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[发明专利]半导体结构以及埋入式场板结构的制造方法-CN202210271075.8在审
发明人：张家豪;黄郁仁;陈信宏 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构以及埋入式场板结构的制造方法。半导体结构包括基底、多个埋入式场板结构以及栅极。基底包括第一表面以及与第一表面相对的第二表面。埋入式场板结构包括导电结构以及围绕导电结构的绝缘结构。导电结构包括沿垂直于基底的第一表面的方向上安置的多个部分，且平行于基底的第一表面的方向上的多个部分具有不同的宽度。
半导体结构以及埋入板结制造方法

[发明专利]非挥发性存储器阵列结构-CN03157760.1有效
发明人：易成名;陈辉煌;高瑄苓 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-08-28 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明主要是使用一埋入式传导区域来作为一非挥发性存储器阵列结构的源极线。上述的埋入式传导区域具有与现有技术的源极线不同的几何形状。所以，上述的埋入式传导区域可以具有比现有技术的源极区域更低的源极片阻抗，进而可以改变上述非挥发性存储器阵列结构的可靠度与操作效能。
挥发性存储器阵列结构

[发明专利]作为静电放电保护的硅控整流器的制造方法-CN03150708.5无效
发明人：高荣正 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2003-09-01 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明提供一种作为静电放电保护的硅控整流器的制造方法，其以高电压离子注入的方式在第一导电型掺杂井及第二导电型掺杂井内分别注入一相对高掺质浓度的同型离子，以形成第一埋入式掺杂区与第二埋入式掺杂区，使得完成后的硅控整流器可以快速打开；且妥善控制埋入式掺杂区的浓度以控制结崩溃电压，从而达到控制静电放电的触发电压。
作为静电放电保护整流器制造方法

[实用新型]型钢混凝土非埋入式柱脚-CN201220496080.0有效
发明人：王干;周彗鑫;赵志明;赵建忠;许超 -专利权人：苏州工业园区设计研究院股份有限公司
申请日： 2012-09-26 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： E04B1/41 文献下载
摘要：一种型钢混凝土非埋入式柱脚，所述非埋入式柱脚包括柱纵筋、柱箍筋和柱内型钢，所述柱箍筋套装在柱纵筋上，所述柱纵筋伸入所述基础内，所述基础上布置垫板，所述垫板位于柱纵筋内，所述垫板底部设有抗剪键，所述垫板通过地锚螺栓固定在基础上本实用新型提供一种安装定位方便、混凝土的密实性良好的型钢混凝土非埋入式柱脚。
型钢混凝土埋入式柱脚

[实用新型]半导体器件-CN201820551253.1有效
发明人：王宏付 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本实用新型至少提供一种半导体器件，包括：衬底，具有器件隔离结构和埋入式栅极；绝缘结构，覆盖埋入式栅极并形成于衬底上；位线接触栓塞，在沉积炉管机台中形成于绝缘结构中，并位于相邻两个埋入式栅极之间的衬底上方
衬底埋入式栅极机台半导体器件自然氧化层沉积炉管绝缘结构位线接触栓塞降低接触电阻器件隔离结构本实用新型电性能清洗覆盖

[实用新型]一种新型的大坝安全监测自动化测控装置-CN201721241659.1有效
发明人：刘长铭 -专利权人：刘长铭
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型的大坝安全监测自动化测控装置，包括大坝和RIAATL电控箱，所述RIAATL电控箱平置于大坝的顶部，并与大坝通过螺丝固定连接，所述大坝的内部设有埋入式应变计，该种新型的大坝安全监测自动化测控装置在大坝内部安装埋入式应变计和振弦式渗压计，埋入式应变计是直接埋入混凝土中测量由应力变化而引起的应，在已知混凝土弹性模量时，考虑温度补偿、蠕变以及化学反应的影响，也可以评估内部应力，实现对大坝主体进行实时监测，振弦式渗压计适用于长期埋设在水工结构物或其它混凝土结构物及土体内
一种新型大坝安全监测自动化测控装置

