“皮雄焕”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果30个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]磁存储器件-CN202310269236.4在审
发明人： S·P·帕金;田在春;A·米格里奥里尼;皮雄焕 -专利权人：三星电子株式会社;马克斯-普朗克科学促进协会
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：一种磁存储器件包括在第一方向上延伸的导电线以及在导电线的顶表面上在第一方向上延伸的磁轨线。导电线可以包括在第二方向上具有第一宽度的第一区域以及在第二方向上具有第二宽度的第二区域。第一方向和第二方向平行于导电线的顶表面并且彼此垂直。第二宽度可以大于第一宽度。磁轨线包括在导电线的第一区域上在第一方向上排列的第一畴以及在导电线的第二区域上在第一方向上排列的第二畴。每个第二畴的尺寸可以小于每个第一畴的尺寸。
磁存储器

[发明专利]磁存储器装置和控制其畴尺寸的方法-CN202310169758.7在审
发明人：斯图尔特·帕普沃思·帕金;田在春;安德烈亚·米廖里尼;皮雄焕 -专利权人：三星电子株式会社;马克斯-普朗克科学促进协会
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：提供磁存储器装置和控制磁存储器装置的畴尺寸的方法。磁存储器装置可包括：磁轨，其在第一方向上延伸；以及第一电极，其设置在磁轨的偏置点处并且被配置为向磁轨施加电压。磁轨包括在磁轨的第一端与偏置点之间的第一区域以及在偏置点与磁轨的第二端之间的第二区域。第一电极可被配置为导致第一区域中的电流密度与第二区域中的电流密度之间的差异。
磁存储器装置控制尺寸方法

[发明专利]磁存储器件-CN202211477599.9在审
发明人： S.P.帕金;梁时熏;尹智湖;皮雄焕 -专利权人：三星电子株式会社;马克斯-普朗克科学促进协会
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：一种磁存储器件包括在第一方向上延伸的导线以及在导线上在第一方向上延伸的磁道。磁道包括：顺序堆叠于导线上的下磁层、间隔层和上磁层，以及在间隔层上且邻近上磁层的侧面的非磁图案。非磁图案与下磁层的一部分垂直重叠。下磁层和上磁层通过间隔层彼此反铁磁耦合。
磁存储器

[发明专利]磁存储器件-CN202211471280.5在审
发明人：尹智湖;梁时熏;S.P.帕金;皮雄焕 -专利权人：三星电子株式会社;马克斯-普朗克科学促进协会
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种磁存储器件包括在第一方向上延伸的磁道。磁道包括下磁性层、在下磁性层上的上磁性层、在下磁性层上并且在上磁性层的一侧的非磁性图案、以及在下磁性层和上磁性层之间并且在下磁性层和非磁性图案之间延伸的间隔物层。下磁性层和上磁性层通过间隔物层彼此反铁磁耦合。非磁性图案具有在垂直于第一方向的第二方向上彼此相反的第一表面和第二表面。非磁性图案和上磁性层之间的接合表面相对于与第一表面和第二表面垂直的参考表面倾斜。
磁存储器

[发明专利]磁存储器件-CN202211474372.9在审
发明人： S.P.帕金;梁时熏;尹智湖;皮雄焕 -专利权人：三星电子株式会社;马克斯-普朗克科学促进协会
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本公开提供了磁存储器件。一种磁存储器件可以包括在第一方向上延伸的磁轨。磁轨可以包括在第一方向上延伸的下磁性层、在下磁性层上在第一方向上延伸的上磁性层、在下磁性层和上磁性之间在第一方向上延伸的间隔物层以及穿透上磁性层并在间隔物层上的非磁性图案。非磁性图案具有与上磁性层的第一部分接触的第一结表面以及与上磁性层的第二部分接触的第二结表面。下磁性层和上磁性层通过间隔物层而彼此反铁磁耦合。
磁存储器

[发明专利]包括磁电阻器的处理装置-CN202210676692.6在审
发明人： 皮雄焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种处理装置包括：位单元阵列，所述位单元阵列包括至少一个位单元线，所述至少一个位单元线包括彼此串联电连接的多个位单元，其中所述多个位单元中的每一个包括：第一磁电阻器，所述第一磁电阻器被配置为基于磁畴壁的位置的移动存储第一电阻值；第二磁电阻器，所述第二磁电阻器被配置为存储第二电阻值，其中所述第二电阻值等于或小于所述第一电阻值；第一开关元件，所述第一开关元件被配置为切换施加到所述第一磁电阻器的电信号；以及第二开关元件，所述第二开关元件被配置为切换施加到所述第二磁电阻器的电信号。
包括磁电处理装置

[发明专利]存储装置及其制造方法-CN202110184630.9在审
发明人：李炅奂;金容锡;金森宏治;皮雄焕;金炫哲;柳成原;洪载昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：一种存储装置包括：磁性轨道层，所述磁性轨道层在衬底上延伸，所述磁性轨道层具有二维绒毛状的折叠结构；多个读取单元，所述多个读取单元包括多个固定层和位于所述磁性轨道层与所述多个固定层中的每个固定层之间的隧道势垒层；和多条位线，所述多条位线在所述多个读取单元中的不同的读取单元上延伸，所述多个读取单元位于所述磁性轨道层与所述多条位线中的相应的位线之间。
存储装置及其制造方法

