[发明专利]存储装置、存储介质以及存储介质的制造方法无效
| 申请号： | 200810212622.5 | 申请日： | 2008-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN101377929A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 冈田诚;山川荣进;水户部善弘 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/725 | 分类号： | G11B5/725;G11B5/60;G11B5/84 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄纶伟 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 存储装置、存储介质以及存储介质的制造方法。根据一个实施方式的一个方面，一种存储装置包括存储介质，该存储介质具有基板、存储信息的存储介质层、在该存储介质层的第一区域上的第一润滑层，以及在该存储介质层的第二区域上的第二润滑层，该第二润滑层的粘度低于第一润滑层。该存储装置还包括用于将信息写入存储介质层或从存储介质层读取信息的读写头。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 介质 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储装置，该存储装置包括：存储介质，该存储介质具有：基板，所述基板上的用于存储信息的存储介质层，所述存储介质层的第一区域上的第一润滑层，以及所述存储介质层的第二区域上的第二润滑层，所述第二润滑层的粘度低于所述第一润滑层；以及用于将信息写入所述存储介质层或从所述存储介质层读取信息的读写头。
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