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[发明专利]应力缓冲材料-CN200880105366.8有效
发明人：源岛文彦;坂元宏规;鞘师守 -专利权人：日产自动车株式会社;国立大学法人北见工业大学
申请日： 2008-09-11 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： C22C21/00 文献下载
摘要：％的Ca的含Ca铝合金而形成应力缓冲材料，从而能以低成本获得在各种领域进一步广泛利用、且具有超越了现有水平的低杨氏模量的应力缓冲材料。
应力缓冲材料

[实用新型]一种具有厚度调节结构的应力缓冲装置及应力缓冲结构-CN201821615981.0有效
发明人：肖立敉 -专利权人：肖立敉
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： E21D11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有厚度调节结构的应力缓冲装置及应力缓冲结构，涉及结构设计与建造技术领域，包括：应力缓冲部件，应力缓冲部件为密封充气垫，应力缓冲部件为立方体形；至少一根灌溶管，灌溶管铺设在应力缓冲部件内，灌溶管上设置有多个灌溶孔；灌溶立管，灌溶立管插设在应力缓冲部件上，并与灌溶管连通；灌溶液收集管，灌溶液收集管插设在应力缓冲部件上，灌溶液收集管的一端位于应力缓冲部件的外部，灌溶液收集管的另一端位于应力缓冲部件的内部本实用新型利用应力缓冲部件、灌溶管以及灌溶立管，避免建筑与地下岩质结构直接接触，为建筑施工时的应力缓冲提供帮助。
应力缓冲部件溶液收集立管厚度调节结构应力缓冲结构应力缓冲装置本实用新型建筑施工立方体形应力缓冲充气垫根灌溶孔岩质连通密封铺设地下建造外部帮助

[发明专利]半导体部件的应力缓冲封装-CN200780002987.9有效
发明人：亨德里克·P·胡切斯坦巴赫 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2007-01-18 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明涉及半导体部件的应力缓冲封装，其中，应力缓冲装置包括各自独立的应力缓冲元件，相互之间不影响应力缓冲效果。此外，本发明还涉及半导体部件的应力缓冲封装的制造方法。
半导体部件应力缓冲封装

[实用新型]一种具有应力缓冲结构的MEMS芯片-CN201821364288.0有效
发明人：华亚平 -专利权人：安徽北方芯动联科微系统技术有限公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有应力缓冲结构的MEMS芯片，由第一MEMS芯片和应力缓冲结构构成，应力缓冲结构通过中心埋氧与第一MEMS芯片的底板连接，所述的应力缓冲结构由连接区、应力缓冲弹簧和外框构成，应力缓冲弹簧位于外框和连接区之间，连接区的投影面积占第一MEMS芯片投影面积的1/10～1/3，应力缓冲结构上均布有释放孔，应力缓冲结构的外框边缘位于第一MEMS芯片边缘的投影区内，应力缓冲结构的横截面面积小于第一MEMS芯片的横截面面积本实用新型制造的具有应力缓冲结构的MEMS芯片的应力缓冲结构通过中心埋氧连接在MEMS芯片的底部，达到降低封装应力的目的，其优点在于工艺简单、芯片面积小、封装成品率高、成本低。
应力缓冲结构连接区投影本实用新型应力缓冲弹簧埋氧外框底板连接封装应力外框边缘成品率释放孔封装均布芯片制造

[实用新型]一种具有应力缓冲的冲压模具-CN202321145774.4有效
发明人：赵昕;赵汝全 -专利权人：福建省长泰昕圣机电有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B21D37/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了冲压模具相关技术领域的一种具有应力缓冲的冲压模具，包括下冲压模具箱和模型板，所述下冲压模具箱的上方设置有所述模型板，所述模型板的上平面四角位置加工有应力缓冲槽，所述下冲压模具箱上配套设置有上冲压模具箱，所述上冲压模具箱的底面四角位置安装应力缓冲柱，所述应力缓冲柱上套设安装有缓冲弹簧，所述应力缓冲槽和所述应力缓冲柱的位置一一对应。本实用新型的在冲压模具的上下模具箱上分别设置有应力缓冲槽和应力缓冲柱，通过应力缓冲柱上的缓冲弹簧可以对冲压模具头进行有效的缓冲，降低冲压过程中应力对冲压模具头的影响,上模具箱上配套设置有气泵，通过气动的方式实现冲压模具头的拆装
一种具有应力缓冲冲压模具