[发明专利]磁存储器件-CN202011037720.7在审
发明人： 皮雄焕;李同规 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：一种磁存储器件包括：在第一方向上延伸的导电线；在导电线上在与第一方向交叉的第二方向上延伸的磁性线，磁性线与导电线交叉；以及设置在导电线和磁性线之间的磁性图案。磁性图案具有在第一方向上彼此相反的第一侧壁和在第二方向上彼此相反的第二侧壁。磁性图案的第二侧壁分别与导电线的彼此相反的侧壁对准。
磁存储器

[发明专利]包括磁隧道结的磁存储器件-CN202011058111.X在审
发明人：李成喆;金洸奭;李将银;皮雄焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种磁存储器件可以包括垂直磁性结构、面内磁性结构、在垂直磁性结构与面内磁性结构之间的自由磁性图案以及在垂直磁性结构与自由磁性图案之间的隧道势垒图案。垂直磁性结构可以包括具有被钉扎到特定方向的垂直磁化方向的至少一个被钉扎图案，并且自由磁性图案可以具有可切换的垂直磁化方向。面内磁性结构可以包括第一磁性图案和第二磁性图案，并且第一磁性图案和第二磁性图案中的每个可以具有不同的各自的面内磁化方向。
包括隧道磁存储器

[发明专利]其中有多个磁性层的磁存储器件-CN202010816531.3在审
发明人：李成喆;皮雄焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种磁存储器件包括在第一方向上延伸的第一磁性层、在第一磁性层上并与第一磁性层平行地延伸的第二磁性层、以及在第一磁性层和第二磁性层之间延伸的导电层。第一磁性层包括第一区域，该第一区域具有沿第一方向在第一旋转方向上取向的磁矩。第二磁性层包括第二区域，该第二区域具有沿第一方向在第二旋转方向上取向的磁矩。第二旋转方向不同于第一旋转方向。
其中有多个磁性磁存储器

[发明专利]磁性存储器件-CN202010818608.0在审
发明人： 皮雄焕;李成喆;李将银 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种磁性存储器件包括：第一单元阵列结构，其包括在平行于衬底的顶表面的第一方向上延伸且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开的第一自由磁性图案和第二自由磁性图案；以及第二单元阵列结构，其包括在第一自由磁性图案与第二自由磁性图案之间的第三自由磁性图案以及与第三自由磁性图案间隔开且第二自由磁性图案在其间的第四自由磁性图案。第一单元阵列结构还包括第一晶体管区域，其包括分别连接到第一自由磁性图案和第二自由磁性图案的第一晶体管。第二单元阵列结构还包括第二晶体管区域，其包括分别连接到第三自由磁性图案和第四自由磁性图案的第二晶体管。第二晶体管区域在第一方向上与第一晶体管区域间隔开。
磁性存储器件

[发明专利]磁存储器件-CN202010633174.7在审
发明人： 皮雄焕;李同规 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：公开了一种磁存储器件，该磁存储器件包括：在第一方向上延伸并且具有被固定在一个方向上的磁化方向的第一磁性图案；以及跨过第一磁性图案延伸的多个第二磁性图案。第二磁性图案在与第一方向交叉的第二方向上延伸并且在第一方向上彼此间隔开。每个第二磁性图案包括在第二方向上彼此间隔开的多个磁畴。
磁存储器

[发明专利]磁存储器件-CN202010004334.1在审
发明人：金洸奭;张荣万;皮雄焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：在一个实施例中，提供了一种磁存储器件。所述磁存储器件包括：自由层结构，所述自由层结构具有可变的磁化方向。所述自由层结构包括：第一自由层，所述第一自由层是第一赫斯勒合金；耦合层，所述耦合层位于所述第一自由层上，所述耦合层包括金属氧化物层；和第二自由层，所述第二自由层位于所述金属氧化物层上，所述第二自由层是第二赫斯勒合金，所述第二赫斯勒合金不同于所述第一赫斯勒合金。所述磁存储器件还可以包括：被钉扎层结构，所述被钉扎层结构具有固定的磁化方向；以及隧道势垒层，所述隧道势垒层位于所述被钉扎层结构与所述自由层结构之间。
磁存储器

[发明专利]磁阻随机存取存储器装置及其制造方法-CN201911302059.5在审
发明人：申喜珠;皮雄焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本申请提供了一种MRAM装置及其制造方法。该MRAM装置包括：第一导电图案，其包括产生自旋轨道转矩的材料；转矩传递图案，其与所述第一导电图案的上表面的一部分相接触的；绝缘图案，其在所述转矩传递图案的侧部且覆盖所述第一导电图案；和磁性隧穿结(MTJ)结构，所述MTJ结构包括顺序堆叠的自由层图案、隧穿势垒图案和固定层图案。
磁阻随机存取存储器装置及其制造方法

[发明专利]包括自旋轨道转矩线的半导体器件-CN201910733076.8在审
发明人：朴正宪;金晥均;李俊明;郑峻昊;皮雄焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：半导体器件可以包括在衬底上的第一存储单元和在衬底上并且邻近第一存储单元的第二存储单元。第一存储单元可以包括：第一参考层；第一存储层；在第一参考层和第一存储层之间的第一隧道层；以及与第一存储层接触的第一自旋轨道转矩(SOT)线。第二存储单元可以包括：第二参考层；第二存储层；在第二参考层和第二存储层之间的第二隧道层；邻近第二存储层的第二SOT线；以及在第二存储层和第二SOT线之间的增强层。
包括自旋轨道转矩半导体器件

1
2
下一页»
尾页
共 30 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top