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[发明专利]3D NAND存储器抑制顶层存储层编程串扰的方法-CN201910231669.4有效
发明人：李达;许锋;魏文喆;贾信磊;刘红涛;王明 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种3D NAND存储器抑制顶层存储层编程串扰的方法，包括：所述3D NAND存储器包括：若干层堆叠的存储层和位于存储层上若干层堆叠的伪存储层，所述若干层堆叠的存储层中最上面的一层存储层为顶层存储层，与顶层存储层相邻的一层伪存储层为底层伪存储层，每一层存储层中具有若干存储单元，每一层伪存储层中具有与若干存储单元排布相同的若干伪存储单元，竖直方向的若干存储单元与若干伪存储层构成一个存储串；在对所述顶层存储层中某一个存储单元进行编程时，将所述顶层存储层与所述底层伪存储层连接在一起同时施加相同的编程电压进行操作本发明的方法防止顶层存储层的编程串扰。
nand 存储器抑制顶层存储编程方法

[发明专利]3D NAND存储器及其抑制顶层存储层编程串扰的方法-CN202110544236.1有效
发明人：李达;许锋;魏文喆;贾信磊;刘红涛;王明 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种3D NAND存储器及其抑制顶层存储层编程串扰的方法，包括：提供述3D NAND存储器，3D NAND存储器包括：若干层堆叠的存储层和位于存储层上的伪存储层，若干层堆叠的存储层中最上面的一层存储层为顶层存储层，与顶层存储层相邻的为底层伪存储层，每一层存储层中具有若干存储单元，每一层伪存储层中具有若干伪存储单元，最底层的存储层与半导体衬底之间具有下选择晶体管，最顶层的伪存储层上还具有上选择晶体管；在对所述顶层存储层中某一个存储单元进行编程时，将所述顶层存储层与所述底层伪存储层分别对应的控制栅施加相同的编程电压；在进行编程时，所述上选择晶体管打开，下选择晶体管关闭。本发明的方法防止顶层存储层的编程串扰。
nand 存储器及其抑制顶层存储编程方法

[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置-CN201510303519.1在审
发明人：孔祥永 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-06-04 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，该阵列基板包括：衬底、栅金属层、有源层、源漏金属层、像素电极层、以及存储电容区域；在存储电容区域，栅金属层包括栅金属层存储图案、有源层包括有源层存储图案、源漏金属层包括源漏金属层存储图案、像素电极层包括像素电极层存储图案；栅金属层存储图案、有源层存储图案、源漏金属层存储图案和像素电极层存储图案在衬底上的投影至少部分重合，且像素电极层存储图案与栅金属层存储图案电连接构成存储电容的第一电极，有源层存储图案与源漏金属层存储图案电连接构成存储电容的第二电极。采用两个存储电容并联的方式，进而减少了存储电容的占用面积，提高了像素的开口率。
一种阵列及其制备方法显示装置

[发明专利]双稳态可编程电阻式随机存取存储器-CN200710153723.5无效
发明人：何家骅;赖二琨 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2007-09-14 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一双稳态可编程电阻式随机存取存储器包括多个存储单元，每个存储单元具有多个存储层堆叠。每个存储层堆叠包括导电层，位于可编程电阻式随机存取存储层上。第一存储层堆叠位于第二存储层堆叠上，且第二存储层堆叠位于第三存储层堆叠上。第一存储层堆叠具有第一导电层，位于第一可编程电阻式随机存取存储层上。第二存储层堆叠具有第二导电层，位于第二可编程电阻式随机存取存储层上。第二可编程电阻式随机存取存储层所具有的存储面积较第一可编程电阻式随机存取存储层所具有的存储面积大。
双稳态可编程电阻随机存取存储器

[发明专利]多层模块-CN201110114865.7有效
发明人：威廉·J·吉罗德;迈克尔·H·拉斯穆森;戴安娜·罗德里格斯 -专利权人：康宁光缆系统有限责任公司
申请日： 2011-04-29 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： G02B6/44 文献下载
摘要：公开了一种多层模块，该多层模块包括具有光缆入口和光缆缠绕结构的多纤光缆存储层。还包括与多纤光缆存储层相分离的接头存储层，该接头存储层具有与多纤光缆存储层连通的接头层接收口和松弛部分存储区域。多层模块包括与多纤光缆存储层和接头存储层相分离的尾纤存储层，该尾纤存储层具有尾纤连接器区域和尾纤存储区域，该尾纤存储区域包括与接头存储层相连通的尾纤存储层接收口。
多层模块

