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[发明专利]非易失性存储器结构-CN201810896154.1在审
发明人：陈明晖 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：一种非易失性存储器结构，包括基底与多个存储单元。多个存储单元至少包括第一存储单元、第二存储单元、第三存储单元与第四存储单元。第二存储单元与第三存储单元位于第一存储单元的一侧，且第四存储单元位于第一存储单元的另一侧。每个存储单元包括彼此分离设置在基底中的第一阱区、第一掺杂区与第二掺杂区。第一存储单元与第二存储单元共享第一阱区。第一存储单元与第三存储单元共享第一掺杂区。第一存储单元与第四存储单元共享第二掺杂区。
非易失性存储器结构

[发明专利]缺陷存储单元的筛选方法-CN200610143372.5有效
发明人：李明昭;罗棋;李家庆 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-10-31 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：一种缺陷存储单元的筛选方法，用于一内存上。内存一般划分成许多区块，并以区块为单位作抹除的动作，一区块具有N个存储单元，N为大于1的正整数。N个存储单元系为一第1～N个存储单元。在此方法中，验证第i个存储单元是否抹除成功，i为小于或等于N的正整数。若第i个存储单元抹除成功时，检查第i个存储单元是否为第N个存储单元。若第i个存储单元抹除失败时，抹除N个存储单元一次，并检查第i个存储单元是否为第N个存储单元。若第i个存储单元不是第N个存储单元，验证第i+1个存储单元是否抹除成功。若第i个存储单元是第N个存储单元，表示正常存储单元已抹除完成，对该存储区块作第二次验证以筛除缺陷存储单元。验证第j个存储单元是否抹除成功，j为小于或等于N的正整数。若第j个存储单元抹除验证失败时，筛选第j个存储单元为一缺陷存储单元，并检查该第j个存储单元是否为该第N个存储单元。若第j个存储单元不是第N个存储单元，验证第j+1个存储单元是否抹除成功。
缺陷存储单元筛选方法

[发明专利]具有冗余结构的薄膜磁介质存储装置-CN03104399.2无效
发明人：日高秀人 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2003-02-12 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：相对配置成行列状的多个正规存储单元(MC)，虚拟存储单元(DMC)配置成和正规存储单元(MC)共有存储单元列且形成虚拟存储单元行。当正规存储单元(MC)和虚拟存储单元(DMC)出现不良存储单元时，使用冗余列(11C)，以存储单元列为单位进行替换修复。冗余列(11C)不仅包含修复正规存储单元(MC)的备用存储单元(SMC)，还包含修复虚拟存储单元(DMC)的备用虚拟存储单元(SDMC)。
具有冗余结构薄膜介质存储装置

[发明专利]存储系统及其操作方法-CN201811203258.6有效
发明人：元炯植;金亨燮 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种存储系统及其操作方法。存储系统可以包括存储器件，该存储器件包括：存储单元阵列，其包括正常存储单元区域和冗余存储单元区域，所述冗余存储单元区域具有替换存储单元区域和留存存储单元区域；寄存器，其适用于产生指示存在留存存储单元区域的第一信号；以及熔丝单元，其适用于基于第一信号来激活留存存储单元区域；以及控制器，其适用于基于第一信号来分配用于访问留存存储单元区域的留存存储单元的地址，其中替换存储单元区域中的替换存储单元替换正常存储单元区域中的故障存储单元，以及留存存储单元区域中的留存存储单元未替换正常存储单元区域中的任何故障存储单元而被保留。
存储系统及其操作方法

[发明专利]安全再填充系统-CN201680058522.4有效
发明人： N·杜卡;A·布勒 -专利权人：锡克拜控股有限公司
申请日： 2016-10-05 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： B41J2/175 文献下载
摘要：用于存储流体的存储单元，存储单元包括限定室的至少一个壁和开口。存储单元包括存储单元阀，存储单元阀配置在开口处以选择性地密封室。存储单元阀能够被选择性地打开和关闭以允许流体流过存储单元阀。存储单元包括存储单元键机构，存储单元键机构被构造成允许存储单元仅连接到布置于用于接收存储单元的对接站的互补对接站键机构。存储单元阀被构造成仅当存储单元键机构与所述互补对接站键机构接合时能够选择性地打开和关闭。
安全填充系统

