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[发明专利]用于存储数据的设备和用于读取存储单元的方法-CN201180074045.8有效
发明人：赛厄马克·塔瓦莱伊 -专利权人：惠普发展公司;有限责任合伙企业
申请日： 2011-09-02 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： G11C7/22 文献下载
摘要：公开一种用于存储数据的设备和用于读取存储单元的方法。公开的示例性方法包含：在存储单元的读周期期间，在该存储单元上施加电流，来读取该存储单元的内容。在该存储单元的后续读周期期间，沿相反方向在该存储单元上施加后续电流，来读取该存储单元的该内容。
用于存储数据设备读取单元方法

[发明专利]一种运维监控装置及运维监控方法-CN201611226670.0有效
发明人：李文;杨贵垣;冀皓;刘凌峰 -专利权人：中国建设银行股份有限公司
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G06Q10/00 文献下载
摘要：本发明提出一种运维监控装置，包括：任务存储单元、方法存储单元、结果存储单元、配置单元及处理单元；其中，任务存储单元存储所有的运维任务、执行每个运维任务所需的参数、以及执行每个运维任务所需的运维方法信息；方法存储单元存储所有的运维方法；结果存储单元存储执行运维任务的运维结果；配置单元配置并存储所有数据的配置信息；所述配置信息根据运维监控装置所在平台而配置；处理单元运行跨平台的Python语言编写的处理程序，并分别与任务存储单元、方法存储单元、结果存储单元及配置单元连接，用于读取并执行所述任务存储单元中存储的运维任务。
一种监控装置方法

[发明专利]相变存储器及其制造方法-CN201210053872.5有效
发明人：李莹;吴关平;王蕾 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-03-02 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提供一种相变存储器及其制造方法，所述相变存储器包括：衬底，位于衬底上的存储单元阵列和电路单元，所述电路单元位于所述存储单元阵列周围，所述相变存储器还包括位于所述存储单元阵列和所述电路单元之间的、围绕所述存储单元阵列的沟槽隔离结构所述相变存储器的制造方法，包括：提供衬底；在衬底上的存储单元区域形成存储单元阵列；在衬底上形成围绕所述存储单元阵列的沟槽隔离结构；在衬底上沟槽隔离结构的周围区域形成电路单元。所述沟槽隔离结构可以使所述存储单元阵列和所述电路单元之间绝缘，可以减小存储单元阵列和电路单元之间的寄生二极管，以提高相变存储器的性能。
相变存储器及其制造方法

[发明专利]一种芯片修复方法和装置-CN201410251439.1有效
发明人：张君宇;苏志强 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2014-06-06 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：所述方法包括：对芯片中的主阵列存储单元进行测试，得到发生故障的存储单元的地址信息；根据发生故障的存储单元的地址信息与芯片中的冗余存储单元，对芯片进行修复；其中，冗余存储单元包括第一存储单元和第二存储单元；第一存储单元与主阵列存储单元共用阱、位线和高位地址；第二存储单元与主阵列存储单元不共用阱、位线和高位地址。本发明通过在芯片中增加第二存储单元，增加了一种对芯片进行修复的方式，在GBL修复无法完全对芯片进行修复时，可以进行第二修复，满足了芯片良品率提升，以及性能提升的要求。
一种芯片修复方法装置

[发明专利]阻变存储单元的编程方法-CN201110220576.5无效
发明人：刘明;连文泰;龙世兵;吕杭炳;刘琦;谢常青 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-08-03 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻变存储单元的编程方法。该方法包括：施加置位信号于阻变存储单元，在阻变存储单元上电极和下电极之间形成导电细丝，阻变存储单元转变为低阻态；施加复位信号于阻变存储单元，使导电细丝部分溶解，阻变存储单元由低阻态转变为高阻态；再次施加置位信号于阻变存储单元，部分溶解的导电细丝在置位信号的作用下，继续生长，直至重新连接阻变存储单元的上电极和下电极，阻变存储单元由高阻态转变为低阻态。本发明的阻变存储单元的编程方法具有下列有益效果：1、可以提高阻变存储单元电阻转变性能参数均一性；2、可以提高阻变存储单元的编程速度。
存储单元编程方法