[发明专利]存储元件和存储装置-CN201110461334.5有效
发明人：别所和宏;细见政功;大森广之;肥后丰;山根一阳;内田裕行;浅山彻哉 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： G11C11/02 文献下载
摘要：本发明涉及存储元件和存储装置。存储元件包括：存储层，其具有与膜表面垂直的磁化，该存储层的磁化的方向根据信息而改变；磁化固定层，其具有与用作存储在存储层中的信息的基准的膜表面垂直的磁化；和非磁性物质的绝缘层，绝缘层设置在存储层和磁化固定层之间在上述存储元件中，使用自旋转矩磁化反转来反转存储层的磁化以存储信息，通过层结构的层叠方向上流动的电流来产生自旋转矩磁化反转，该层结构包括存储层、绝缘层和磁化固定层，存储层在与绝缘层相反一侧上直接具有层，并且该层包括导电氧化物。
存储元件装置

[发明专利]存储单元、存储器器件以及用于形成存储器器件的方法-CN202010656452.0在审
发明人：金海光;吴启明;蔡正原;蔡子中;江法伸 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开的各种实施例涉及包含数据存储结构的存储单元。顶部电极上覆于底部电极。数据存储结构安置于顶部电极与底部电极之间。数据存储结构包含第一数据存储层、第二数据存储层以及第三数据存储层。第二数据存储层安置于第一数据存储层与第三数据存储层之间。第二数据存储层具有比第三数据存储层低的带隙。第一数据存储层具有比第二数据存储层低的带隙。
存储单元存储器器件以及用于形成方法

[发明专利]一种网络虚拟化存储方法、设备和系统-CN201710128951.0在审
发明人：潘建峰;刘兆博 -专利权人：郑州云海信息技术有限公司
申请日： 2017-03-06 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H04L29/08 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种网络虚拟化存储方法、设备和系统，所述系统包括应用层、服务提供层、存储虚拟层和物理存储资源层，其中：所述应用层用于通过网络接收用户的数据服务请求；所述服务提供层用于接收所述应用层的数据服务请求，通过所述存储虚拟层访问存储资源；所述存储虚拟层用于虚拟化所述物理存储资源层包括的各物理存储介质资源，为所述服务提供层提供统一的访问接口以便于调度各存储资源；所述物理存储资源层包括多种不同类型的物理存储介质资源，用于为所述存储虚拟层、服务提供层和应用层提供物理存储介质资源。本申请可以屏蔽各异构存储系统的差异，为用户提供统一的虚拟化存储资源，从而便于用户管理存储资源，充分利用存储资源。
一种网络虚拟存储方法设备系统

[发明专利]存储元件和存储装置-CN201110263800.9有效
发明人：山根一阳;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-09-07 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开了存储元件和存储装置，其中，该存储元件包括层结构，该层结构包括：存储层，具有垂直于膜面的磁化；磁化固定层；以及绝缘层，设置在存储层与磁化固定层之间。在层结构的层压方向上注入自旋极化的电子，存储层所接收的有效反磁场的大小小于存储层的饱和磁化量，关于与存储层接触的绝缘层以及在绝缘层的相反侧与存储层接触的另一侧层，至少与存储层接触的界面由氧化膜构成，并且除了Co-Fe-B磁性层之外，存储层还包括非磁性金属和氧化物中的至少一种。
存储元件装置

[发明专利]半导体存储器装置-CN200880006997.4有效
发明人：永嵨宏行 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-12-22 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：提供了一种半导体存储器装置，其具有多个存储器基元层，即使部分存储器基元层被判定为是有缺陷的，也可以使用所述存储器基元层。该半导体存储器装置包括：堆叠的存储器基元阵列，其具有层叠的多个存储器基元层，每一个存储器基元层中具有多个块；层品质信息存储电路(10)，其可存储层品质信息，该层品质信息指示出单独的存储器基元层是正常存储器基元层还是缺陷存储器基元层，以便将其中所发现的缺陷块的数目等于或大于预定数目的存储器基元层识别为缺陷存储器基元层并将其他的存储器基元层识别为正常存储器基元层；以及地址转换电路(11)，其中如果从外部输入的外部输入地址对应于在缺陷存储器基元层中的块，则该外部输入地址被地址转换以便对应于正常存储器基元层的块。
半导体存储器装置

