“存储层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3918870个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]包括自旋轨道转矩线的半导体器件-CN201910733076.8在审
发明人：朴正宪;金晥均;李俊明;郑峻昊;皮雄焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：半导体器件可以包括在衬底上的第一存储单元和在衬底上并且邻近第一存储单元的第二存储单元。第一存储单元可以包括：第一参考层；第一存储层；在第一参考层和第一存储层之间的第一隧道层；以及与第一存储层接触的第一自旋轨道转矩(SOT)线。第二存储单元可以包括：第二参考层；第二存储层；在第二参考层和第二存储层之间的第二隧道层；邻近第二存储层的第二SOT线；以及在第二存储层和第二SOT线之间的增强层。
包括自旋轨道转矩半导体器件

[发明专利]数据存储系统、方法、装置、电子设备及计算机存储介质-CN202010606130.5在审
发明人：郑博文;李飞飞;张浩然;陈浩;肖学武;潘岳;李鑫 -专利权人：阿里巴巴集团控股有限公司
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： G06F16/28 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种数据存储系统及方法，其中，所述数据存储系统包括：第一存储层和第二存储层；其中，所述第一存储层为非共享存储层，所述非共享存储层用于根据接收的联机分析处理写操作指令暂存写入的数据，以及，根据联机分析处理读操作指令将热点数据读取入非共享存储层的缓存中；所述第二存储层为共享存储层，用于根据所述第一存储层的写入指令将所述第一存储层中写入的数据进行持久化存储，以及，根据所述第一存储层的读取指令向所述第一存储层发送所述读取指令所指示的数据通过本发明实施例，实现了低成本且高效的OLAP的数据存储。
数据存储系统方法装置电子设备计算机存储介质

[发明专利]存储元件和存储器件-CN201110253669.8有效
发明人：山根一阳;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;内田裕行;浅山徹哉 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-08-30 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了存储元件和存储器件。该存储元件，包括具有垂直于膜面的磁化且其磁化方向对应于信息而改变的存储层；具有垂直于膜面且成为存储在存储层中的信息的基准的磁化的磁化固定层；设置在该存储层和该磁化固定层之间并由非磁性层构成的绝缘层，其中，沿具有该存储层、该绝缘层和该磁化固定层的层结构的层压方向注入自旋极化电子，从而磁化方向改变，并对该存储层执行信息的记录，该存储层接收的有效抗磁场的强度小于该存储层的饱和磁化量。
存储元件器件

[发明专利]存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备-CN201610872907.6有效
发明人：朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：公开了一种存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备。根据实施例，存储器件可以包括在衬底上依次叠置的多个存储单元层，每一存储单元层包括存储单元的阵列，各存储单元层中的存储单元沿着存储单元层的叠置方向彼此实质上对准。每个存储单元包括：依次叠置的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，其中，沟道层包括与第一、第二源/漏层不同的半导体材料；以及绕沟道层的外周形成的存储栅堆叠。同一存储单元层中各存储单元的存储栅堆叠成一体。对于各存储单元，其第一源/漏层与下层的相应存储单元的第二源/漏层一体，其第二源/漏层与上层的相应存储单元的第一源/漏层一体。
存储器件及其制造方法包括电子设备

[发明专利]存储单元及其制造方法、具有存储单元的半导体器件-CN202210396003.6在审
发明人：林毓超;陈佑升;卡罗斯·H·迪亚兹;邱大秦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明实施例是有关于一种存储单元、具有存储单元的半导体器件及制造存储单元的方法。一种存储单元包括底部电极、存储元件层、第一缓冲层以及顶部电极。存储元件层设置在底部电极之上。第一缓冲层插入在存储元件层与底部电极之间，其中第一缓冲层的热导率小于存储元件层的热导率。顶部电极设置在存储元件层之上，其中存储元件层设置在顶部电极与第一缓冲层之间。
存储单元及其制造方法具有半导体器件

[发明专利]存储元件和存储装置-CN201210129098.1无效
发明人：别所和宏;细见政功;大森广之;肥后丰;山根一阳;浅山徹哉;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及存储元件和存储装置，其中，该存储元件包括：存储层，基于磁性材料的磁化状态来存储信息；磁化固定层，具有用作存储在存储层中的信息的基准的磁化；中间层，由非磁性材料形成，并且介于存储层和磁化固定层之间；保护层，被设置为与存储层相邻并且在中间层的相反侧；以及金属保护层，被设置为与保护层相邻并且在存储层的相反侧。
存储元件装置

