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[发明专利]一种静态随机存储器-CN202310693721.4在审
发明人：赵高阳;王永文;王耀华;林荣臻;陈梓铭;邢座程 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G11C11/418 文献下载
摘要：本发明公开了一种静态随机存储器，涉及存储领域，可移位存储阵列中第i行存储单元组中的第j个存储单元的垂直位线与第i+1行存储单元组中的第j个存储单元的垂直位线连接，可移位存储阵列中第i行存储单元组中的第j个存储单元的倾斜位线与第i+1行存储单元组中的第j+1个存储单元的倾斜位线连接，使得可移位存储阵列的各行存储单元组包括的存储单元错位连接。因此控制器可以从待移位存储单元的垂直位线上读取待移位数据，然后通过指定倾斜位线将待移位数据写到移位存储单元中，此时移位存储单元中存储的数据即为将待移位数据移位后的数据。本申请通过静态随机存储器自身即可实现数据的移位和对齐，节省片上面积，简化移位操作。
一种静态随机存储器

[发明专利]存储器装置以及操作其的方法-CN202010856724.1在审
发明人：曹斯钧;洪照俊 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本文中所公开内容涉及一种存储器装置以及操作其的方法。存储器装置包含存储单元和将偏压电压提供到存储单元的偏压电源电路。在一个方面中，偏压电源电路包含耦合到存储单元的偏压存储单元，其中偏压存储单元与存储单元可具有相同半导体导电性类型。存储单元可包含至少两个栅极电极，且偏压存储单元可包含至少两个栅极电极。在一个配置中，偏压存储单元包含耦合到偏压存储单元的至少两个栅极电极中的一个的漏极电极。在此配置中，可通过调节或控制提供到偏压存储单元的漏极电极的电流来控制提供到存储单元的偏压电压。
存储器装置以及操作方法

[发明专利]存储器系统及其编程方法-CN202210483974.4在审
发明人：董志鹏;李海波 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请提供一种存储器的系统及编程方法。存储器的每个字线连接多个存储单元，多个存储单元包括第一存储单元和除了所述第一存储单元的第二存储单元，编程方法包括：执行第1级编程，以将第一存储单元的阈值电压编程至大于等于第一存储单元的最终验证电压，将第二存储单元的阈值电压编程至大于等于第一级中间验证电压，其中，存储单元的第一级中间验证电压小于最终验证电压，第一存储单元的阈值电压大于第二存储单元的阈值电压；以及执行第N级编程，将多个第二存储单元的阈值电压配置为大于等于最终验证电压，其中N≥2。
存储器系统及其编程方法

[发明专利]半导体存储装置-CN202210696548.9在审
发明人：前岛洋 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：一个实施方式提供能够抑制芯片面积的增加的半导体存储装置。根据实施方式，半导体存储装置包括：第一存储单元阵列(11_1)；第二存储单元阵列(11_2)，配置于第一存储单元阵列的上方；第三存储单元阵列(11_3)，与第一存储单元阵列相邻配置；第四存储单元阵列(11_4)，配置于第三存储单元阵列的上方，且与第二存储单元阵列相邻配置；第一字线(WLa)，连接于第一及第二存储单元阵列；第二字线(WLb)，连接于第三及第四存储单元阵列；第一位线(BLa)，连接于第一及第四存储单元阵列；以及第二位线(BLb)，连接于第二及第三存储单元阵列。
半导体存储装置

[发明专利]一种存储器的编程方法-CN201010121436.8有效
发明人：杨光军;徐翌 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-03-10 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器的编程方法。其中，存储器包含存储单元及与存储单元相连接的位线。该编程方法具体包含步骤：选择相连接的第一存储单元及第二存储单元，第一存储单元及第二存储单元共漏极，分别与第一存储单元及第二存储单元的源极相连接的位线为第一源极位线及第二源极位线，与上述漏极相连的位线为漏极位线；分别从第一源极位线及第二源极位线输入编程电流到第一存储单元及第二存储单元，并从漏极位线输入编程电压，从而对第一存储单元及第二存储单元进行编程。
一种存储器编程方法