[发明专利]一种IC封装结构和IC封装方法-CN202010444402.6有效
发明人：王顺波;钟磊 -专利权人：甬矽电子(宁波)股份有限公司
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种IC封装结构和IC封装方法，涉及芯片封装领域，该IC封装结构包括：基板、贴装在基板上的应力缓冲片、贴装在应力缓冲片上的封装芯片、以及包覆在封装芯片外的塑封体，其中，封装芯片与基板电连接，应力缓冲片用于缓冲作用在封装芯片上的应力。相较于现有技术，本发明提供的IC封装结构，将应力缓冲片通过银胶贴装在基板上，封装芯片通过银胶贴装在应力缓冲片上。应力缓冲片具有一定的形变能力，利用应力缓冲片来缓冲作用在封装芯片上的应力，避免将封装芯片直接贴装在基板上，从而避免了由热膨胀系数不匹配导致的应力作用在正装封装芯片上，避免了应力引起封装芯片性能下降。
一种 ic 封装结构方法

[发明专利]一种固相键合装置-CN201811474606.3有效
发明人：陈诚;王英辉;陆阳婷 -专利权人：昆山微电子技术研究院
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种固相键合装置，在底座与压头之间设置有缓冲部件，缓冲部件的第二应力缓冲板朝向压头一侧表面具有朝向第一应力缓冲板的环形台阶面；第二待键合样品与第二应力缓冲板朝向底座一侧表面的第二压力区域相接触，在第二应力缓冲板朝向底座一侧表面具有呈环状包围第二压力区域的蠕变区域，第一应力缓冲板的硬度大于第二应力缓冲板，第二应力缓冲板的硬度小于第二待键合样品。在键合时，第二应力缓冲板与第二待键合样品边沿相接触的区域会发生蠕变，同时由于在键合时第二应力缓冲板可以在第二应力缓冲板朝向压头一侧表面的环形台阶面处发生蠕变，从而减小键合过程中待键合样品边沿处的应力集中
一种固相键合装置

[发明专利]圆片级芯片尺寸封装应力缓冲结构-CN201210011301.5无效
发明人：宁文果;罗乐;徐高卫 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2012-01-13 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明涉及一种圆片级应力缓冲结构，应用于圆片级芯片尺寸封装技术领域。包括芯片本体(1)、制作于芯片本体(1)硅基材正面的凹槽(2)、凹槽内填充的应力缓冲介质(3)，在应力缓冲介质上制作焊球(4)。其特征在于：在凹槽(2)内填充应力缓冲介质(3)。本发明的特点是改变传统应力缓冲层的缓冲介质的位置，将缓冲介质制作到硅基芯片里面，从而能起到缓冲应力的作用，而不增加封装结构厚度。
圆片级芯片尺寸封装应力缓冲结构

[发明专利]显示面板及其制作方法、显示装置-CN202110413936.7有效
发明人：远新新 -专利权人：合肥维信诺科技有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：显示面板包括：可折叠区；第一应力缓冲层；所述第一应力缓冲层包括第一应力缓冲结构，所述第一应力缓冲结构位于所述可折叠区内，所述第一应力缓冲结构包括形成于所述第一应力缓冲层上的多个凹槽；所述凹槽的内表面包括多个凸起部本发明实施例可以在显示面板折叠时缓冲膜层应力，从而减轻显示面板因折叠产生的折痕不平整现象，保证显示效果，提升用户体验。
显示面板及其制作方法显示装置

[实用新型]一种减轻晶圆切割应力破坏的晶圆结构-CN202020282316.5有效
发明人：王忠 -专利权人：上海灏谷集成电路技术有限公司
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种减轻晶圆切割应力破坏的晶圆结构，包括底座，所述底座的上端面固定连接有放置环，所述放置环上设有用于实现圆晶切割过程中减轻水平应力的第一应力缓冲机构，所述底座上设有用于实现圆晶切割过程中减轻竖直应力的第二应力缓冲机构，所述底座内设有缓冲槽，所述缓冲槽内设有用于警示圆晶切割过程中应力超过装置承载能力的警报机构。本实用新型结构合理，通过设置第一应力缓冲机构实现对于圆晶切割过程中水平方向的应力做缓冲抵消，通过设置第二缓冲机构实现对于圆晶切割过程中竖直方向的应力做缓冲抵消。
一种减轻切割应力破坏结构

