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[发明专利]一种氮化镓半导体外延及其制备方法与功率及射频器件-CN202210388011.6在审
发明人：游正璋;方照诒;黄博崇 -专利权人：闽都创新实验室
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：所述氮化镓半导体外延包括层叠设置的衬底、缓冲层和应力调节层；所述缓冲层包括半导体材料；所述半导体材料包括AlN和/或AlInN。本发明通过在衬底和应力调节层之间生长一层缓冲层，所述缓冲层中含有半导体材料，减缓了衬底与应力调节层间因晶格失配与热失配而产生的螺旋型与刃型位错，且减少了镓的回溶，从而提升了外延晶体的品质。
一种氮化半导体外延及其制备方法功率射频器件

[实用新型]一种显示面板及显示装置-CN201821234483.1有效
发明人：韩冰;张玄;甘帅燕;王徐亮;高峰 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种显示面板，包括：层叠设置的基底、显示单元，以及设置在所述基底和所述显示单元之间的缓冲结构；其中，所述缓冲结构包括：若干支撑单元和若干弹性颗粒，所述若干弹性颗粒位于所述若干支撑单元围合成的空间内通过在基底和显示单元之间设置包括支撑单元和弹性颗粒的缓冲结构，在柔性屏体受到应力作用时，弹性颗粒通过形变能够吸收和释放应力，支撑单元也能起到支撑显示单元和缓冲应力的效果，有效保护显示面板不受损坏。
弹性颗粒支撑单元缓冲结构显示面板基底本实用新型层叠设置柔性屏体显示装置应力作用形变围合成缓冲释放支撑吸收

[实用新型]一种多层EVA防水复合板材-CN202020125464.6有效
发明人：叶茂森 -专利权人：巢湖市三木缓冲材料有限公司
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： E21D11/38 文献下载
摘要：本实用新型适用于技术领域，提供了一种多层EVA防水复合板材，包括防水组件、填充组件、限位组件和减震组件，所述防水组件包括用于防水的EVA防水板，所述填充组件包括用于减轻内应力的填充板材，所述减震组件包括缓冲弹簧，所述缓冲弹簧一端固定连接填充板材，所述缓冲弹簧另一端固定安装滑板,本实用新型通过缓冲弹簧分散内应力，避免了板材连接处因为应力或者热胀冷缩导致的断裂，进而导致EVA防水板渗水的现象。
一种多层 eva 防水复合板材

[实用新型]一种电梯轿厢的缓冲装置及电梯-CN202122006483.4有效
发明人：王阿强;吴恩参;庄慕兴;陈文富 -专利权人：福建省中侨富士电梯有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： B66B5/28 文献下载
摘要：本申请涉及一种电梯轿厢的缓冲装置及电梯，包括承托件，所述承托件的上部安装有缓冲器，所述承托件下表面的面积大于所述缓冲器的下表面面积。本申请通过设置具有较大接触面积的承托件，以将缓冲器的冲击应力进行分散，从而减少应力集中对于底坑地板的损伤。
一种电梯缓冲装置

[发明专利]低应力高精度定位半导体激光单管芯片封装方法-CN201510692702.5在审
发明人：丛海兵;汪晓波 -专利权人：长沙青波光电科技有限公司
申请日： 2015-10-24 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低应力高精度定位半导体激光单管芯片封装方法，用于将单管芯片焊接于热沉基底的上部平面上，依次包括以下步骤：在热沉基底的上部平面的中间位置上放置一刚性结构板，该刚性结构板的向下投影小于该热沉基底的上部平面的向下投影；在该刚性结构板上放置受热能够熔化的应力缓冲层，该应力缓冲层的向下投影重合于该热沉基底的上部平面的向下投影；将该单管芯片放置于该应力缓冲层上；将前述部件整体放入真空回流焊接炉里面进行焊接，待该应力缓冲层熔化后
应力高精度定位半导体激光芯片封装方法