[发明专利]存储器系统及其编程方法-CN202110671777.0有效
发明人：董志鹏;李海波 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请提供一种存储器的系统及编程方法。存储器的每个字线连接多个存储单元，多个存储单元包括第一存储单元和除了所述第一存储单元的第二存储单元，编程方法包括：执行第1级编程，以将第一存储单元的阈值电压编程至大于等于第一存储单元的最终验证电压，将第二存储单元的阈值电压编程至大于等于第一级中间验证电压，其中，存储单元的第一级中间验证电压小于最终验证电压，第一存储单元的阈值电压大于第二存储单元的阈值电压；以及执行第N级编程，将多个第二存储单元的阈值电压配置为大于等于最终验证电压，其中N≥2。
存储器系统及其编程方法

[发明专利]数据存储单元处理方法-CN202310372255.X有效
发明人：张宁;白铠豪;王荣巍;宋卓;欧阳武林;徐宇 -专利权人：阿里云计算有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G06F12/06 文献下载
摘要：本说明书实施例提供数据存储单元处理方法，其中所述数据存储单元处理方法包括：确定与数据处理对象关联的至少两个数据存储单元，从所述至少两个数据存储单元中确定空闲数据存储单元，并确定与所述空闲数据存储单元关联的目标数据处理对象；在解除所述目标数据处理对象与所述空闲数据存储单元的关联关系的情况下，建立所述目标数据处理对象与预设数据存储单元之间的关联关系，其中，所述预设数据存储单元中的数据与所述空闲数据存储单元中的数据一致；将所述空闲数据存储单元确定为待分配的数据存储单元从而提高了计算机存储资源利用率，实现高效地利用计算机存储资源的目的。
数据存储单元处理方法

[发明专利]具有字元抹除与减少写入干扰的非易失性存储器装置-CN201710270037.X有效
发明人：黄义欣;许志强 -专利权人：物联记忆体科技股份有限公司
申请日： 2017-04-24 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器装置包括多个存储单元区块。所述多个存储单元区块配置为存储单元阵列。所述存储单元区块为一个抹除单元，各别包括多个存储单元、第一字元线以及第二字元线。所述多个存储单元各别包括第一存储单元以及第二存储单元。所述存储单元阵列的每一行设置选择信号线，并且所述选择信号线通过多个N型晶体管耦接每一行当中的所述多个存储单元区块。所述多个存储单元区块依据每一行的所述选择信号线提供的选择信号来各别决定是否执行读取操作、写入操作或抹除操作。
具有字元减少写入干扰非易失性存储器装置

[发明专利]半导体存储装置-CN03152359.5有效
发明人：安西伸介;森康通;田中嗣彦 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2003-07-30 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种半导体存储装置，它包括：存储单元阵列，该存储单元阵列具有双值存储区和多值存储区，其中，双值存储区包含多个存储单元，每个存储单元包括1比特的数据，以及多值存储区包括多个存储单元，每个存储单元包括2个或者多比特数据；以及读出放大器部分，该部分对于双值存储区的数据读取和多值存储区的数据读取是公用的，以便通过将选择的存储单元与参考单位进行比较，读取在所选存储单元中存储的数据。
半导体存储装置

[发明专利]DDR芯片的存储单元的测试方法、装置、设备及存储介质-CN202111154715.9在审
发明人：李创锋 -专利权人：深圳市金泰克半导体有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种DDR芯片的存储单元的测试方法、装置、设备及存储介质，涉及半导体测试领域。方法包括：写入数据到DDR芯片各存储单元中；选定一存储单元作为待测存储单元，记录待测存储单元周围的存储单元为第一数据；对待测存储单元进行逻辑运算，得到运算结果；记录待测存储单元周围的存储单元为第二数据；将逻辑运算结果与预设的期望值进行比对，得到第一比对结果；将第一、第二数据进行比对，得到第二比对结果；根据第一、第二比对结果确定待测存储单元的测试结果。本发明能通过对存储单元进行逻辑运算并校验来检测DDR芯片存储单元对不同数据的敏感程度，通过校验结果以及对第一、第二数据比对来快速而准确的对DDR芯片存储单元进行全方位检测。
ddr 芯片存储单元测试方法装置设备介质