[发明专利]阵列基板和显示面板-CN202110242949.2有效
发明人：任学超 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请提供一种阵列基板和显示面板，该阵列基板中的衬底与遮光层之间设有应力缓冲构件，应力缓冲构件用于降低衬底和遮光层的应力。本申请通过在衬底和遮光层之间设置应力缓冲构件，使得应力缓冲构件降低衬底和遮光层的应力，从而避免衬底和遮光层出现翘曲。
阵列显示面板

[实用新型]一种封装体结构及芯片器件-CN202223464877.5有效
发明人：谭小春 -专利权人：合肥矽迈微电子科技有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型申请公开了一种封装体结构及芯片器件，包括封装体和芯片，所述芯片的引脚处电性连接有线路层，所述封装体包封芯片和线路层，所述封装体的一侧表面凸出设置有焊盘，用以实现封装体内外的电路连接，所述芯片的表面设置有应力缓冲层，所述应力缓冲层形成芯片的表面包裹，所述应力缓冲层的膨胀系数小于封装体的膨胀系数，以缓冲封装体的应力，所述应力缓冲层表面平整，本实用新型申请通过在封装之前预先在芯片的表面形成一层平面形或者波浪形的应力缓冲层，应力缓冲层包裹芯片表面，且具有一定的厚度，既可以保证缓冲应力保护芯片，又可以减少翘曲成本可控，同时还可以保证机械强度，维持结构稳定，应力缓冲效果好。
一种封装结构芯片器件

[发明专利]导电连接结构-CN201710159756.4有效
发明人：林柏均 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开了一种导电连接结构，包括半导体基板、导电柱及应力缓冲层。导电柱位于半导体基板中。应力缓冲层位于半导体基板与导电柱之间。导电柱具有突出部贯穿应力缓冲层。此应力缓冲层可以减缓导电连接结构内部的应力。此外，导电连接结构可进一步包含位于突出部上且未与应力缓冲层接触的导线，当导电连接结构内产生应力时，若导电柱发生变形，导线不会被应力缓冲层拉扯而可避免导线发生金属疲劳，而促使本发明的导电连接结构有良好性能
导电连接结构

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN201510601332.X有效
发明人：陈建国;康冬亮;刘蓬 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，包括：提供一半导体基底，在半导体基底之上依次形成介质层和应力缓冲层，刻蚀介质层和应力缓冲层，然后淀积第一金属层，对第一金属层刻蚀后，进行退火工艺，之后在第一金属层制备钝化层以形成半导体器件其中，应力缓冲层的应力系数介于第一金属层的应力系数与介质层的应力系数之间。可以看出，在第一金属层与介质层之间间隔有应力缓冲层，而由于该应力缓冲层的应力系数在第一金属层的应力系数与介质层的应力系数之间，故该应力缓冲层能够在退火工艺中有效的缓冲第一金属层与介质层产生的应力差，进而有效的避免因退火而致使的金属脱落等缺陷的产生
一种半导体器件及其制备方法

[实用新型]一种具有应力缓冲结构的井盖-CN202221983678.2有效
发明人：牛鹏强 -专利权人：晋城市鹏博铸业股份有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： E02D29/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有应力缓冲结构的井盖，包括主体安置机构、应力缓冲机构和内层加固机构，所述主体安置机构的中部设置有应力缓冲机构，且应力缓冲机构的内部设置有内层加固机构。该具有应力缓冲结构的井盖，在承载受到压力时，会通过边缘扣让整体缓冲盖在主框架的槽口范围内进行下降滑动，从而将受到的压力和传递应力进行缓冲减少，当缓冲盖下降到一定位置后，底端四周分布的连接轴和连接架会同步倾斜旋转，其四组连接架会对缓冲盖四周底端的倾斜面进行支撑和应力传递，将作用力通过连接架另一端连接的连接轴传递至主框架周边，再分散至安置路面，从而达到应力缓冲的作用，避免井盖局部受到破坏影响使用安全。
一种具有应力缓冲结构井盖

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