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[发明专利]显示屏及显示装置-CN201811163041.7有效
发明人：陈磊;刘绰;芦宁;张晓龙;金慧娇;李鹏;卢丹 -专利权人：广州国显科技有限公司
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G09F9/33 文献下载
摘要：显示屏包括层叠的膜片，和处于相邻膜片之间的光学胶，在光学胶的厚度方向上，光学胶包括芯层和处于芯层两侧的两个表层，在两个表层中的任一个或两个中设有应力缓冲开口。应用本发明技术方案的显示屏，由于光学胶的表层设有应力缓冲开口，当显示屏朝向应力缓冲开口的一侧弯折时，应力缓冲开口能够形成应力缓冲区域，从而有效地释放显示屏的应力，避免造成显示不良，有利于应用。
显示屏显示装置

[发明专利]底部粗糙度减小的半导体部件的应力缓冲元件-CN200880100981.X有效
发明人：亨德里克·胡切斯坦巴赫 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2008-07-15 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于半导体部件的应力缓冲封装(49)，包括：半导体衬底(52)；I/O焊盘(54)，与半导体衬底(52)电连接；应力缓冲元件(74)，用于吸收应力，并且与I/O焊盘(54)电连接；凸点下金属层(70)，与应力缓冲元件(74)电连接；焊料球(60)，与凸点下金属层(70)电连接；焊料球(60)和半导体衬底(52)之间的金属元件(61)；钝化层(56、58)，保护半导体衬底(52)和金属元件(61)，并且至少部分地暴露出I/O焊盘(54)；其特征在于应力缓冲元件(74)和钝化层(56、58)之间界面的粗糙度比金属元件(61)和钝化层(56、58)之间界面的粗糙度更低。另外，本发明涉及用于制造半导体部件的应力缓冲封装(49)的方法。
底部粗糙减小半导体部件应力缓冲元件

[发明专利]一种具有AlN压力调制缓冲层的Si基GaN薄膜及制备方法-CN201710455644.3在审
发明人：于乃森;陈向丰;齐岩;赵海燕;董大朋 -专利权人：大连民族大学
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种具有AlN压力调制缓冲层的Si基GaN薄膜，该薄膜自下而上依次为Si衬底、AlN应力调制缓冲层、SiNx掩膜层及GaN外延层。其中AlN应力调制缓冲层是由两层200毫巴压力生长的AlN缓冲层夹着一层100毫巴条件生长的AlN缓冲层，该AlN缓冲层的总厚度为200‑500纳米且100毫巴条件生长的AlN缓冲层厚度为150‑200由于缓冲层的引入一方面促进了GaN三维岛状生长，提高了晶体的质量，同时生长的GaN其应力也比传统生长的单一缓冲层低，光学特性也有较大的提高，具有缺陷密度低、晶体质量好、残余应力低、光学性能优异等特点。
一种具有 aln 压力调制缓冲 si gan 薄膜制备方法

[发明专利]镜头模组-CN202110468492.7在审
发明人：王辉;李绍志;陈一诚;高秋实 -专利权人：豪威光电子科技（上海）有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G02B7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种镜头模组，包括镜片组、基板和缓冲层，所述镜片组通过所述缓冲层固定在所述基板上，所述缓冲层随着温度的升高由固态转变为半固态，半固态的所述缓冲层用于降低所述镜片组和基板之间的内应力。本发明通过缓冲层可以随温度的升高由固态转变为半固态，降低高温时所述镜片组和基板之间的整体的内应力，从而降低了所述镜片组和基板之间的内应力集中点的内应力，有利于降低镜片组因内应力造成的破裂的风险，提高了镜头模组的可靠性及光学品质
镜头模组

[发明专利]一种IGBT模块信号端子-CN202011418761.0在审
发明人：赵锐;方杰;翁嘉男;冯加云;赵凯;石廷昌;方赏华;贺新强;徐凝华;颜骥 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01R12/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种IGBT模块信号端子，包括Pin针本体，Pin针本体上设有肩部、应力缓冲部、限位部和底座，所述肩部设于Pin针本体的一端，所述应力缓冲部的一端与肩部连接，另一端与底座连接，所述应力缓冲部可沿Pin针本体延伸方向伸缩，所述限位部沿Pin针本体延伸方向的高度小于应力缓冲部的高度，两个所述限位部设于应力缓冲部的两侧，限位部的一端与肩部连接，另一端悬空于底座上方；本发明提供的IGBT模块信号端子能简化操作工序
一种 igbt 模块信号端子