[发明专利]用于存储器的编程方法和装置-CN202011178508.2有效
发明人：李海波;张超 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明涉及非易失性存储设备，包括存储单元阵列和控制单元，所述存储单元阵列中的每个存储单元具有多个可编程级别；所述控制单元，其耦接至所述存储单元阵列，并且被配置为：动态地选择用于在验证周期中进行验证的多个存储单元，所述多个存储单元包括分别与至少两个不同的目标编程级别对应的至少两组存储单元，为所述多个存储单元提供与所述至少两个不同的目标编程级别对应的相同的验证电压，以及在所述验证周期中按照不同的目标编程级别依次对所述多个存储单元中的每一组存储单元进行验证
用于存储器编程方法装置

[发明专利]非易失性存储器及其读取方法-CN201910169800.9有效
发明人：林昱佑;李峰旻;李明修 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器及其读取方法。读取方法包括：擦除存储单元串的多个存储单元；设定存储单元中的目标存储单元，设定初始电压，依据步阶值以递增初始电压来产生多个编程电压，并使目标存储单元分别依据编程电压以依序执行多个编程动作，并在编程动作中验证目标存储单元以获得第一验证电流；依据判断第一验证电流以及第一参考电流以设定对应的编程电压为目标电压；以及，依据目标电压对目标存储单元外的多个其他存储单元进行编程动作，并使存储单元串为读取参考存储单元串。
非易失性存储器及其读取方法

[发明专利]半导体存储器-CN98116272.X无效
发明人：藤田真盛 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1998-08-10 - 公布日： 2003-06-18 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：半导体存储器，包括多个存储单元阵列，每个存储单元阵列含有一个备份存储单元。每个存储单元阵列和数据输入-输出端的连接可以简单地由外部输入信号根据多种输入-输出的数据宽度进行导通。每个备份存储单元将外部输入的外部地址的每一位与已储存在存储单元内的内部地址的每一位进行比较。根据备份判断电路输出的检测信号检测出两个地址相同，并替换该地址的存储单元。替换不只是在有备份存储单元的存储单元阵列中实现，而且还可以在不同的存储单元阵列中实现。
半导体存储器

[发明专利]存储单元配置方法及其所适用的存储介质-CN200810096237.9有效
发明人：许峻维 -专利权人：宇瞻科技股份有限公司
申请日： 2008-05-06 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明为一种存储单元配置方法及其所适用的存储介质，该存储介质包含一第一存储单元、一第二存储单元以及一地址对应表，至少包含下列步骤：判断该第一存储单元及该第二存储单元是否被设定为一启动磁区，当结果为是且该启动磁区设定于该第二存储单元时，建立该第一存储单元及该第二存储单元之间的一搬移地址对应表，根据该搬移地址对应表将该第一存储单元及该第二存储单元内所存储的数据相互交换进行搬移；根据该搬移地址对应表修改该地址对应表。本发明的存储单元配置方法及其所适用的存储介质可制作成本较低且可靠度佳的存储介质。
存储单元配置方法及其适用介质

[发明专利]一种非易失性数据存储结构和存储方法-CN202010863937.7在审
发明人：冯赟;龚劭秋;贺岩;范东平;钱进;胡跃进 -专利权人：实时侠智能控制技术有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：一种非易失性数据存储结构和存储方法，该结构包括非易失性存储单元NVRAM、NVRAM镜像存储单元、NVRAM读写管理器和NVRAM与镜像同步单元；非易失性存储单元NVRAM包括存储空间大小相同的N‑1存储区块和一个备份BACKUP区块；NVRAM镜像存储单元用于镜像存储非易失性存储单元NVRAM中的数据，NVRAM镜像存储单元包括存储空间大小相同的N‑1存储区块，每块存储区块的大小与每块非易失性存储单元NVRAM的存储区块的大小相同；NVRAM读写管理器通过NVRAM访问接口对NVRAM镜像存储单元中所有数据进行读写操作；NVRAM与镜像同步单元用于将非易失性存储单元NVRAM中所有数据与NVRAM镜像存储单元中的所有镜像数据进行同步
一种非易失性数据存储结构方法

[发明专利]存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备-CN201610872740.3有效
发明人：朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：公开了一种存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备。根据实施例，存储器件可以包括在衬底上依次叠置的多个存储单元层，每一存储单元层包括第一存储单元的第一阵列以及第二存储单元的第二阵列，第一阵列和第二阵列彼此嵌套。各存储单元层中的第一、第二存储单元分别沿着存储单元层的叠置方向彼此实质上。每个第一存储单元是基于依次叠置的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层的竖直器件。每个第二存储单元是基于沿叠置方向延伸的有源半导体层的竖直器件。每个第一存储单元和每个第二存储单元分别包括各自的存储栅堆叠，它们共用栅导体层。同一存储单元层中的栅导体层成一体。
存储单元层存储器件第二存储单元叠置存储单元电子设备栅导体层源/漏层竖直嵌套半导体层方向延伸存储栅沟道层衬底堆叠制造