[发明专利]一种减小AlN晶体加工时切割应力的方法-CN202310513438.9在审
发明人：张雷;曹文豪;王国栋;王守志;俞娇仙;刘光霞;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明涉及氮化铝晶体生长加工领域，具体涉及一种减小AlN晶体加工时切割应力的方法。所述方法为：将作为缓冲层的中空圆柱体和AlN晶体均通过石蜡粘接到金属板上；然后向中空圆柱体内灌注胶水，使胶水完全包裹晶体；胶水凝固后，将金属板底部加热，石蜡融化后金属板脱落，得到待切割样品；对样品进行切割和边部修整本发明通过在AlN晶体外侧设置缓冲层来避免应力对晶体造成损伤；当切割线与晶体接触时产生高强应力，缓冲层能够逐渐将应力释放，并将应力逐渐过渡到晶体上，能够简单有效地保护晶体，防止晶体开裂，有利于切割出完整的AlN晶圆；缓冲层避免了切割线与晶体的直接接触，降低了切割线断线的概率，使得切割高效进行。
一种减小 aln 晶体工时切割应力方法

[发明专利]接合垫结构-CN200510073527.8有效
发明人：黄泰钧;姚志翔;万文恺 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-06-02 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：集成电路晶片的接合垫结构中，有一应力缓冲层介于接合垫层与最上层内连线层的金属层之间，以避免晶圆的探针测试与封装撞击对接合垫所造成的破坏。该应力缓冲层为一导电材料，其杨氏模数、硬度、强度或坚韧度大于最上层内连线层的金属层或该接合垫层的杨氏模数、硬度、强度或坚韧度。为改善粘合与接合的强度，可将应力缓冲层的底部修改为各种不同形式，如嵌于保护层的环状、网状或连锁栅格结构，在应力缓冲层中可以有多个孔洞，其由接合垫层将之填满。本发明所述接合垫结构，提供较佳的机械完整性。可避免应力造成的失效与接垫剥离的问题，而大大增加接合的可靠度。
接合结构

[发明专利]孤岛型再布线芯片封装结构-CN200910027452.8无效
发明人：张黎;陈栋;曹凯;陈锦辉;赖志明 -专利权人：江阴长电先进封装有限公司
申请日： 2009-05-11 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：它包括芯片本体(101)、芯片电极(102)、芯片表面钝化层(103)、孤岛应力缓冲层(104)、再布线金属层(105)、再布线金属表面保护层(106)和应力缓冲层上焊料凸点(107)，所述芯片电极(102)设置在芯片本体(101)上，芯片表面钝化层(103)复合在芯片本体(101)表面以及芯片电极(102)外缘和表面外周边，所述孤岛应力缓冲层(104)设置在芯片表面钝化层(103)上，所述再布线金属表面保护层(106)覆盖在再布线金属层(105)的表面，所述应力缓冲层上焊球凸点(107)凸出设置在所述凸点下金属层(105A)表面。本发明芯片封装结构可以降低芯片芯片应力和圆片加过程的漏电流风险，提高芯片在使用中的可靠性能。
孤岛布线芯片封装结构

[实用新型]新型孤岛型再布线芯片封装结构-CN200920039063.2有效
发明人：张黎;陈栋;曹凯;陈锦辉;赖志明 -专利权人：江阴长电先进封装有限公司
申请日： 2009-05-11 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：它包括芯片本体(101)、芯片电极(102)、芯片表面钝化层(103)、孤岛应力缓冲层(104)、再布线金属层(105)、再布线金属表面保护层(106)和应力缓冲层上焊料凸点(107)，所述芯片电极(102)设置在芯片本体(101)上，芯片表面钝化层(103)复合在芯片本体(101)表面以及芯片电极(102)外缘和表面外周边，所述孤岛应力缓冲层(104)设置在芯片表面钝化层(103)上，所述再布线金属表面保护层(106)覆盖在再布线金属层(105)的表面，所述应力缓冲层上焊球凸点(107)凸出设置在所述凸点下金属层(105A)表面。本实用新型芯片封装结构可以降低芯片芯片应力和圆片加过程的漏电流风险，提高芯片在使用中的可靠性能。
新型孤岛布线芯片封装结构

