，正板栅基厚为0.9mm～2.0mm。本发明提高了阀控式铅酸蓄电池的短时率、高功率放电性能。本发明还提供其制备方法，克服了传统方法铸造大容量薄型板栅成型难的问题，也解决了现有技术生产效率较低、质量不均衡问题，及薄型极板涂膏、装配过程变形问题。
阀控式铅酸蓄电池及其制备方法

[发明专利]分立双方筒形栅内嵌U形沟道晶体管及其制造方法-CN201711050837.7有效
发明人：刘溪;夏正亮;靳晓诗 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明涉及分立双方筒形栅内嵌U形沟道晶体管及其制造方法，可实现源电极和漏电极之间的间距仅有1纳米的高集成金属氧化物半导体场效应晶体管。本发明采用方筒形栅电极，在U形单晶硅所形成的凹槽内部不引入栅电极的前提下，保证了栅电极对U形单晶硅沟道的控制能力。即提高集成度的同时保证了栅电极对沟道的控制能力。同时采用方筒形辅控栅电极和方筒形栅电极等两个彼此独立控制的栅电极，有效解决了普通无结晶体管沟道掺杂浓度过低会带来源漏电阻的增加，而掺杂浓度过高又会导致器件迁移率和稳定性下降这二者之间的矛盾，因此适用于推广应用
分立双方筒形栅内嵌沟道晶体管及其制造方法

[实用新型]一种栅控冷阴极X射线管-CN201520070131.7有效
发明人：张研;刘春毅;屈科 -专利权人：南京康众光电科技有限公司
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01J35/04 文献下载
摘要：栅控冷阴极X射线管，包括真空腔体、阳极组件、栅控电极、阴极组件，所述阳极组件包括阳极靶，阳极金属罩以及阳极连接柱，所述阳极靶、阳极金属罩和阴极组件封装在真空腔体内，阳极靶镶嵌在阳极金属罩内用于产生X射线，阳极靶平面的法线与阳极和阴极的连线具有一倾斜角度，倾斜角度为12±1°；阴极罩为金属，阴极罩上设有开孔位于阴极基底与阳极靶的连线上；高压通过阳极连接柱引入，作为栅控电极的阴极罩连接栅极引线，阴极基底连接阴极引线；在栅极引线和阴极引线引出的两条电极之间施加电压；阴极罩为柱筒形，包裹阴极组件，柱筒形顶端开孔；所述柱筒形顶端的开口形状是双层同心圆柱状，双层孔间距为1mm±0.1mm。
一种栅控冷阴极射线

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