[发明专利]存储元件和存储装置-CN201110461332.6无效
发明人：别所和宏;细见政功;大森广之;肥后丰;山根一阳;内田裕行;浅山彻哉 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： G11C11/02 文献下载
摘要：本发明涉及存储元件和存储装置，该存储元件包括：存储层，该存储层具有与膜表面垂直的磁化，该磁化的方向随信息发生变化；磁化固定层，该磁化固定层具有与膜表面垂直的磁化，该膜表面用作为存储在该存储层中的信息的基体；以及非磁性物质的绝缘层，该绝缘层设置在该存储层与该磁化固定层之间，其中通过使用沿层结构的层叠方向流动的电流所产生的自旋力矩磁化反转来使该存储层的磁化发生反转以存储信息，该层结构包括该存储层、该绝缘层和该磁化固定层，以及该存储层具有包括磁性层和导电氧化物的层叠结构。
存储元件装置

[发明专利]存储元件和存储装置-CN201210260559.9有效
发明人：山根一阳;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;浅山徹哉;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-07-25 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及存储元件和存储装置，其中，该存储元件包括存储层，根据磁体的磁化状态来保持信息；磁化固定层，具有用作被存储在存储层中的信息的基准的磁化；以及绝缘层，由被设置在存储层与磁化固定层之间的非磁体形成，其中，通过利用伴随在存储层、绝缘层以及磁化固定层的层结构的层压方向上流动的电流发生的自旋扭矩磁化反转来反转存储层的磁化来存储信息，并且存储层的尺寸小于磁化的方向被同时改变的尺寸。
存储元件装置

[发明专利]信息存储元件和存储装置-CN201610997701.6有效
发明人：山根一阳;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;浅山徹哉;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-07-25 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明涉及信息存储元件和存储装置，其中，该存储元件包括：存储层，根据磁体的磁化状态来保持信息；磁化固定层，具有用作被存储在存储层中的信息的基准的磁化；以及绝缘层，由被设置在存储层与磁化固定层之间的非磁体形成，其中，通过利用伴随在存储层、绝缘层以及磁化固定层的层结构的层压方向上流动的电流发生的自旋扭矩磁化反转来反转存储层的磁化来存储信息，并且存储层的尺寸小于磁化的方向被同时改变的尺寸。
信息存储元件装置

[发明专利]一种基于数据库的数据保护系统-CN201510932131.8在审
发明人：高辉;尚成辉 -专利权人：芜湖乐锐思信息咨询有限公司
申请日： 2015-12-11 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： G06F21/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于数据库的数据保护系统，属于数据库技术领域，其包括：数据库、密码层、存储层和接口层，所述密码层和数据库分别与所述存储层相连接；所述存储层还包括：缓存层，固态存储层，所述缓存层、固态存储层分别与接口层相连接，所述缓存层与固态存储层相连接，用于缓存数据；所述固态存储层，用于存储缓存层及接口层的数据；所述接口层，用于对存储层数据的提取与输入；所述数据库，用于提供存储数据以及整理分析数据；所述密码层，用于保护数据避免被窃取本发明的有益效果是：实现数据的密码保护以及安全存储，提高数据的存储效率以及调用效率，降低了数据库的开发难度。
一种基于数据库数据保护系统

[发明专利]工具盒-CN202211126332.5在审
发明人：李森;赵殿虎;李本祥;刘洋;陆晓斌 -专利权人：苏州得力科技有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： B25H3/02 文献下载
摘要：该工具盒包括壳体、滑动设置在壳体内的第一存储层和第二存储层，壳体具有开口，第一存储层和第二存储层层叠设置，第一存储层和第二存储层的层叠方向平行于开口，且第一存储层和第二存储层的滑动方向垂直于开口，第一存储层上设有触发件，第二存储层上设有受控件，受控件位于触发件和开口之间，第一存储层向外滑动的过程中，触发件能够与受控件配合以驱动第二存储层向外滑动。该工具盒，通过在两层存储层上分别设置能够接触配合的触发件和受控件，实现了两层存储层的连动，拉动其中一个存储层即可将另一存储层连带拉出，结构简单，且成本低。
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