[发明专利]NOR型存储器位线故障的修复方法及装置-CN201710992665.9有效
发明人：张建军;张赛;许梦 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种NOR型存储器位线故障的修复方法及装置，包括：检测主阵列存储单元和功能阵列存储单元的位线是否有异常，找出与故障位线连接的存储单元，记为故障存储单元；存储故障存储单元的地址、故障存储单元的修复使能位和故障存储单元的类别标识位，设置故障存储单元的修复使能位为0或1；建立故障存储单元与冗余存储单元的映射关系；若要访问的存储单元对应的修复使能位为1，则要访问的存储单元为需要修复的故障存储单元；选择与故障存储单元对应的冗余存储单元替代故障存储单元本发明实施例的技术方案，通过增加类别标识位的方法，对故障存储单元进行修复，从而提高了产品良率以及对冗余存储单元的利用率。
nor 存储器故障修复方法装置

[发明专利]闪存块管理方法、装置、设备和存储介质-CN202211326817.9在审
发明人：贾光俊;王斐;叶云杰 -专利权人：深圳市德明利技术股份有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请涉及闪存技术领域，公开了一种闪存块管理方法、装置、设备和存储介质，该方法包括：在闪存的存储区中将第一预定数量的多层存储单元转化为单层存储单元；存储区包含多个多层存储单元；构建虚拟多层存储单元，并建立虚拟多层存储单元与单层存储区之间的映射关系；单层存储区包含至少一个单层存储单元；向单层存储区中的单层存储单元写入数据。本申请实施例在将多层存储单元转化为单层存储单元时，通过虚拟多层存储单元分别与单层存储单元和多层存储单元进行关联，从而无需将单层存储单元与多层存储单元进行关联，以使得单层存储单元的容量最大可达到多层存储单元容量的
闪存管理方法装置设备存储介质

[发明专利]存储设备、非易失性存储设备以及存储设备的操作方法-CN201910009213.3在审
发明人：崔伸浩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：一种存储设备，包括控制器和具有存储单元和参考存储单元的非易失性存储设备。所述控制器访问所述存储单元的第一存储单元，当访问所述第一存储单元失败时，从所述参考存储单元中读取与第一存储单元相关联的第一参考存储单元，取决于所述第一参考存储单元的读取结果确定坏区，并且将所述存储单元中的属于坏区的第二存储单元设置为坏存储单元
存储单元参考存储单元存储设备非易失性存储设备坏区读取第二存储单元坏存储单元控制器访问读取结果控制器关联失败访问

[发明专利]基于ETHASH算法的数据存储方法、装置、设备及存储介质-CN202211225068.0有效
发明人：杨媛媛;刘明;李彦;石昊明 -专利权人：中科声龙科技发展（北京）有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G06F11/22 文献下载
摘要：本申请提供了一种基于ETHASH算法的数据存储方法、装置、设备及存储介质，每个存储块包括多个存储单元，所述方法包括：对存储块的多个存储单元进行测试并得到测试结果；根据测试结果对多个存储单元进行分类处理，划分为第一存储单元和第二存储单元，其中，第一存储单元为通过测试的存储单元，第二存储单元为未通过测试的存储单元；获取缓存数据，并将缓存数据存储到第一存储单元；以及根据缓存数据获取有向无环图数据，并将有向无环图数据存储到第一存储单元和/或第二存储单元。本申请的缓存数据只存储到第一存储单元，有向无环图数据存储到第一存储单元和/或第二存储单元，提高了存储单元的利用率。
基于 ethash 算法数据存储方法装置设备介质

[发明专利]3D存储器件及其数据操作方法-CN202111342761.1在审
发明人：刘红涛;黄莹;魏文喆;王明;王启光 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种3D存储器件的数据操作方法，3D存储器件具有沿垂直于衬底的方向排列的多个存储单元串，每个存储单元串包括第一选择晶体管、第一伪存储单元、多个主存储单元、第二伪存储单元和第二选择晶体管，包括：接收擦除指令；根据擦除指令对第一伪存储单元、多个主存储单元以及第二伪存储单元执行擦除操作；在擦除操作结束后验证多个主存储单元是否擦除成功；当多个主存储单元擦除成功时，接收编程指令；根据编程指令对第一伪存储单元和第二伪存储单元执行编程操作本申请通过对伪存储单元和存储单元同时擦除，然后再对伪存储单元进行编程，提高边缘存储单元的擦除效率，减少擦除次数，提高存储单元的可靠性。
存储器件及其数据操作方法