[发明专利]一种数据保护方法及存储设备-CN201710512447.0有效
发明人：上官应兰 -专利权人：杭州宏杉科技股份有限公司
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请提供一种数据保护方法及存储设备，该方法应用于双活存储系统中的从LUN存储单元，从LUN存储单元被预配置为Thin‑LUN存储单元，双活存储系统在接收写IO请求后，由该双活存储系统中的主LUN存储单元处理该写IO请求，且主LUN存储单元不将该写IO请求中的数据同步至所述从LUN存储单元，该方法包括：在该主LUN存储单元或者其所在存储设备故障时，将本LUN存储单元转换为临时主LUN存储单元，并开启自动扩容机制；在接收到写IO请求时，将写IO请求中携带的数据写入本地，且不执行数据同步；在故障恢复时，触发本LUN存储单元与转换为临时从LUN存储单元的主LUN存储单元之间的数据同步，并在同步完成后，释放本LUN存储单元所占用的存储空间
一种数据保护方法存储设备

[发明专利]一种数据存储方法、装置及电子设备-CN201710456543.8有效
发明人：周双 -专利权人：杭州海康威视数字技术股份有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种数据存储方法、装置及电子设备。该电子设备包括至少一个硬盘，该硬盘包括多个存储单元，所述多个存储单元分为两类存储单元，第一类存储单元用于存储用户数据，第二类存储单元用于存储非用户数据；其中，第一类存储单元中的各个存储单元均不同于第二类存储单元中的各个存储单元该方法包括：接收待存储的用户数据，将所述用户数据存储至所述第一类存储单元中；获得待存储的非用户数据，将所述非用户数据存储至所述第二类存储单元中。应用本申请实施例提供的方案，能够减少存储数据时所耗费的时间。
一种数据存储方法装置电子设备

[发明专利]MTP器件的单元结构及其操作方法-CN200910201913.9有效
发明人：胡晓明 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-12-08 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种MTP器件的单元结构及其操作方法，其单元结构包括主存储单元、参考存储单元和差分比较电路。其中，当主存储单元为已编程状态，则参考存储单元为已擦除状态。当主存储单元为已擦除状态，则参考存储单元为已编程状态。差分比较电路对主存储单元的漏端、参考存储单元的漏端电流大小进行比较。从而可以在多次编程和擦除后仍能判断出主存储单元的状态，这也就相当于提升了整个MTP器件的单元结构的耐久力。
mtp 器件单元结构及其操作方法

[发明专利]可锁定存储设备-CN202310369131.6在审
发明人： O·库特-阿恩贝克;N·H·韦尔;A·J·加加诺 -专利权人：实耐宝公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G07C9/00 文献下载
摘要：一种可锁定存储设备包括计算系统、通信模块、中央电源、连接到计算系统和中央电源的中央数据总线、以及多个存储单元。多个存储单元中的每个相应存储单元包括锁和数据总线。计算系统被配置为执行操作，该操作包括经由通信模块接收用于解锁多个存储单元中的存储单元的指示，并且响应于接收到用于解锁存储单元的指示，向多个存储单元发送指令以解锁存储单元的锁。
锁定存储设备

[发明专利]检测半导体存储装置中的干扰存储单元的装置及方法-CN201010296772.6有效
发明人：洪俊雄;林政宽;张坤龙 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2010-09-27 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测半导体存储装置中干扰存储单元的装置及方法。该检测一存储单元干扰情况的方法，包含施加多个阵列条件至该存储单元且决定该存储单元响应多个阵列条件时是否具有一编程存储单元的行为。假如该存储单元会对该组条件响应为被编程而在另一组条件响应为被擦除，则识别该存储单元为受干扰的存储单元。
检测半导体存储装置中的干扰单元方法

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