[发明专利]包括埋入式栅极的半导体器件、组件和系统及制造方法-CN201310203798.5有效
发明人：张太洙 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开包括埋入式栅极的半导体器件、组件和系统及制造方法。该半导体器件包括：凹陷部，其形成于有源区中；栅极，其埋入于所述凹陷部的下部中；第一覆盖绝缘膜，其形成于所述栅极上；第二覆盖绝缘膜，其形成于所述第一覆盖绝缘膜上；以及第三覆盖绝缘膜，其形成于所述第二覆盖绝缘膜上在包括埋入式栅极的半导体器件中，可以通过减小形成于埋入式栅极上的覆盖绝缘膜中的氮化物膜体积来减小氮化物膜所引起的机械应力，并且调整了氮化物膜的硅对氮的比例，从而减小机械应力，进而改善了半导体器件的操作特性
包括埋入栅极半导体器件组件系统制造方法

[实用新型]板槽式预埋件及采用板槽式预埋件的保温幕墙系统-CN202122239444.9有效
发明人：朱江;刘晓烽;涂铿;闵守祥;吴宇轩;贺宇航;董文枫;朱亮;甘健恒;侯达理;刘文侨;李韵;李启迪 -专利权人：深圳中航幕墙工程有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： E04B1/41 文献下载
摘要：本申请涉及板槽式预埋件及采用板槽式预埋件的保温幕墙系统，包括若干组埋入件以及安装在埋入件一端的锚板，锚板靠近埋入件一端固定连接有安装盒，锚板上还设有滑动槽，滑动槽沿安装盒长度方向延伸设置，锚板上还开设有插口本申请具有将埋入件以及锚板埋入混凝土挑板后，将螺栓从插口处伸入安装盒，根据不同挂座的尺寸，通过外力使螺栓在滑动槽上滑动，调整螺栓位置，再将挂座的安装孔与螺栓插接，再将螺栓锁紧，完成安装，使预埋件适用于更多不同尺寸的挂座
板槽式预埋件采用保温幕墙系统

[发明专利]非挥发性内存及其制造方法-CN02107552.2有效
发明人：郭东政 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-03-15 - 公布日： 2003-10-01 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：一种非挥发性内存及其制造方法，其结构于一基底中具有一沟渠，而有一埋入式位线横越此沟渠，且有一字线至少覆盖此沟渠并越过埋入式位线，又于基底与字线之间有一层电荷捕捉层。
挥发性内存及其制造方法

[实用新型]一种埋入式裂缝计-CN201120433322.7有效
发明人：朱赵辉;孙建会;贺虎;王万顺;熊成林;李娜;武学毅;姜龙 -专利权人：中国水利水电科学研究院;北京中水科水电科技开发有限公司
申请日： 2011-11-04 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G01N19/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种埋入式裂缝计，包括两端带有传感器加长杆的传感器，传感器通过其两端的传感器加长杆分别与埋入杆件相连，在传感器及传感器加长杆外还套有一套管，套管两端为封口结构；在传感器一端的传感器加长杆与埋入杆件之间还设置有连接件；套管与连接件侧的埋入杆件连接，且套管外涂有沥青层。本实用新型通过对表面式裂缝计进行优化改进，克服了表面式裂缝计不能监测混凝土内部裂缝的缺陷，同时，在不设置诱导铁片的前提下，可监测大体积混凝土结构内部薄弱环节部位的无法预知裂缝的产生及发展情况，实现一定范围内的混凝土开裂监测；另外，本实用新型的埋入式裂缝计还具有结构简单、易于操作及可靠性强的优点。
一种埋入裂缝

[实用新型]脚踏式船用锚机主令控制器-CN201922131963.6有效
发明人：周建侯;王皎;刘传龙;宗砚;赵三飞 -专利权人：中国舰船研究设计中心
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： G05G1/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种脚踏式船用锚机主令控制器，包括信号发生器、可编程控制器、脚踏式启动按钮、脚踏式调速按钮、脚踏式反转按钮以及嵌设于甲板上的埋入式水密封壳体，脚踏式启动按钮、脚踏式调速按钮和脚踏式反转按钮均凸伸于埋入式水密封壳体的顶部且相对于其可弹性复位，信号发生器和可编程控制器电连接且均安装于埋入式水密封壳体内部，可编程控制器、脚踏式启动按钮和脚踏式调速按钮在按下后与信号发生器连接以发出相应的信号至可编程控制器，埋入式水密封壳体的底部还固定有电缆引入装置本实用新型提出的脚踏式船用锚机主令控制器，既能够方便锚机操作人员能够一体化操作，又消除了大风浪对主令控制器冲击的影响，确保了设备安全。
脚踏式船用锚机控制器

