专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于包装展示的背光效果-CN201610592359.1有效
  • G·A·吉布森 - 施乐公司
  • 2016-07-25 - 2019-05-31 - G09F3/02
  • 本发明提供了化学发光产品包装标签,其包括外层;接近于外层设置的粘附层,其中所述粘附层包含在不接近于外层的侧面上的粘附材料;以及在外层和粘附层之间的至少一个腔。外层还包括具有第一多个区域的图像。粘附层包括对应于第一多个区域,并且配置为在多个不同压力值下破裂的第二多个区域。在第二多个区域的至少一个上的压力施加引起在第一多个区域的至少一个中包含至少一种颜色的照明的形成。
  • 用于包装展示背光效果
  • [发明专利]用于熔凝元件的T型氨基官能防粘剂-CN200510080931.8有效
  • D·J·格尔瓦西;A·N·克雷马奇约夫;S·卡普兰;S·S·巴德沙;D·B·维尔金斯;G·A·吉布森 - 施乐公司
  • 2005-06-24 - 2005-12-28 - G03G15/20
  • 用于将转印的显影图像熔凝到复印基材上的熔凝元件组件,其中熔凝元件包括基材、聚合物外层和在聚合物外层上的防粘剂材料涂层,该涂层包括具有氨基官能团的T型氨基官能硅氧烷防粘剂材料,而该材料具有下式结构,式中A表示-R4-X,R4表示具有约1-约10个碳原子的烷基,X表示-NH2或-NHR5NH2,R5表示具有约1-约10个碳原子的烷基;R1和R2相同或不同,各选自具有约1-约25个碳原子的烷基,具有约4-约10个碳原子的芳基,和芳基烷基;R3是具有约1-约500个硅氧烷单元的取代二有机基硅氧烷链;b和c是数值,相同或不同,各自满足1≤b≤10和10≤c≤1000的条件,d和d′是数值,相同或不同,是1或2,e和e′是数值,相同或不同,是1或2,并满足d+e=3和d′+e′=3的条件。
  • 用于元件氨基官能防粘剂
  • [发明专利]用于熔凝元件的氨基官能硅氧烷共聚物防粘剂-CN200510080923.3无效
  • D·J·格尔瓦西;A·N·克雷马奇约夫;S·卡普兰;S·S·巴德沙;D·B·维尔金斯;G·A·吉布森 - 施乐公司
  • 2005-06-24 - 2005-12-28 - G03G9/08
  • 具有基材、聚合物外层和在聚合物外层上的防粘剂材料涂层的熔凝元件,防粘剂材料涂层包括具有下式的共聚物,式中A和B相同或不同,各自表示-R4-X,R4表示具有约1-约10个碳原子的烷基,X表示-NH2或-NHR6NH2,R6表示具有约1-约10个碳原子的烷基;R1和R2相同或不同,各自选自具有约1-约25个碳原子的烷基,具有约4-约10个碳原子的芳基,和芳基烷基;R3和R5相同或不同,各自选自具有约1-约25个碳原子的烷基,具有约4-约10个碳原子的芳基,芳基烷基,和具有约1-约500个硅氧烷单元的取代二有机基硅氧烷链;b和c是数值,相同或不同,各自满足0≤b≤10和10≤c≤1000的条件,但是b和c必须不同时是0;d和d′是数值,相同或不同,是2或3,e和e′是数值,相同或不同,是0或1,并满足d+e=3和d′+e′=3,f是约0-约10的数,b+c+f是约0-约10。
  • 用于元件氨基官能硅氧烷共聚物防粘剂
  • [发明专利]基于电流分配的存储媒体-CN02149902.0无效
  • G·A·吉布森 - 惠普公司
  • 2002-10-30 - 2003-05-14 - G11B7/24
  • 数据存储媒体(20)包括多个叠层(30、40、50、60、70、80、90、140、160、180)。叠层(30、40、50、60、70、80、90、140、160、180)可以是导电的、绝缘的、电阻的、或者能够在两种或多种状态或相之间改变。数据存储装置还包括数据存储媒体(20)和可以在数据存储媒体(20)的区域中形成纳米级数据比特(110、111、112、113、150)的能源(10)。数据比特(110、111、112、113、150)可以包括贯穿一些叠层(30、40、50、60、70、80、90、140、160、180)的孔,或者在能够在两种或多种状态之间改变的层的部分中的相变。另外,一种利用这种存储媒体(20)以存储纳米级数据比特(110、111、112、113、150)的方法。
  • 基于电流分配存储媒体

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