[发明专利]阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法-CN202010356063.6有效
发明人：黄伟奇 -专利权人：云谷（固安）科技有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法包括：阳极、像素限定层、置于阳极与像素限定层之间并将阳极与像素限定层隔开的阳极应力缓冲层；上述的阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法，通过在阳极与像素限定层之间设置阳极应力缓冲层，吸收阳极折弯操作时的应力，避免应力在阳极上集中，同时通过阳极应力缓冲层将阳极与像素限定层隔开避免折弯时两者相互干扰，相互影响造成，形成应力二次受力影响，同时避免像素限定层将应力传递给阳极而造成阳极二次受力而折弯损坏
阵列显示面板制备方法

[发明专利]一种预应力缓冲耗能桥梁隔振支座-CN202110335698.2有效
发明人：王城泉;渠政;夏雨;邹昀;张震;张光磊;封剑森 -专利权人：江南大学
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： E01D19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种预应力缓冲耗能桥梁隔振支座，属于桥梁建筑技术领域。所述预应力缓冲耗能桥梁隔振支座包括缓冲耗能构件，所述缓冲耗能构件包括转轴，所述转轴上方设有旋转连接器，所述旋转连接器上方设有滚轮装置，滚轮装置上设有滑动滚轮；转轴下方设有一字型钢轴；转轴的轴上设有限位夹板，所述限位夹板的内部固定有预应力钢绞线；所述缓冲耗能构件上方连接有上支撑板，上支撑板的上方设有滑动板；缓冲耗能构件下方连接有下支撑板。本发明的预应力钢绞线能够提供支座恢复所需的应力，抵抗余震的伤害，水平方向既可以抵抗平动又可以抵抗转动，具有足够的耗能能力且具有良好的震后自复位功能，可以有效地消耗地震能量。
一种预应力缓冲耗能桥梁支座

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201811120461.7在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：在半导体结构的绝缘介质层中穿插有应力缓冲层，以反向制衡绝缘介质层的应力，避免在绝缘介质层的应力作用下导致基底发生翘曲的问题。并且，利用应力缓冲层还能够有效阻挡水汽侵入，一方面可以提高钝化层图形的精度，另一方面还可以避免应力缓冲层下方的膜层受到水汽侵蚀的问题。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]半导体结构-CN201821566621.6有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：在半导体结构的绝缘介质层中穿插有应力缓冲层，以反向制衡绝缘介质层的应力，避免在绝缘介质层的应力作用下导致基底发生翘曲的问题。并且，利用应力缓冲层还能够有效阻挡水汽侵入，一方面可以提高钝化层图形的精度，另一方面还可以避免应力缓冲层下方的膜层受到水汽侵蚀的问题。
半导体结构绝缘介质层应力缓冲层水汽本实用新型钝化层图形应力作用基底膜层翘曲穿插侵入阻挡侵蚀

[发明专利]三明治复合钎料及其制备方法和应用以及硬质合金器件-CN202010298198.1在审
发明人：钟素娟;董博文;程亚芳;董显;张冠星;董宏伟;常云峰;李胜男;张亮 -专利权人：郑州机械研究所有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： B23K35/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种三明治复合钎料及其制备方法和应用以及硬质合金器件，涉及焊接技术领域，三明治复合钎料，包括：片状应力缓冲材料，所述片状应力缓冲材料中设置有通孔；钎料合金层，所述钎料合金层包裹所述片状应力缓冲材料该三明治复合钎料的片状应力缓冲材料中的通孔可以起到缓释应力的作用，使得三明治复合钎料抗剪切、抗折弯和抗冲压等性能较好，便于制备大面积、复杂形状的预成型钎料。
三明治复合料及制备方法应用以及硬质合金器件