[发明专利]利用存储层的邻近层的存储数据的介质和方法-CN02148297.7无效
发明人： G·A·吉布森;A·查尔肯 -专利权人：惠普公司
申请日： 2002-10-31 - 公布日： 2003-05-14 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：一种数据存储单元包括具有多个存储区45的数据存储层42，其上设置有在多种状态间变化的介质以便写入和读出信息。光束发射器阵列43在极靠近数据存储层42处与其隔开。存储层邻近的层LASL47对光束作出响应产生载流子。把光束46射向数据存储层42来读出数据。数据存储层42上的介质，根据存储介质的状态，或影响载流子的产生，或在LASL47产生载流子后改变载流子输送。由穿过半导体结(44/47界面)输送的载流子或在电极之间光电导区64中输送的载流子数目来确定数据存储区中是否存在数据。
利用存储邻近数据介质方法

[发明专利]存储器装置及其制造方法-CN201910977809.2在审
发明人：杨怡箴;张耀文;吴冠纬 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器装置及其制造方法，存储器装置包含半导体衬底、叠层结构、电荷存储结构、势垒层、隧穿层及半导体层。叠层结构配置在半导体衬底的主表面上，且包含彼此交替叠层的多个导电层及多个绝缘层。电荷存储结构包含多个弯折存储结构或多个分离的存储区段，弯折存储结构或分离的存储区段与导电层的侧壁相对，其中各弯折存储结构或各分离的存储区段，在平行主表面的一方向上实际上对准对应的导电层。势垒层至少有一局部夹置在导电层与弯折存储结构之间或者导电层与分离的存储区段之间。隧穿层配置在弯折存储结构上或分离的存储区段上。导体层配置在隧穿层上。
存储器装置及其制造方法

[发明专利]存储元件和存储设备-CN201110249775.9在审
发明人：别所和宏;细见政功;大森广之;肥后丰;山根一阳;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了存储元件和存储设备。该存储元件包括存储层，通过磁性材料的磁化状态保持信息；磁化固定层，具有作为存储在存储层中信息的基准的磁化；以及中间层，由非磁性材料形成并设在存储层和磁化固定层之间。利用根据在具有存储层、中间层和磁化固定层的层结构的层压方向上流动的电流产生的自旋矩磁化反转对存储层的磁化进行反转以执行信息存储，存储层包括含有Fe和Co中至少一种的合金区域，以及存储层在其磁化反转期间接收的有效反磁场的大小小于存储层的饱和磁化量
存储元件设备

[发明专利]一种动态调整数据库存储信息的方法和系统-CN202111201408.1在审
发明人：李建辉;张贺东;张文件;陈栋;罗春;李春;魏兴华;吴炎;臧冰凌 -专利权人：杭州沃趣科技股份有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G06F9/50 文献下载
摘要：本发明涉及数据库技术，公开了一种动态调整数据库存储信息的方法和系统；其方法包括，数据库存储层的迁移，通过压缩比抽样探测法确定数据库存储层ASM的压缩比，确定数据库存储层，并将确定后的数据库存储层进行迁移；中间存储层创建，通过软件创建中间存储层；且中间存储层位于物理存储层和迁移后的数据库存储层中间；数据库存储层信息的调整，中间存储层对确定压缩比后的数据库存储层的存储信息进行调整。通过对ASM进行要压缩比抽样探测，其对于上层的应用无改动无感知；通过中间存储层实现对数据库存储层存储信息的动态调整，能更加高效的利用存储硬件，减少数据库在存储层面的开销，满足业务的要求。
一种动态调整数据库存储信息方法系统

[发明专利]存储装置、存储介质以及存储介质的制造方法-CN200810212622.5无效
发明人：冈田诚;山川荣进;水户部善弘 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2008-08-25 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： G11B5/725 文献下载
摘要：存储装置、存储介质以及存储介质的制造方法。根据一个实施方式的一个方面，一种存储装置包括存储介质，该存储介质具有基板、存储信息的存储介质层、在该存储介质层的第一区域上的第一润滑层，以及在该存储介质层的第二区域上的第二润滑层，该第二润滑层的粘度低于第一润滑层该存储装置还包括用于将信息写入存储介质层或从存储介质层读取信息的读写头。
存储装置介质以及制造方法