[发明专利]3D存储器件及其数据操作方法-CN201910229050.X有效
发明人：刘红涛;黄莹;魏文喆;王明;王启光 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种3D存储器件的数据操作方法，3D存储器件具有沿垂直于衬底的方向排列的多个存储单元串，每个存储单元串包括第一选择晶体管、第一伪存储单元、多个主存储单元、第二伪存储单元和第二选择晶体管，包括：接收擦除指令；根据擦除指令对第一伪存储单元、多个主存储单元以及第二伪存储单元执行擦除操作；在擦除操作结束后验证多个主存储单元是否擦除成功；当多个主存储单元擦除成功时，接收编程指令；根据编程指令对第一伪存储单元和第二伪存储单元执行编程操作本申请通过对伪存储单元和存储单元同时擦除，然后再对伪存储单元进行编程，提高边缘存储单元的擦除效率，减少擦除次数，提高存储单元的可靠性。
存储器件及其数据操作方法

[发明专利]存储单元检测方法及存储器检测方法-CN201910335924.X在审
发明人：杨正杰;蓝国维;孙力 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本发明涉及存储单元检测技术领域，提出一种存储单元检测方法及存储器检测方法，所述存储单元包括用于存储数据信号的存储单元，存储单元检测方法包括：对所述存储单元进行功能检测；以及当所述存储单元的存储功能合格时，再对所述存储单元进行至少一次所述功能检测。其中，所述功能检测包括：向所述存储单元写入高电平信号；在预设时长间隔后检查所述存储单元的电平状态；以及根据所述存储单元的电平状态判断所述存储单元的存储功能状态。本公开可以精确地检测出存储单元的储存功能状态。
存储单元检测方法存储器

[发明专利]非易失性半导体存储装置-CN201410490067.8有效
发明人：细野浩司 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2014-09-23 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：本发明提供一种使动作可靠性提高的非易失性半导体存储装置。实施方式的该装置包括：存储单元阵列、电压产生电路以及控制电路；其中若至少第1数量个存储单元在选择存储单元和半导体基板之间，电压产生电路供应写入电压到选择存储单元，供应低于写入电压的第1电压到与选择存储单元相邻的非选择存储单元，且供应低于第1电压的第2电压到与选择存储单元隔开一个非选择存储单元的非选择存储单元；若少于第2数量个存储单元在选择存储单元和半导体基板之间，电压产生电路供应写入电压到选择存储单元且供应第1电压到与选择存储单元相邻的非选择存储单元，但不供应第2电压到与选择存储单元隔开一个非选择存储单元的非选择存储单元。
非易失性半导体存储装置

[发明专利]存储单元、形成存储单元的方法以及操作存储单元的方法-CN201310050079.4有效
发明人： W.阿勒斯;M.耶弗雷莫夫;J.奥特斯泰特;C.彼得斯;R.韦斯纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-02-08 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了存储单元、形成存储单元的方法以及操作存储单元的方法。提供一种存储单元，所述存储单元包括：第一二端存储元件；第二二端存储元件；控制器电路，其被配置成将所述第一二端存储元件编程至一个或多个状态并将所述第二二端存储元件编程至一个或多个状态，其中所述第一二端存储元件的状态和所述第二二端存储元件的状态相互依赖；以及测量电路，其被配置成测量与所述第一二端存储元件的状态相关联的第一二端存储元件信号和与所述第二二端存储元件的状态相关联的第二二端存储元件信号之间的差信号。
存储单元形成方法以及操作

[发明专利]存储方法和装置及其存储系统-CN201710046893.7在审
发明人：杨孝平 -专利权人：中国移动通信集团四川有限公司;中国移动通信集团公司
申请日： 2017-01-22 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： G06F11/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储方法和装置及其存储系统。该方法包括：创建第一虚拟存储单元，第一虚拟存储单元与第一存储设备中的第一存储单元相对应；创建第二虚拟存储单元，第二虚拟存储单元与第二存储设备中的第二存储单元相对应；以及通过第一虚拟存储单元或第二虚拟存储单元访问对应的第一存储单元或第二存储单元，其中第一虚拟存储单元与第二虚拟存储单元具有相同的存储单元标识。该存储方法能够实现完全基于存储设备的底层存储数据双活并且零切换时间的技术效果。
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