[发明专利]氮化物半导体元件及其制作方法-CN201710596729.3有效
发明人：卓昌正;陈圣昌;邓和清 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物半导体元件及其制作方法，所述元件包括：衬底，位于所述衬底上的应力调变层，位于所述应力调变层上的AlN缓冲层，依次位于所述缓冲层上的n型半导体层、有源层和p型半导体层，所述应力调变层的晶格常数大于所述AlN缓冲层，但不大于所述n型半导体层的晶格常数。通过在衬底与AlN缓冲层之间插入应力调变层，可以减少n型氮化物半导体层的压应力，进而改善材料晶体质量，提升发光效率。
氮化物半导体元件及其制作方法

[实用新型]一种电路板热应力测试装置-CN201820012956.7有效
发明人：甘世明;包晓艳;张乐乐 -专利权人：内蒙古工业大学
申请日： 2018-01-04 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： G01N25/00 文献下载
摘要：一种电路板热应力测试装置，包括热应力测试箱、设置于所述热应力测试箱内的压力传感器、位于所述热应力测试箱外侧的处理器装置、设置于所述热应力测试箱上方的缓冲装置、设置于所述缓冲装置上的移动装置、设置于所述缓冲装置右侧的控制装置本实用新型能够自动的将试验箱内的气体排出，使用便利，安全性高，同时在未排气之前可以对试验箱内的气压起到有效的缓冲作用，以便保持试验箱内气压的平衡，杜绝了安全事故的发生。
热应力缓冲装置测试箱电路板测试装置气压本实用新型处理器装置压力传感器安全事故保持试验缓冲作用控制装置移动装置排出试验排气测试便利平衡

[发明专利]用于氮化物生长的具有双缓冲层的外延片的制备方法-CN201610747324.0在审
发明人：王明洋;戴俊;李志聪;闫其昂;孙一军;王国宏 -专利权人：扬州中科半导体照明有限公司
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：用于氮化物生长的具有双缓冲层的外延片的制备方法，涉及半导体光电子器件制造领域，本发明首先利用有机化学气相沉积法（MOCVD）在衬底上原位生长AlxIn1‑xN层，形成第一缓冲层，可通过调配AlxIn1‑xN缓冲层原子组分，改良溅射式AlN缓冲层的应力，同时对AlN第二缓冲层产生一定张应力，调配AlN第二缓冲层与后续氮化物生长之间的晶格失配度，降低材料生长之间的应力，减少材料间的应力累积，改善材料生长的均一性
用于氮化物生长具有缓冲外延制备方法

[发明专利]一体化Pin针-CN202211615194.7在审
发明人：赵锐;方杰;冯加云;赵凯;贺新强;李亮星;徐凝华 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01R12/57 文献下载
摘要：本发明提供一种一体化Pin针，包括Pin针主体和底座，其中，Pin针主体与底座之间通过限位结构和缓冲结构连接，缓冲结构上靠近底座的部分位于底座的外侧。本发明提供的一体化Pin针，在结构上具有纵向应力缓冲结构，能对纵向应力进行缓冲，同时有纵向限位结构部分，在保证刚度的同时能承受一定的纵向应力，并且缓冲结构与底座连接的部分位于底座的外侧，可以避免应力缓冲方向在焊接底座上方以有效减小对焊接底座的影响
一体化 pin

[实用新型]一种柔性固定支架-CN201420596419.3有效
发明人：张乐 -专利权人：上海建安化工设计有限公司
申请日： 2014-10-15 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： F16L3/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种柔性固定支架，该支架由管道固定件、缓冲块(9)及基板组合件组成，所述的缓冲块(9)上端与管道固定件连接，下端与基板组合件连接，固定管道通过管道固定件固定，并通过缓冲块(9)连接至基板组合件所述的管道固定件将支架应力传递到缓冲块(9)上，缓冲块(9)在力的作用下产生弹性形变并对力进行吸收，支架应力通过缓冲块(9)减小，再经基板组合件将支架应力传递到管架基础上。本实用新型结构简单，易于加工制造，安装方便，与传统固定支架相比，支架应力通过缓冲块(9)减小再传递到管架基础上，这样能大大减小作用于底板(6)及管架基础上的局部应力，提高了管路系统工作的可靠性和安全性。
一种柔性固定支架