[发明专利]存储元件、存储元件制造方法和存储装置-CN201110399205.8有效
发明人：清宏彰;保田周一郎 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-12-05 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开了存储元件、存储元件制造方法和存储装置，所述存储元件能够抑制由于存储层的劣化而导致的存储特性变差。所述存储元件包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极。所述存储层包括含有氟化物的电阻变化层以及布置于所述电阻变化层与所述第二电极之间的离子源层。或者，所述存储层包括位于所述第一电极侧的电阻变化层以及布置于所述电阻变化层与所述第二电极之间的离子源层，并且所述第一电极含有氟或磷。所述存储元件制造方法包括下列步骤：形成含有氟或磷的第一电极；在所述第一电极上依次设置电阻变化层和离子源层，由此形成存储层；以及在所述存储层上形成第二电极。所述存储装置包括脉冲施加部和多个上述存储元件。
存储元件制造方法装置

[发明专利]存储元件和存储器-CN200710198739.8有效
发明人：肥后丰;细见政功;大森广之;山元哲也;山根一阳;大石雄纪;鹿野博司 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-12-12 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储元件和存储器，其中，存储元件包括存储层、磁化固定层、自旋阻挡层、和自旋吸收层。存储层基于磁性材料的磁化状态来存储信息。通过隧道绝缘层对存储层设置磁化固定层。自旋阻挡层抑制自旋极化电子的扩散，并被设置在存储层与磁化固定层相对的一侧上。自旋吸收层由引起自旋抽运现象的非磁性金属层形成，并被设置在自旋阻挡层与存储层相对的一侧上。通过使电流沿层压方向流动注入自旋极化电子来改变存储层中的磁化方向，从而将信息记录在存储层中，并且自旋阻挡层包括从氧化物、氮化物、氟化物中选出的至少一种材料。
存储元件存储器

[发明专利]具有降低的阈值电压偏移的三维存储器器件编程-CN202180000115.9在审
发明人：宋雅丽;赵向南;闵园园;游开开 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：一种三维(3D)存储器器件，可以包括第一组存储器层、在第一组存储器层上方的第二组存储器层、以及在第一组存储器层与第二组存储器层之间的第一虚设存储器层。3D存储器器件还可以包括NAND存储器串，其均延伸穿过第一组存储器层、第二组存储器层和第一虚设存储器层。3D存储器器件还可以包括外围电路，其被配置为循序地对第一组存储器层中的每一个存储器层进行编程，并且然后循序地对第二组存储器层中的每一个存储器层进行编程。外围电路可以包括字线(WL)驱动电路，其被配置为：在对第一组存储器层中的第一存储器层进行编程时，在与第一存储器层相关联的预充电周期期间，将第一预充电电压施加到第一虚设存储器层；以及在对第一组存储器层中的位于第一存储器层上方的第二存储器层进行编程时，在与第二存储器层相关联的预充电周期期间，将第二预充电电压施加到第一虚设存储器层。
具有降低阈值电压偏移三维存储器器件编程

[发明专利]一种文件存储系统及文件存储方法-CN201811191994.4在审
发明人：李甫 -专利权人：量子云未来（北京）信息科技有限公司
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： G06F16/182 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种文件存储系统及文件存储方法，其中，所述系统包括应用层、接口适配层和存储层；接口适配层创建于应用层和存储层之间，将与两种或两种以上的文件存储方式匹配的文件存储系统的对应接口封装至接口适配层，接口适配层用于根据检测到的当前存储服务器对应的存储模式调用至与当前存储模式匹配的存储接口上；存储层用于进行与当前存储接口匹配的存储处理。本发明的方案，利用接口适配层自动匹配存储模式，根据匹配出的存储模式切换至相应的接口，并进行与当前存储接口匹配的存储处理；做到了：各种存储方式即插即用，不需要对现有的程序进行改动。
接口适配层存储模式匹配文件存储系统存储接口文件存储存储层存储处理应用层存储服务器存储方式即插即用接口封装自动匹配调用检测创建