[发明专利]一种相变存储器读出电路及方法-CN201610242426.7有效
发明人：雷宇;陈后鹏;李喜;宋志棠 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2016-04-19 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种相变存储器读出电路及方法，包括存储数据的目标相变存储单元阵列；非晶态参考相变存储单元列；晶态参考相变存储单元列；以及灵敏放大器。初始阶段，将非晶态参考相变存储单元置为非晶态，将晶态参考相变存储单元列置为晶态；选中一个目标相变存储单元、一个非晶态相变存储单元以及一个晶态相变存储单元，其信号输出至灵敏放大器；灵敏放大器以非晶态相变存储单元和晶态相变存储单元的读电流为基准产生参考电流，将目标相变存储单元的读电流和参考电流进行比较，以产生目标相变存储单元的读出电压信号。本发明的相变存储器读出电路及方法具有读取时间短，对工艺变化适应性强和误读取少等优点，有效改善了相变存储器读出电路的性能。
一种相变存储器读出电路方法

[发明专利]具有用于显示已存储的符号图像的屏幕的信息读取装置-CN200610006937.5无效
发明人：重草久志 -专利权人：电装波动株式会社
申请日： 2006-01-26 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： G09G5/39 文献下载
摘要：一种诸如手持个人设备的信息读取装置，包括存储器，该存储器具有安置在具有多个行和多个列的二维阵列中的多个存储单元。每个存储单元存储将要在屏幕上显示的符号图像。当存储单元矩阵阵列被显示时，光标键用于响应于用户的操作，通过将选择点每次移动一个存储单元来选择所显示的多个存储单元中的一个存储单元作为候选存储单元，并且用于当期望的候选存储单元显示在屏幕的中心时输入用户的决定命令从存储器中读取包括所选择的存储单元及其邻居存储单元的存储单元矩阵阵列并将其显示，以使所选择的存储单元位于屏幕的中心。所述读取和显示操作响应于用户的操作而重复进行，直到输入用户的决定命令。
具有用于显示存储符号图像屏幕信息读取装置

[发明专利]一种BIOS程序的管理系统、方法及存储系统-CN201710854401.7在审
发明人：钱海军 -专利权人：郑州云海信息技术有限公司
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： G06F21/57 文献下载
摘要：本发明公开了一种BIOS程序的管理系统、方法及存储系统，包括控制单元、配置单元、主存储单元及副存储单元，主存储单元，用于预存BIOS程序；副存储单元，用于预存BIOS程序；控制单元，用于当接收到开机信号时，控制配置单元与主存储单元建立通讯连接，以便配置单元从主存储单元中读取BIOS程序；还用于从配置单元读取主存储单元中的BIOS程序时开始计时，当计时时间到达预设时间时，如果未接收到配置单元读取完成时，主存储单元生成的完成信号，则控制配置单元与副存储单元建立通讯连接，以便配置单元从副存储单元中读取BIOS程序。本发明实现了BIOS程序的冗余，保证了数据信息的安全，提高了整个存储系统的稳定性。
一种 bios 程序管理系统方法存储系统

[发明专利]一种硬盘处理方法及电子设备-CN201810001220.4有效
发明人：杨安荣 -专利权人：联想（北京）有限公司
申请日： 2018-01-02 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种硬盘处理方法及电子设备，当检测到固态硬盘中有存储单元出现故障时，确定出现故障的存储单元的数量，根据出现故障的存储单元的数量确定校验单元的数量，从固态硬盘中未出现故障的存储单元中读取数据存储单元和校验单元，根据校验单元以及数据存储单元中的数据，确定出现故障的存储单元中的数据。本方案通过根据出现故障的存储单元的数量读取对应数量的校验单元，从而对出现故障的存储单元中的数据进行恢复，实现了无论出现故障的存储单元数量为1个还是2个，都可以进行数据恢复，避免了现有技术中只有当一个存储单元出现故障时，才能进行数据恢复，而不能在两个存储单元同时出现故障时进行数据恢复的问题。
一种硬盘处理方法电子设备