[实用新型]一种柴油机曲轴、柴油机以及农机-CN202021297932.4有效
发明人：潘洪玉;郑和瑞;温殿敏;肖建 -专利权人：江苏常发农业装备股份有限公司
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： F16C3/12 文献下载
摘要：两平行设置的曲柄臂，任一所述曲柄臂为轴对称结构；连杆轴，两端分别与两所述曲柄臂相对的内侧面相连接；两同轴设置的主轴，分别与两所述曲柄臂相连接，与所述连杆轴偏心设置；两曲柄臂在临近连杆轴处的内侧面上分别设置有应力缓冲槽，任一应力缓冲槽关于其所处的曲柄臂的对称轴呈轴对称设置，任一应力缓冲槽沿曲柄臂宽度方向自对称轴的两侧延伸且槽深逐渐增加。本实用新型通过设置应力缓冲槽，分散连杆轴与曲柄臂连接处的应力，提高曲轴强度。
一种柴油机曲轴以及农机

[实用新型]半导体器件封装结构-CN202120951448.7有效
发明人：李晓锋;招景丰 -专利权人：浙江里阳半导体有限公司
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：一种半导体器件封装结构，包括二极管芯片外侧依次具有应力缓冲层、散热层和金属电极，焊接面和散热层之间设置有应力缓冲层，由于没有将二极管芯片表面直接与散热层连接，而是通过应力缓冲层连接，使得在烧结或者发热使得散热层所出现的内应力不直接作用在二极管芯片上，而是作用在应力缓冲层上，这样一方面使得在制造二极管器件的烧结过程中不至于造成芯片碎裂，提高了器件制造的一致性，另一方面避免在使用过程中器件的发热散热导致损坏芯片的情况，提高使用过程中器件的可靠性和稳定性
半导体器件封装结构

[发明专利]具有应力降低的缓冲结构的半导体结构-CN201580015794.1有效
发明人： M·S·沙塔洛夫;杨锦伟;A·多布林斯基;M·舒尔;R·加斯卡 -专利权人：传感器电子技术股份有限公司
申请日： 2015-02-23 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：提供了包含缓冲结构和邻近该缓冲结构的第一面形成的一组半导体层的半导体结构。该缓冲结构能够具有有效的晶格常数以及厚度使得该组半导体层内的总体应力在室温下为压缩性的并且在大约0.1GPa和大约2.0GPa之间的范围内。能够使用一组生长参数来生长该缓冲结构，该组生长参数经选择以实现目标有效的晶格常数a，控制在该缓冲结构的生长过程中存在的应力，和/或控制在冷却该半导体结构后存在的应力。
具有应力降低缓冲结构半导体

[发明专利]发光二极管的外延片及其制作方法-CN201811608439.7有效
发明人：陶章峰;张武斌;程金连;乔楠;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：该外延片包括衬底和依次形成在衬底上的AlN缓冲层、BxAl1‑xN缓冲层、三维成核层、二维缓冲恢复层、u型GaN层、n型GaN层、应力释放层、发光层和p型层。通过在AlN缓冲层和三维成核层之间形成BxAl1‑xN缓冲层，通过调节BxAl1‑xN缓冲层中B的组分含量，可以使BxAl1‑xN缓冲层较好的与AlN缓冲层和三维成核层的晶格相匹配由于B的原子尺寸较小，在设置BxAl1‑xN缓冲层后，可以形成与AlN缓冲层的应力方向相反的应力，从而降低由于AlN缓冲层的应力导致的外延片翘曲
发光二极管外延及其制作方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110943386.X有效
发明人：陈敏腾 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：衬底，所述衬底内形成有接触孔；在所述接触孔内沉积缓冲层；在所述缓冲层表面沉积应力层；在所述应力层表面沉积填充层，所述应力层对所述填充层施加压应力
半导体结构及其形成方法

[发明专利]具有简单保护结构的半导体器件及其制造过程-CN98120288.8无效
发明人：木村直人 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1998-10-14 - 公布日： 1999-04-21 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一个半导体集成电路器件在半导体芯片和球栅阵列之间有一个保护结构,并且该保护结构具有一个粘合在半导体芯片表面的薄的聚酰亚胺膜以及一个覆盖在连接表面焊盘与球栅阵列之间的导电带上的厚的应力缓冲层;当热应力施加在球栅阵列上时,厚的应力缓冲层可使所述球栅阵列移动以吸收该热应力。
具有简单保护结构半导体器件及其制造过程