[发明专利]埋入式位线及其形成方法-CN202011101808.0在审
发明人：吴公一;陆勇;徐朋辉 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明涉及一种埋入式位线及其形成方法，埋入式位线形成于衬底内的位线沟槽中，埋入式位线包括：第一位线层，形成于位线沟槽中，且第一位线层的顶部低于衬底的表面第一阻挡层，至少部分形成于第一位线层和位线沟槽的内壁之间通过设置埋入式位线，可以有效降低存储器整体的寄生电容，改善数据信息传输的延迟的问题。而且，通过设置第一阻挡层，可以有效防止第一位线层的材料的扩散现象，即防止第一位线层的损伤，以避免第一位线层的导电性能降低、电阻增大的问题，从而进一步降低了埋入式位线的RC延迟，提高了存储器的数据传输速度和可靠性
埋入式位线及其形成方法

[实用新型]一种用于杂散电流埋入式端子的通用连接器-CN201721435066.9有效
发明人：张春雨;王喜军 -专利权人：江苏安荣电气设备股份有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01R13/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于杂散电流埋入式端子的通用连接器，包括第一铜铝过渡端子和第二铜铝过渡端子，所述第一铜铝过渡端子和第二铜铝过渡端子分别连接在铝绞线连接体的两端，所述第一铜铝过渡端子和第二铜铝过渡端子结构相同，均由一铜板和一铝制线鼻子焊接而成，所述铜板焊接在铝制线鼻子下面，所述铜板的下端面与埋入式端子的铜端子头接触，所述铝制线鼻子通过液压钳压接在铝绞线的两端。本实用新型的杂散电流埋入式端子的通用连接器，方便地将相邻的两个杂散电流埋入式端子连接起来。该通用连接器的采用铜铝过渡端子压接在铝绞线两端，降低了成本；防盗螺栓的使用，能够将杂散埋入式端子与连接器可靠压紧和固定，同时还能起到防盗作用，既能减少公司的经济损失，又能使后期的工程进展按照施工计划的节点顺利完成
铜铝过渡端子埋入式通用连接器杂散电流铝绞线铜板铝制本实用新型线鼻子压接焊接连接器端子连接防盗螺栓防盗作用工程进展经济损失施工计划连接体铜端子头接触下端面液压钳压紧杂散

[发明专利]一种埋入式键合工艺三维集成方法-CN202011222378.8有效
发明人：李仁雄;陈世杰;吴罚;唐昭焕;张斌 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：本公开涉及三维集成技术领域，尤其涉及一种芯片埋入式键合工艺三维集成方法：在载片上依次制造TSV通孔、PAD结构；所述载片与目标载片键合；在所述载片背面挖槽，凹槽深度小于待埋入芯片厚度，预固定所述埋入芯片，沉积介质层覆盖所述埋入芯片；进行芯片间的金属互联。本公开采用芯片埋入工艺，通过W2W的键合，键合效率大大提升，可实现同质、异质多芯片的三维集成，灵活性强。
一种埋入式键合工艺三维集成方法

[发明专利]半导体集成电路装置-CN202280014374.1在审
发明人：小室秀幸 -专利权人：株式会社索思未来
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：半导体集成电路装置包括具有鳍式FET的多个单元。构成鳍式FET的多个鳍(21A、21B、22A、22B)沿X方向延伸，并且布置于在Y方向上等间距分布的假想网格线(GL)上。单元包括埋入式电源布线(11A、11B、12A、12B)。Y方向上的尺寸较大的单元包括宽度较大的埋入式电源布线(11B、12B)。埋入式电源布线(11A、11B、12A、12B)在Y方向上的中央位置位于假想网格线(GL)上，或者，位于相邻的假想网格线之间的中央位置上。
半导体集成电路装置